![TK40E06N1,S1X(S TK40E06N1,S1X(S](https://export.farnell.com/productimages/standard/en_GB/GE3TO220-40.jpg)
TK40E06N1,S1X(S TOSHIBA
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK40E06N1,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 A, 0.0084 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 67W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0084ohm
SVHC: To Be Advised
Description: TOSHIBA - TK40E06N1,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 A, 0.0084 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 67W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0084ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 899 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 79.62 грн |
13+ | 62.41 грн |
100+ | 44.82 грн |
500+ | 35.28 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TK40E06N1,S1X(S TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK40E06N1,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 A, 0.0084 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 60A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 67W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0084ohm, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції TK40E06N1,S1X(S
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
TK40E06N1,S1X(S | Виробник : Toshiba |
![]() |
товар відсутній |
|
![]() |
TK40E06N1,S1X(S | Виробник : TOSHIBA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 60A; 67W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 60A Power dissipation: 67W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 10.4mΩ Mounting: THT Gate charge: 23nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|
![]() |
TK40E06N1,S1X(S | Виробник : TOSHIBA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 60A; 67W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 60A Power dissipation: 67W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 10.4mΩ Mounting: THT Gate charge: 23nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |