Продукція > TOSHIBA > Всі товари виробника TOSHIBA (49582) > Сторінка 545 з 827

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 82 164 246 328 410 492 540 541 542 543 544 545 546 547 548 549 550 574 656 738 820 827  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
TK10A60W,S4VX(M TK10A60W,S4VX(M TOSHIBA TK10A60W.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.7A; 30W; SC67
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9.7A
Power dissipation: 30W
Case: SC67
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 327mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 20nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
TK10A60W5,S5VX(M TK10A60W5,S5VX(M TOSHIBA Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.7A; 30W; SC67
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9.7A
Power dissipation: 30W
Case: SC67
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Gate charge: 25nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 876 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+164.63 грн
3+ 142.33 грн
10+ 105.43 грн
27+ 100.16 грн
Мінімальне замовлення: 2
TK10A80W,S4X(S TK10A80W,S4X(S TOSHIBA TK10A80W.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 9.5A; 40W; SC67
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 9.5A
Power dissipation: 40W
Case: SC67
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.46Ω
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 152 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+284.79 грн
3+ 247.25 грн
5+ 208.22 грн
14+ 197.68 грн
50+ 189.77 грн
TK10E60W,S1VX(S TK10E60W,S1VX(S TOSHIBA TK10E60W.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.7A; 100W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9.7A
Power dissipation: 100W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Gate charge: 20nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
TK110P10PL,RQ(S2 TK110P10PL,RQ(S2 TOSHIBA TK110P10PL.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 60A; Idm: 160A; 75W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 75W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 64 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+70.96 грн
5+ 56.38 грн
25+ 42.17 грн
68+ 39.54 грн
Мінімальне замовлення: 4
TK11P65W,RQ(S TK11P65W,RQ(S TOSHIBA TK11P65W.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11.1A; 100W; DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 25nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Case: DPAK
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11.1A
On-state resistance: 440mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 100W
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
TK12P60W.RVQ(S TK12P60W.RVQ(S TOSHIBA TK12P60W.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11.5A; 100W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11.5A
Power dissipation: 100W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 265mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 2000 шт
товар відсутній
TK12Q60W,S1VQ(S TOSHIBA TK12Q60W.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11.5A; Idm: 46A; 100W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11.5A
Pulsed drain current: 46A
Power dissipation: 100W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.34Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
TK13P25D,RQ(S TK13P25D,RQ(S TOSHIBA TK13P25D.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 13A; 96W; DPAK
On-state resistance: 0.25Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 96W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 25nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: DPAK
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 13A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2795 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+85.15 грн
5+ 69.34 грн
21+ 50.96 грн
56+ 48.32 грн
Мінімальне замовлення: 4
TK14A65W,S5X(M TK14A65W,S5X(M TOSHIBA TK14A65W.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 13.7A; 40W; TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 35nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Case: TO220FP
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 13.7A
On-state resistance: 0.25Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 40W
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 42 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+252.62 грн
3+ 218.97 грн
7+ 159.02 грн
18+ 151.11 грн
Мінімальне замовлення: 2
TK15J50D(F) TK15J50D(F) TOSHIBA TK15J50D.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 15A; 210W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 15A
Power dissipation: 210W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 922 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+210.99 грн
3+ 183.38 грн
8+ 141.45 грн
20+ 133.54 грн
Мінімальне замовлення: 2
TK160F10N1L,LQ(O TK160F10N1L,LQ(O TOSHIBA TK160F10N1L.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 160A; 375W; TO220SM
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 160A
Power dissipation: 375W
Case: TO220SM
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 121nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+312.23 грн
5+ 270.06 грн
6+ 198.56 грн
15+ 188.01 грн
TK16A60W,S4VX(M TK16A60W,S4VX(M TOSHIBA TK16A60W.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 15.8A; 40W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 15.8A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+217.62 грн
3+ 187.95 грн
8+ 140.57 грн
21+ 132.66 грн
Мінімальне замовлення: 2
TK16A60W5,S4VX(M TK16A60W5,S4VX(M TOSHIBA TK16A60W5.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 15.8A; 40W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 15.8A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 600 шт
товар відсутній
TK16E60W,S1VX(S TK16E60W,S1VX(S TOSHIBA TK16E60W.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 15.8A; 130W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 15.8A
Power dissipation: 130W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 750 шт
товар відсутній
TK16N60W,S1VF(S TK16N60W,S1VF(S TOSHIBA TK16N60W.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 15.8A; 130W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 15.8A
Power dissipation: 130W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
TK16N60W5,S1VF(S TOSHIBA TK16N60W5.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 15.8A; Idm: 63.2A; 130W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 15.8A
Pulsed drain current: 63.2A
Power dissipation: 130W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
TK18A30D,S5X(M TOSHIBA TK18A30D.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 18A; 45W; SC67
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 18A
Power dissipation: 45W
Case: SC67
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 139mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
TK20A60W,S5VX(M TK20A60W,S5VX(M TOSHIBA TK20A60W.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 45W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 45W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: THT
Gate charge: 48nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 172 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+274.38 грн
3+ 237.21 грн
6+ 188.01 грн
15+ 177.47 грн
250+ 170.44 грн
Мінімальне замовлення: 2
TK20G60W,RVQ(S TK20G60W,RVQ(S TOSHIBA TK20G60W.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 165W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 165W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 48nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1000 шт
товар відсутній
TK20N60W,S1VF(S TK20N60W,S1VF(S TOSHIBA TK20N60W.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 165W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 165W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: THT
Gate charge: 55nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
TK20P04M1,RQ(S TK20P04M1,RQ(S TOSHIBA TK20P04M1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 20A; 27W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 20A
Power dissipation: 27W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 34mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
TK22E10N1,S1X(S TK22E10N1,S1X(S TOSHIBA TK22E10N1.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 22A; 72W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 22A
Power dissipation: 72W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 28nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
TK25S06N1L,LQ(O TK25S06N1L,LQ(O TOSHIBA TK25S06N1L.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 25A; 57W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 25A
Power dissipation: 57W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 2000 шт
товар відсутній
TK2K2A60F,S4X(S TK2K2A60F,S4X(S TOSHIBA TK2K2A60F.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.5A; Idm: 14A; 30W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3.5A
Pulsed drain current: 14A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 13nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
TK30E06N1,S1X(S TK30E06N1,S1X(S TOSHIBA TK30E06N1.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 30A; 53W; TO220AB
Mounting: THT
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 30A
On-state resistance: 12.2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 53W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 16nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: TO220AB
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
TK31E60W,S1VX(S TK31E60W,S1VX(S TOSHIBA TK31E60W.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30.8A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30.8A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 73mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 86nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
TK31V60W5,LVQ(S TK31V60W5,LVQ(S TOSHIBA TK31V60W5.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30.8A; 240W; DFN; 8x8mm
Case: DFN
Mounting: SMD
Dimensions: 8x8mm
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 105nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30.8A
On-state resistance: 109mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 240W
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
TK32E12N1,S1X(S TK32E12N1,S1X(S TOSHIBA TK32E12N1.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 32A; 98W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 32A
Power dissipation: 98W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 34nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
TK33S10N1L,LQ(O TK33S10N1L,LQ(O TOSHIBA Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 33A; 125W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 33A
Power dissipation: 125W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 33nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 821 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+134.35 грн
5+ 116.78 грн
12+ 88.74 грн
32+ 83.46 грн
Мінімальне замовлення: 3
TK34E10N1,S1X(S TK34E10N1,S1X(S TOSHIBA TK34E10N1.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 75A; 103W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 75A
Power dissipation: 103W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 812 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+76.64 грн
10+ 65.01 грн
17+ 63.26 грн
45+ 59.74 грн
50+ 58.86 грн
Мінімальне замовлення: 4
TK35E08N1,S1X(S TK35E08N1,S1X(S TOSHIBA Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 55A; 72W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 55A
Power dissipation: 72W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 25nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 112 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+81.37 грн
5+ 64.14 грн
10+ 54.21 грн
22+ 47.97 грн
59+ 45.33 грн
250+ 45.07 грн
Мінімальне замовлення: 4
TK380A60Y,S4X TK380A60Y,S4X TOSHIBA TK380A60Y.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6.1A; 30W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6.1A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: THT
Gate charge: 20nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
TK39J60W,S1VQ(O TK39J60W,S1VQ(O TOSHIBA TK39J60W.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 38.8A; 270W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 38.8A
Power dissipation: 270W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
TK39N60X,S1F(S TK39N60X,S1F(S TOSHIBA TK39N60X.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 38.8A; 270W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 38.8A
Power dissipation: 270W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 85nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 80 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+559.18 грн
3+ 402.35 грн
8+ 366.36 грн
TK3A65D TK3A65D TOSHIBA TK3A65D.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 3A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 3A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.93Ω
Mounting: THT
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 22 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+113.13 грн
10+ 96.64 грн
29+ 94.01 грн
50+ 90.49 грн
Мінімальне замовлення: 3
TK3P50D,RQ TK3P50D,RQ TOSHIBA TK3P50D.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 3A; 60W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 3A
Power dissipation: 60W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 4000 шт
товар відсутній
TK40E06N1,S1X(S TK40E06N1,S1X(S TOSHIBA TK40E06N1.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 60A; 67W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 60A
Power dissipation: 67W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 23nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
TK40E10N1,S1X(S TK40E10N1,S1X(S TOSHIBA TK40E10N1.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 40A; 126W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 40A
Power dissipation: 126W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 49nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1450 шт
товар відсутній
TK42A12N1,S4X(S TK42A12N1,S4X(S TOSHIBA TK42A12N1.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 42A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 42A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 52nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
TK430A60F,S4X(S TK430A60F,S4X(S TOSHIBA TK430A60F.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; Idm: 52A; 45W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 52A
Power dissipation: 45W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.43Ω
Mounting: THT
Gate charge: 48nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 850 шт
товар відсутній
TK49N65W,S1F(S TK49N65W,S1F(S TOSHIBA TK49N65W.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 49.2A; 400W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 49.2A
Power dissipation: 400W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 160nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
TK4A60DA(STA4,Q,M) TK4A60DA(STA4,Q,M) TOSHIBA Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.5A; 35W; SC67
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain current: 3.5A
On-state resistance: 2.2Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 35W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 11nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Case: SC67
Drain-source voltage: 600V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 617 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+75.69 грн
6+ 53.83 грн
10+ 45.86 грн
26+ 39.54 грн
72+ 37.43 грн
Мінімальне замовлення: 4
TK56E12N1,S1X(S TOSHIBA TK56E12N1 THT N channel transistors
на замовлення 810 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+180.72 грн
10+ 109.82 грн
26+ 103.67 грн
Мінімальне замовлення: 2
TK58E06N1,S1X TK58E06N1,S1X TOSHIBA TK58E06N1.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 58A; 110W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 58A
Power dissipation: 110W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 46nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
TK60S06K3L(T6L1,NQ TOSHIBA TK60S06K3L.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 60A; Idm: 120A; 88W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 88W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 60nC
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 2000 шт
товар відсутній
TK60S10N1L,LQ(O TOSHIBA TK60S10N1L.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 60A; Idm: 180A; 180W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 180A
Power dissipation: 180W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.14mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 60nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 2000 шт
товар відсутній
TK62J60W,S1VQ(O TK62J60W,S1VQ(O TOSHIBA TK62J60W.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 61.8A; 400W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 61.8A
Power dissipation: 400W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
TK62N60W,S1VF(S TK62N60W,S1VF(S TOSHIBA TK62N60W.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 61.8A; 400W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 61.8A
Power dissipation: 400W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
TK62N60W5,S1VF(S TOSHIBA TK62N60W5.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 61.8A; Idm: 247A; 400W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 61.8A
Pulsed drain current: 247A
Power dissipation: 400W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 205nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
TK62N60X,S1F(S TK62N60X,S1F(S TOSHIBA TK62N60X.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 61.8A; Idm: 247A; 400W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 61.8A
Pulsed drain current: 247A
Power dissipation: 400W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 135nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
TK650A60F,S4X(S TK650A60F,S4X(S TOSHIBA TK650A60F.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; Idm: 44A; 45W; TO220FP
Mounting: THT
Case: TO220FP
Kind of package: tube
Power dissipation: 45W
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
On-state resistance: 0.54Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 34nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 44A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1071 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+173.15 грн
3+ 150.54 грн
10+ 109.82 грн
26+ 103.67 грн
Мінімальне замовлення: 2
TK65A10N1,S4X(S TK65A10N1,S4X(S TOSHIBA TK65A10N1.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 148A; 45W; TO220FP
Mounting: THT
Case: TO220FP
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 148A
On-state resistance: 4.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 45W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 81nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 850 шт
товар відсутній
TK65E10N1,S1X(S TOSHIBA TK65E10N1.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 148A; Idm: 296A; 192W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 148A
Pulsed drain current: 296A
Power dissipation: 192W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 81nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
TK65G10N1,RQ(S TOSHIBA TK65G10N1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 136A; Idm: 283A; 156W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 136A
Pulsed drain current: 283A
Power dissipation: 156W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 81nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1000 шт
товар відсутній
TK65S04K3L(T6L1,NQ TK65S04K3L(T6L1,NQ TOSHIBA docget.jsp?did=11262&prodName=TK65S04K3L Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 65A; 88W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 65A
Power dissipation: 88W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
TK65S04N1L,LQ(O TK65S04N1L,LQ(O TOSHIBA TK65S04N1L.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 65A; 107W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 65A
Power dissipation: 107W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 39nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 2000 шт
товар відсутній
TK6A50D(STA4,Q,M) TK6A50D(STA4,Q,M) TOSHIBA TK6A50D.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6A; Idm: 24A; 35W; TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain current: 6A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 500V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
Case: TO220FP
On-state resistance: 1.2Ω
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 35W
Gate charge: 11nC
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
TK6A60W,S4VX(M TK6A60W,S4VX(M TOSHIBA TK6A60W.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6.2A; 30W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6.2A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.68Ω
Mounting: THT
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1200 шт
товар відсутній
TK6A65D(STA4,Q,M) TK6A65D(STA4,Q,M) TOSHIBA TK6A65D.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 6A; Idm: 24A; 45W; TO220FP
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 6A
On-state resistance: 0.95Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 45W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 20nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 24A
Mounting: THT
Case: TO220FP
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
TK10A60W,S4VX(M TK10A60W.pdf
TK10A60W,S4VX(M
Виробник: TOSHIBA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.7A; 30W; SC67
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9.7A
Power dissipation: 30W
Case: SC67
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 327mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 20nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
TK10A60W5,S5VX(M
TK10A60W5,S5VX(M
Виробник: TOSHIBA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.7A; 30W; SC67
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9.7A
Power dissipation: 30W
Case: SC67
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Gate charge: 25nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 876 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+164.63 грн
3+ 142.33 грн
10+ 105.43 грн
27+ 100.16 грн
Мінімальне замовлення: 2
TK10A80W,S4X(S TK10A80W.pdf
TK10A80W,S4X(S
Виробник: TOSHIBA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 9.5A; 40W; SC67
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 9.5A
Power dissipation: 40W
Case: SC67
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.46Ω
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 152 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+284.79 грн
3+ 247.25 грн
5+ 208.22 грн
14+ 197.68 грн
50+ 189.77 грн
TK10E60W,S1VX(S TK10E60W.pdf
TK10E60W,S1VX(S
Виробник: TOSHIBA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.7A; 100W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9.7A
Power dissipation: 100W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Gate charge: 20nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
TK110P10PL,RQ(S2 TK110P10PL.pdf
TK110P10PL,RQ(S2
Виробник: TOSHIBA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 60A; Idm: 160A; 75W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 75W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 64 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+70.96 грн
5+ 56.38 грн
25+ 42.17 грн
68+ 39.54 грн
Мінімальне замовлення: 4
TK11P65W,RQ(S TK11P65W.pdf
TK11P65W,RQ(S
Виробник: TOSHIBA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11.1A; 100W; DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 25nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Case: DPAK
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11.1A
On-state resistance: 440mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 100W
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
TK12P60W.RVQ(S TK12P60W.pdf
TK12P60W.RVQ(S
Виробник: TOSHIBA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11.5A; 100W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11.5A
Power dissipation: 100W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 265mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 2000 шт
товар відсутній
TK12Q60W,S1VQ(S TK12Q60W.pdf
Виробник: TOSHIBA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11.5A; Idm: 46A; 100W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11.5A
Pulsed drain current: 46A
Power dissipation: 100W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.34Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
TK13P25D,RQ(S TK13P25D.pdf
TK13P25D,RQ(S
Виробник: TOSHIBA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 13A; 96W; DPAK
On-state resistance: 0.25Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 96W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 25nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: DPAK
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 13A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2795 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+85.15 грн
5+ 69.34 грн
21+ 50.96 грн
56+ 48.32 грн
Мінімальне замовлення: 4
TK14A65W,S5X(M TK14A65W.pdf
TK14A65W,S5X(M
Виробник: TOSHIBA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 13.7A; 40W; TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 35nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Case: TO220FP
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 13.7A
On-state resistance: 0.25Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 40W
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 42 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+252.62 грн
3+ 218.97 грн
7+ 159.02 грн
18+ 151.11 грн
Мінімальне замовлення: 2
TK15J50D(F) TK15J50D.pdf
TK15J50D(F)
Виробник: TOSHIBA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 15A; 210W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 15A
Power dissipation: 210W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 922 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+210.99 грн
3+ 183.38 грн
8+ 141.45 грн
20+ 133.54 грн
Мінімальне замовлення: 2
TK160F10N1L,LQ(O TK160F10N1L.pdf
TK160F10N1L,LQ(O
Виробник: TOSHIBA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 160A; 375W; TO220SM
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 160A
Power dissipation: 375W
Case: TO220SM
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 121nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+312.23 грн
5+ 270.06 грн
6+ 198.56 грн
15+ 188.01 грн
TK16A60W,S4VX(M TK16A60W.pdf
TK16A60W,S4VX(M
Виробник: TOSHIBA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 15.8A; 40W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 15.8A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+217.62 грн
3+ 187.95 грн
8+ 140.57 грн
21+ 132.66 грн
Мінімальне замовлення: 2
TK16A60W5,S4VX(M TK16A60W5.pdf
TK16A60W5,S4VX(M
Виробник: TOSHIBA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 15.8A; 40W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 15.8A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 600 шт
товар відсутній
TK16E60W,S1VX(S TK16E60W.pdf
TK16E60W,S1VX(S
Виробник: TOSHIBA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 15.8A; 130W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 15.8A
Power dissipation: 130W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 750 шт
товар відсутній
TK16N60W,S1VF(S TK16N60W.pdf
TK16N60W,S1VF(S
Виробник: TOSHIBA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 15.8A; 130W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 15.8A
Power dissipation: 130W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
TK16N60W5,S1VF(S TK16N60W5.pdf
Виробник: TOSHIBA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 15.8A; Idm: 63.2A; 130W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 15.8A
Pulsed drain current: 63.2A
Power dissipation: 130W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
TK18A30D,S5X(M TK18A30D.pdf
Виробник: TOSHIBA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 18A; 45W; SC67
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 18A
Power dissipation: 45W
Case: SC67
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 139mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
TK20A60W,S5VX(M TK20A60W.pdf
TK20A60W,S5VX(M
Виробник: TOSHIBA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 45W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 45W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: THT
Gate charge: 48nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 172 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+274.38 грн
3+ 237.21 грн
6+ 188.01 грн
15+ 177.47 грн
250+ 170.44 грн
Мінімальне замовлення: 2
TK20G60W,RVQ(S TK20G60W.pdf
TK20G60W,RVQ(S
Виробник: TOSHIBA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 165W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 165W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 48nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1000 шт
товар відсутній
TK20N60W,S1VF(S TK20N60W.pdf
TK20N60W,S1VF(S
Виробник: TOSHIBA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 165W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 165W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: THT
Gate charge: 55nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
TK20P04M1,RQ(S TK20P04M1.pdf
TK20P04M1,RQ(S
Виробник: TOSHIBA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 20A; 27W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 20A
Power dissipation: 27W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 34mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
TK22E10N1,S1X(S TK22E10N1.pdf
TK22E10N1,S1X(S
Виробник: TOSHIBA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 22A; 72W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 22A
Power dissipation: 72W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 28nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
TK25S06N1L,LQ(O TK25S06N1L.pdf
TK25S06N1L,LQ(O
Виробник: TOSHIBA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 25A; 57W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 25A
Power dissipation: 57W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 2000 шт
товар відсутній
TK2K2A60F,S4X(S TK2K2A60F.pdf
TK2K2A60F,S4X(S
Виробник: TOSHIBA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.5A; Idm: 14A; 30W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3.5A
Pulsed drain current: 14A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 13nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
TK30E06N1,S1X(S TK30E06N1.pdf
TK30E06N1,S1X(S
Виробник: TOSHIBA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 30A; 53W; TO220AB
Mounting: THT
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 30A
On-state resistance: 12.2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 53W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 16nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: TO220AB
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
TK31E60W,S1VX(S TK31E60W.pdf
TK31E60W,S1VX(S
