Продукція > TOSHIBA > Всі товари виробника TOSHIBA (49582) > Сторінка 543 з 827

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 82 164 246 328 410 492 538 539 540 541 542 543 544 545 546 547 548 574 656 738 820 827  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
RN1402(TE85L,F) RN1402(TE85L,F) TOSHIBA RN1401_06.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SC59; R1: 10kΩ
Mounting: SMD
Case: SC59
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 50V
Current gain: 50
Collector current: 0.1A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 0.2W
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Frequency: 250MHz
кількість в упаковці: 5 шт
товар відсутній
RN1406(TE85L,F)
+1
 		RN1406(TE85L,F) TOSHIBA RN1406.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SC59; R1: 4.7kΩ
Mounting: SMD
Case: SC59
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 50V
Current gain: 80
Collector current: 0.1A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 0.2W
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Base resistor: 4.7kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Frequency: 250MHz
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 510 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
25+12.49 грн
60+ 4.96 грн
100+ 4.3 грн
310+ 3.3 грн
850+ 3.13 грн
Мінімальне замовлення: 25
RN1411(TE85L,F) RN1411(TE85L,F) TOSHIBA RN1410_11.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SC59; 10kΩ
Mounting: SMD
Case: SC59
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 0.2W
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Base resistor: 10kΩ
Frequency: 250MHz
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 1585 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
30+10.6 грн
85+ 3.25 грн
100+ 2.76 грн
500+ 2.58 грн
Мінімальне замовлення: 30
RN1427(TE85L,F) RN1427(TE85L,F) TOSHIBA RN1421_27.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.8A; 0.2W; SC59; R1: 2.2kΩ
Mounting: SMD
Case: SC59
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.8A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 0.2W
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Base resistor: 2.2kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Frequency: 300MHz
кількість в упаковці: 12000 шт
товар відсутній
RN1604(TE85L,F) RN1604(TE85L,F) TOSHIBA RN1601_06.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.3W; SM6; R1: 2.2kΩ
Mounting: SMD
Case: SM6
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 50V
Current gain: 80
Collector current: 0.1A
Type of transistor: NPN x2
Power dissipation: 0.3W
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Base resistor: 2.2kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Frequency: 250MHz
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 2995 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
25+13.44 грн
35+ 8.03 грн
100+ 6.85 грн
175+ 5.97 грн
475+ 5.62 грн
Мінімальне замовлення: 25
RN1910FE,LF(CT TOSHIBA RN1910FE_datasheet_en_20211223.pdf?did=19070&prodName=RN1910FE Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.1W; ES6; 4.7kΩ
Case: ES6
Frequency: 250MHz
Collector-emitter voltage: 50V
Current gain: 120...700
Collector current: 0.1A
Type of transistor: NPN x2
Power dissipation: 0.1W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of transistor: BRT
Base resistor: 4.7kΩ
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 5 шт
товар відсутній
RN2405,LXGF(T RN2405,LXGF(T TOSHIBA RN2410_11.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SC59; R1: 2.2kΩ
Frequency: 200MHz
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 0.2W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of transistor: BRT
Base resistor: 2.2kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Mounting: SMD
Case: SC59
кількість в упаковці: 30000 шт
товар відсутній
RN2410(TE85L,F) RN2410(TE85L,F) TOSHIBA RN2410_11.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SC59; 4.7kΩ
Mounting: SMD
Case: SC59
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 0.2W
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Base resistor: 4.7kΩ
Frequency: 250MHz
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 2630 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
30+10.6 грн
85+ 3.32 грн
100+ 2.82 грн
500+ 2.64 грн
Мінімальне замовлення: 30
RN4982FE,LF(CT TOSHIBA docget.jsp?did=19043&prodName=RN4982FE RN4982FE Complementary transistors
товар відсутній
SSM3J16FS(TE85L,F) SSM3J16FS(TE85L,F) TOSHIBA SSM3J16FS.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.1A; 0.1W; SC75
Mounting: SMD
Case: SC75
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -100mA
On-state resistance: 45Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.1W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±10V
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 1861 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
20+14.57 грн
35+ 8.21 грн
100+ 7.03 грн
160+ 6.41 грн
435+ 6.06 грн
3000+ 5.89 грн
Мінімальне замовлення: 20
SSM3J327R,LF(B
+1
 		SSM3J327R,LF(B TOSHIBA SSM3J327R.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.9A; 1W; SOT23F
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3.9A
Power dissipation: 1W
Case: SOT23F
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 4.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 5 шт
товар відсутній
SSM3J328R,LF(T SSM3J328R,LF(T TOSHIBA SSM3J328R.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -6A; 1W; SOT23F
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -6A
Power dissipation: 1W
Case: SOT23F
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 88.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 12.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 5 шт
товар відсутній
SSM3J331R,LF SSM3J331R,LF TOSHIBA SSM3J331R.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4A; Idm: -10A; 2W; SOT23F
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4A
Pulsed drain current: -10A
Power dissipation: 2W
Case: SOT23F
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 2805 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
25+12.49 грн
30+ 9.49 грн
100+ 8.08 грн
140+ 7.47 грн
375+ 7.12 грн
3000+ 6.85 грн
Мінімальне замовлення: 25
SSM3J332R,LF(T
+2
 		SSM3J332R,LF(T TOSHIBA SSM3J332R.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -6A; 1W; SOT23F
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -6A
Power dissipation: 1W
Case: SOT23F
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 144mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
20+14.19 грн
35+ 8.48 грн
100+ 7.29 грн
165+ 6.24 грн
450+ 5.89 грн
Мінімальне замовлення: 20
SSM3J334R,LF(T SSM3J334R,LF(T TOSHIBA SSM3J334R.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -4A; 1W; SOT23F
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -4A
Power dissipation: 1W
Case: SOT23F
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 136mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 5.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 2310 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
25+12.49 грн
30+ 10.04 грн
100+ 8.52 грн
130+ 8 грн
355+ 7.56 грн
3000+ 7.29 грн
Мінімальне замовлення: 25
SSM3J355R,LF(T TOSHIBA SSM3J355R.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -6A; Idm: 24A; 2W; SOT23F
Mounting: SMD
Case: SOT23F
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -6A
On-state resistance: 52.3mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 2W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Kind of channel: enhanced
Pulsed drain current: 24A
Gate-source voltage: ±10V
кількість в упаковці: 5 шт
товар відсутній
SSM3J35CTC,L3F(T TOSHIBA SSM3J35CTC.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.25A; 500mW; CST3C
Mounting: SMD
Case: CST3C
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -250mA
On-state resistance: 20Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±10V
кількість в упаковці: 5 шт
товар відсутній
SSM3K15AFS,LF(T SSM3K15AFS,LF(T TOSHIBA SSM3K15AFS.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 0.1A; 100mW; SC75
Mounting: SMD
Case: SC75
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.1A
On-state resistance: 6Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.1W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 5 шт
товар відсутній
SSM3K15AFS,LF(B TOSHIBA SSM3K15AFS_datasheet_en_20140301.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 0.1A; 100mW; SC75
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.1W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: SC75
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.1A
On-state resistance: 6Ω
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
SSM3K15AFU,LF(T SSM3K15AFU,LF(T TOSHIBA SSM3K15AFU.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 0.1A; 150mW; SC70
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.1A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC70
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 16440 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
25+12.49 грн
70+ 3.98 грн
100+ 3.44 грн
360+ 2.86 грн
985+ 2.71 грн
Мінімальне замовлення: 25
SSM3K16FU(TE85L,F) SSM3K16FU(TE85L,F) TOSHIBA SSM3K16FU.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.1A; 150mW; SC70
Mounting: SMD
Case: SC70
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.1A
On-state resistance: 15Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.15W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±10V
кількість в упаковці: 5 шт
товар відсутній
SSM3K324R,LF(T
+1
 		SSM3K324R,LF(T TOSHIBA SSM3K324R.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4A; 1W; SOT23F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4A
Power dissipation: 1W
Case: SOT23F
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 109mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 2.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 5 шт
товар відсутній
SSM3K329R,LF(B SSM3K329R,LF(B TOSHIBA SSM3K329R.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.5A; 1W; SOT23F
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 1W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Gate charge: 1.5nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
Mounting: SMD
Case: SOT23F
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3.5A
On-state resistance: 289mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 5 шт
товар відсутній
SSM3K333R,LF(B SSM3K333R,LF(B TOSHIBA SSM3K333R.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 6A; 1W; SOT23F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 6A
Power dissipation: 1W
Case: SOT23F
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 42mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 3.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 6884 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
25+13.25 грн
30+ 10.67 грн
100+ 9.14 грн
140+ 7.49 грн
375+ 7.08 грн
Мінімальне замовлення: 25
SSM3K339R
+1
 		SSM3K339R TOSHIBA SSM3K339R.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 2A; 1W; SOT23F
Mounting: SMD
Case: SOT23F
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 2A
On-state resistance: 390mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 1.1nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5985 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
23+12.49 грн
36+ 7.76 грн
100+ 6.59 грн
182+ 5.62 грн
499+ 5.36 грн
Мінімальне замовлення: 23
SSM3K341R,LF(T
+1
 		SSM3K341R,LF(T TOSHIBA SSM3K341R.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 6A; Idm: 24A; 2.4W; SOT23F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 2.4W
Case: SOT23F
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 69mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5178 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+62.45 грн
10+ 29.01 грн
25+ 24.51 грн
49+ 21.26 грн
133+ 20.12 грн
Мінімальне замовлення: 5
SSM3K35MFV,L3F(T
+1
