TK10A60W5,S5VX(M TOSHIBA
Виробник: TOSHIBA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.7A; 30W; SC67
Mounting: THT
Power dissipation: 30W
Polarisation: unipolar
Case: SC67
Gate charge: 25nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9.7A
On-state resistance: 0.45Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.7A; 30W; SC67
Mounting: THT
Power dissipation: 30W
Polarisation: unipolar
Case: SC67
Gate charge: 25nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9.7A
On-state resistance: 0.45Ω
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 901 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 139.2 грн |
4+ | 115.89 грн |
10+ | 89.89 грн |
27+ | 85.43 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TK10A60W5,S5VX(M TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK10A60W5,S5VX(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9.7 A, 0.35 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 9.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 30W, Bauform - Transistor: TO-220SIS, Anzahl der Pins: 3Pins, Produktpalette: PW Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції TK10A60W5,S5VX(M за ціною від 79.28 грн до 169.6 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
TK10A60W5,S5VX(M | Виробник : TOSHIBA |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.7A; 30W; SC67 Mounting: THT Power dissipation: 30W Polarisation: unipolar Case: SC67 Gate charge: 25nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V Drain-source voltage: 600V Drain current: 9.7A On-state resistance: 0.45Ω Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 901 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||
TK10A60W5,S5VX(M | Виробник : TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TK10A60W5,S5VX(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9.7 A, 0.35 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 9.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 30W Bauform - Transistor: TO-220SIS Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: PW Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 25 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
TK10A60W5,S5VX(M | Виробник : Toshiba | Trans MOSFET N-CH 600V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS |
на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
TK10A60W5,S5VX(M | Виробник : Toshiba | Trans MOSFET N-CH 600V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS |
на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||
TK10A60W5,S5VX(M | Виробник : Toshiba | Trans MOSFET N-CH 600V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS |
на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||
TK10A60W5,S5VX(M | Виробник : Toshiba | PWR-MOSFET N-CHANNEL |
на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |