![TK32E12N1,S1X(S TK32E12N1,S1X(S](https://export.farnell.com/productimages/standard/en_GB/GE3TO220-40.jpg)
TK32E12N1,S1X(S TOSHIBA
![3622511.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: TOSHIBA - TK32E12N1,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 60 A, 0.011 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 98W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 1874 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
7+ | 126.61 грн |
10+ | 98.12 грн |
100+ | 73.43 грн |
500+ | 55.48 грн |
1000+ | 39.2 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TK32E12N1,S1X(S TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK32E12N1,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 60 A, 0.011 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 120V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 60A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 98W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm, SVHC: No SVHC (08-Jul-2021).
Інші пропозиції TK32E12N1,S1X(S
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
TK32E12N1,S1X(S | Виробник : Toshiba |
![]() |
на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
![]() |
TK32E12N1,S1X(S | Виробник : Toshiba |
![]() |
товар відсутній |
|
![]() |
TK32E12N1,S1X(S | Виробник : TOSHIBA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 32A; 98W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 120V Drain current: 32A Power dissipation: 98W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 13.8mΩ Mounting: THT Gate charge: 34nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|
![]() |
TK32E12N1,S1X(S | Виробник : TOSHIBA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 32A; 98W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 120V Drain current: 32A Power dissipation: 98W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 13.8mΩ Mounting: THT Gate charge: 34nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |