![TK6A65D(STA4,Q,M) TK6A65D(STA4,Q,M)](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/4845/264_TO-220-3%20Full%20Pack.jpg)
TK6A65D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage
![TK6A65D_datasheet_en_20131101.pdf?did=22770&prodName=TK6A65D](/images/adobe-acrobat.png)
Description: MOSFET N-CH 650V 6A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.11Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 25 V
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 122.12 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TK6A65D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 650V 6A TO220SIS, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.11Ohm @ 3A, 10V, Power Dissipation (Max): 45W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-220SIS, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 25 V.
Інші пропозиції TK6A65D(STA4,Q,M) за ціною від 51.24 грн до 132.5 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
TK6A65D(STA4,Q,M) | Виробник : Toshiba |
![]() |
на замовлення 18 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
TK6A65D(STA4,Q,M) | Виробник : Toshiba |
![]() |
на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
TK6A65DSTA4QM Код товару: 143200 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||||
![]() |
TK6A65D(STA4,Q,M) | Виробник : Toshiba |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
TK6A65D(STA4,Q,M) | Виробник : Toshiba |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
TK6A65D(STA4,Q,M) | Виробник : TOSHIBA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 6A; Idm: 24A; 45W; TO220FP Mounting: THT Kind of package: tube Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 6A On-state resistance: 0.95Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 45W Gate charge: 20nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 24A Case: TO220FP кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
TK6A65D(STA4,Q,M) | Виробник : TOSHIBA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 6A; Idm: 24A; 45W; TO220FP Mounting: THT Kind of package: tube Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 6A On-state resistance: 0.95Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 45W Gate charge: 20nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 24A Case: TO220FP |
товар відсутній |