![TK30E06N1,S1X(S TK30E06N1,S1X(S](https://export.farnell.com/productimages/standard/en_GB/GE3TO220-40.jpg)
TK30E06N1,S1X(S TOSHIBA
![3934686.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: TOSHIBA - TK30E06N1,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 43 A, 0.0122 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 53W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0122ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
на замовлення 1893 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
11+ | 78.18 грн |
13+ | 65.92 грн |
100+ | 41.46 грн |
500+ | 32.92 грн |
1000+ | 23.6 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TK30E06N1,S1X(S TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK30E06N1,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 43 A, 0.0122 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 43A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 53W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0122ohm, SVHC: Boric acid (14-Jun-2023).
Інші пропозиції TK30E06N1,S1X(S за ціною від 89.59 грн до 89.59 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
TK30E06N1,S1X(S | Виробник : Toshiba |
![]() |
на замовлення 149 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
![]() |
TK30E06N1,S1X(S | Виробник : Toshiba |
![]() |
товар відсутній |
|||||
![]() |
TK30E06N1,S1X(S | Виробник : TOSHIBA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 30A; 53W; TO220AB Mounting: THT Drain-source voltage: 60V Drain current: 30A On-state resistance: 12.2mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 53W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 16nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Case: TO220AB кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||
![]() |
TK30E06N1,S1X(S | Виробник : TOSHIBA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 30A; 53W; TO220AB Mounting: THT Drain-source voltage: 60V Drain current: 30A On-state resistance: 12.2mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 53W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 16nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Case: TO220AB |
товар відсутній |