TK4A60DA(STA4,Q,M) TOSHIBA
Виробник: TOSHIBA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.5A; 35W; SC67
Mounting: THT
Gate charge: 11nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Case: SC67
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3.5A
On-state resistance: 2.2Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 35W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.5A; 35W; SC67
Mounting: THT
Gate charge: 11nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Case: SC67
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3.5A
On-state resistance: 2.2Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 35W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
на замовлення 628 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 60.67 грн |
| 9+ | 41.55 грн |
| 10+ | 36.76 грн |
| 26+ | 32.04 грн |
| 71+ | 30.28 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TK4A60DA(STA4,Q,M) TOSHIBA
Description: MOSFET N-CH 600V 3.5A TO220SIS, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 1.8A, 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-220SIS, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V.
Інші пропозиції TK4A60DA(STA4,Q,M) за ціною від 35.56 грн до 72.8 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
TK4A60DA(STA4,Q,M) | Виробник : Toshiba |
 MOSFET N-ch 600V 3.5A TO-220SIS |
на замовлення 400 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
TK4A60DA(STA4,Q,M) | Виробник : TOSHIBA |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.5A; 35W; SC67 Mounting: THT Gate charge: 11nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V Case: SC67 Drain-source voltage: 600V Drain current: 3.5A On-state resistance: 2.2Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 35W Polarisation: unipolar Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 628 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
TK4A60DA(STA4,Q,M) | Виробник : Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 600V 3.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS |
товар відсутній |
|||||||||||||
 |
TK4A60DA(STA4,Q,M) | Виробник : Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 600V 3.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS |
товар відсутній |
|||||||||||||
 |
TK4A60DA(STA4,Q,M) | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: MOSFET N-CH 600V 3.5A TO220SIS Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 1.8A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 1mA Supplier Device Package: TO-220SIS Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V |
товар відсутній |