Виробник: TOSHIBA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30.8A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30.8A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 73mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 86nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
TK31V60W5,LVQ(S TK31V60W5.pdf
TK31V60W5,LVQ(S
Виробник: TOSHIBA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30.8A; 240W; DFN; 8x8mm
Case: DFN
Mounting: SMD
Dimensions: 8x8mm
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 105nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30.8A
On-state resistance: 109mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 240W
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
TK32E12N1,S1X(S TK32E12N1.pdf
TK32E12N1,S1X(S
Виробник: TOSHIBA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 32A; 98W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 32A
Power dissipation: 98W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 34nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
TK33S10N1L,LQ(O
TK33S10N1L,LQ(O
Виробник: TOSHIBA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 33A; 125W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 33A
Power dissipation: 125W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 33nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 821 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+134.35 грн
5+ 116.78 грн
12+ 88.74 грн
32+ 83.46 грн
Мінімальне замовлення: 3
TK34E10N1,S1X(S TK34E10N1.pdf
TK34E10N1,S1X(S
Виробник: TOSHIBA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 75A; 103W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 75A
Power dissipation: 103W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 812 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+76.64 грн
10+ 65.01 грн
17+ 63.26 грн
45+ 59.74 грн
50+ 58.86 грн
Мінімальне замовлення: 4
TK35E08N1,S1X(S
TK35E08N1,S1X(S
Виробник: TOSHIBA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 55A; 72W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 55A
Power dissipation: 72W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 25nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 112 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+81.37 грн
5+ 64.14 грн
10+ 54.21 грн
22+ 47.97 грн
59+ 45.33 грн
250+ 45.07 грн
Мінімальне замовлення: 4
TK380A60Y,S4X TK380A60Y.pdf
TK380A60Y,S4X
Виробник: TOSHIBA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6.1A; 30W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6.1A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: THT
Gate charge: 20nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
TK39J60W,S1VQ(O TK39J60W.pdf
TK39J60W,S1VQ(O
Виробник: TOSHIBA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 38.8A; 270W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 38.8A
Power dissipation: 270W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
TK39N60X,S1F(S TK39N60X.pdf
TK39N60X,S1F(S
Виробник: TOSHIBA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 38.8A; 270W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 38.8A
Power dissipation: 270W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 85nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 80 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+559.18 грн
3+ 402.35 грн
8+ 366.36 грн
TK3A65D TK3A65D.pdf
TK3A65D
Виробник: TOSHIBA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 3A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 3A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.93Ω
Mounting: THT
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 22 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+113.13 грн
10+ 96.64 грн
29+ 94.01 грн
50+ 90.49 грн
Мінімальне замовлення: 3
TK3P50D,RQ TK3P50D.pdf
TK3P50D,RQ
Виробник: TOSHIBA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 3A; 60W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 3A
Power dissipation: 60W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 4000 шт
товар відсутній
TK40E06N1,S1X(S TK40E06N1.pdf
TK40E06N1,S1X(S
Виробник: TOSHIBA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 60A; 67W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 60A
Power dissipation: 67W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 23nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
TK40E10N1,S1X(S TK40E10N1.pdf
TK40E10N1,S1X(S
Виробник: TOSHIBA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 40A; 126W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 40A
Power dissipation: 126W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 49nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1450 шт
товар відсутній
TK42A12N1,S4X(S TK42A12N1.pdf
TK42A12N1,S4X(S
Виробник: TOSHIBA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 42A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 42A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 52nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
TK430A60F,S4X(S TK430A60F.pdf
TK430A60F,S4X(S
Виробник: TOSHIBA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; Idm: 52A; 45W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 52A
Power dissipation: 45W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.43Ω
Mounting: THT
Gate charge: 48nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 850 шт
товар відсутній
TK49N65W,S1F(S TK49N65W.pdf
TK49N65W,S1F(S
Виробник: TOSHIBA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 49.2A; 400W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 49.2A
Power dissipation: 400W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 160nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
TK4A60DA(STA4,Q,M)
TK4A60DA(STA4,Q,M)
Виробник: TOSHIBA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.5A; 35W; SC67
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain current: 3.5A
On-state resistance: 2.2Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 35W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 11nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Case: SC67
Drain-source voltage: 600V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 617 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+75.69 грн
6+ 53.83 грн
10+ 45.86 грн
26+ 39.54 грн
72+ 37.43 грн
Мінімальне замовлення: 4
TK56E12N1,S1X(S
Виробник: TOSHIBA
TK56E12N1 THT N channel transistors
на замовлення 810 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+180.72 грн
10+ 109.82 грн
26+ 103.67 грн
Мінімальне замовлення: 2
TK58E06N1,S1X TK58E06N1.pdf
TK58E06N1,S1X
Виробник: TOSHIBA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 58A; 110W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 58A
Power dissipation: 110W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 46nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
TK60S06K3L(T6L1,NQ TK60S06K3L.pdf
Виробник: TOSHIBA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 60A; Idm: 120A; 88W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 88W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 60nC
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 2000 шт
товар відсутній
TK60S10N1L,LQ(O TK60S10N1L.pdf
Виробник: TOSHIBA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 60A; Idm: 180A; 180W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 180A
Power dissipation: 180W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.14mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 60nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 2000 шт
товар відсутній
TK62J60W,S1VQ(O TK62J60W.pdf
TK62J60W,S1VQ(O
Виробник: TOSHIBA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 61.8A; 400W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 61.8A
Power dissipation: 400W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
TK62N60W,S1VF(S TK62N60W.pdf
TK62N60W,S1VF(S
Виробник: TOSHIBA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 61.8A; 400W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 61.8A
Power dissipation: 400W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
TK62N60W5,S1VF(S TK62N60W5.pdf
Виробник: TOSHIBA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 61.8A; Idm: 247A; 400W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 61.8A
Pulsed drain current: 247A
Power dissipation: 400W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 205nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
TK62N60X,S1F(S TK62N60X.pdf
TK62N60X,S1F(S
Виробник: TOSHIBA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 61.8A; Idm: 247A; 400W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 61.8A
Pulsed drain current: 247A
Power dissipation: 400W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 135nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
TK650A60F,S4X(S TK650A60F.pdf
TK650A60F,S4X(S
Виробник: TOSHIBA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; Idm: 44A; 45W; TO220FP
Mounting: THT
Case: TO220FP
Kind of package: tube
Power dissipation: 45W
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
On-state resistance: 0.54Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 34nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 44A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1071 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+173.15 грн
3+ 150.54 грн
10+ 109.82 грн
26+ 103.67 грн
Мінімальне замовлення: 2
TK65A10N1,S4X(S TK65A10N1.pdf
TK65A10N1,S4X(S
Виробник: TOSHIBA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 148A; 45W; TO220FP
Mounting: THT
Case: TO220FP
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 148A
On-state resistance: 4.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 45W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 81nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 850 шт
товар відсутній
TK65E10N1,S1X(S TK65E10N1.pdf
Виробник: TOSHIBA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 148A; Idm: 296A; 192W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 148A
Pulsed drain current: 296A
Power dissipation: 192W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 81nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
TK65G10N1,RQ(S TK65G10N1.pdf
Виробник: TOSHIBA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 136A; Idm: 283A; 156W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 136A
Pulsed drain current: 283A
Power dissipation: 156W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 81nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1000 шт
товар відсутній
TK65S04K3L(T6L1,NQ docget.jsp?did=11262&prodName=TK65S04K3L
TK65S04K3L(T6L1,NQ
Виробник: TOSHIBA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 65A; 88W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 65A
Power dissipation: 88W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
TK65S04N1L,LQ(O TK65S04N1L.pdf
TK65S04N1L,LQ(O
Виробник: TOSHIBA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 65A; 107W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 65A
Power dissipation: 107W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 39nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 2000 шт
товар відсутній
TK6A50D(STA4,Q,M) TK6A50D.pdf
TK6A50D(STA4,Q,M)
Виробник: TOSHIBA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6A; Idm: 24A; 35W; TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain current: 6A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 500V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
Case: TO220FP
On-state resistance: 1.2Ω
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 35W
Gate charge: 11nC
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
TK6A60W,S4VX(M TK6A60W.pdf
TK6A60W,S4VX(M
Виробник: TOSHIBA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6.2A; 30W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6.2A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.68Ω
Mounting: THT
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1200 шт
товар відсутній
TK6A65D(STA4,Q,M) TK6A65D.pdf
TK6A65D(STA4,Q,M)
Виробник: TOSHIBA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 6A; Idm: 24A; 45W; TO220FP
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 6A
On-state resistance: 0.95Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 45W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 20nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 24A
Mounting: THT
Case: TO220FP
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 82 164 246 328 410 492 540 541 542 543 544 545 546 547 548 549 550 574 656 738 820 827  [ Наступна Сторінка >> ]