 		SSM3K35MFV,L3F(T TOSHIBA SSM3K35MFV.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.18A; 150mW; SOT723
Mounting: SMD
Case: SOT723
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.18A
On-state resistance: 20Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.15W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±10V
кількість в упаковці: 40000 шт
товар відсутній
SSM3K36FS,LF(T
+1
 		SSM3K36FS,LF(T TOSHIBA SSM3K36FS.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 500mA; Idm: 1A; 150mW; SSM
Mounting: SMD
Case: SSM
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.5A
On-state resistance: 1.52Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.15W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Pulsed drain current: 1A
Gate-source voltage: ±10V
кількість в упаковці: 5 шт
товар відсутній
SSM3K37MFV,L3F SSM3K37MFV,L3F TOSHIBA SSM3K37MFV.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.25A; 0.15W; SOT723
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.25A
On-state resistance: 5.6Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.15W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±10V
Case: SOT723
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 14225 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
20+15.99 грн
60+ 4.86 грн
100+ 4.22 грн
320+ 3.21 грн
880+ 3.03 грн
Мінімальне замовлення: 20
SSM3K7002KFU,LF(T SSM3K7002KFU,LF(T TOSHIBA SSM3K7002KFU.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.4A; 150mW; SC70
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.4A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC70
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.75Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.39nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 38125 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
45+6.53 грн
60+ 4.73 грн
250+ 4.1 грн
310+ 3.31 грн
855+ 3.14 грн
Мінімальне замовлення: 45
SSM3K72CFS,LF(T SSM3K72CFS,LF(T TOSHIBA SSM3K72CFS.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.17A; 150mW; SC75
Mounting: SMD
Case: SC75
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.17A
On-state resistance: 4.7Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.15W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Gate charge: 0.27nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 5 шт
товар відсутній
SSM3K72KCT,L3F(T TOSHIBA SSM3K72KCT.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.4A; 500mW; CST3C
Mounting: SMD
Case: CST3C
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.4A
On-state resistance: 1.75Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 0.39nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 50000 шт
товар відсутній
SSM3K72KFS,LF(T
+1
 		SSM3K72KFS,LF(T TOSHIBA SSM3K72KFS.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.3A; 150mW; SC75
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.3A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC75
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.75Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.39nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 11510 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
40+7.29 грн
80+ 3.61 грн
250+ 3.07 грн
375+ 2.76 грн
1025+ 2.61 грн
3000+ 2.57 грн
Мінімальне замовлення: 40
SSM6J501NU,LF SSM6J501NU,LF TOSHIBA SSM6J501NU.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -10A; Idm: -30A; 1W; uDFN6
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Pulsed drain current: -30A
Power dissipation: 1W
Gate charge: 29.9nC
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Drain current: -10A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: -20V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±8V
Case: uDFN6
On-state resistance: 43mΩ
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
SSM6J502NU,LF(T SSM6J502NU,LF(T TOSHIBA SSM6J502NU.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -6A; 1W; uDFN6
Mounting: SMD
Case: uDFN6
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -6A
On-state resistance: 60.5mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Gate charge: 24.8nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
SSM6J503NU,LF(T SSM6J503NU,LF(T TOSHIBA SSM6J503NU.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -6A; 1W; uDFN6
Mounting: SMD
Case: uDFN6
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -6A
On-state resistance: 89.6mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 12.8nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
SSM6J511NU,LF(T SSM6J511NU,LF(T TOSHIBA Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -14A; 1.25W; uDFN6
Mounting: SMD
Case: uDFN6
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -14A
On-state resistance: 19.2mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.25W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Gate charge: 47nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±10V
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
SSM6K403TU,LF(T SSM6K403TU,LF(T TOSHIBA SSM6K403TU.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.2A; 0.5W; UF6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 4.2A
Power dissipation: 0.5W
Case: UF6
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 66mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 16.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 280 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
11+26.78 грн
25+ 17.33 грн
81+ 12.82 грн
221+ 12.12 грн
Мінімальне замовлення: 11
SSM6K504NU,LF(T SSM6K504NU,LF(T TOSHIBA SSM6K504NU.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 9A; Idm: 18A; 1.25W; uDFN6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 9A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 1.25W
Case: uDFN6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 26mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 1678 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
25+13.44 грн
30+ 10.86 грн
100+ 9.4 грн
115+ 9.22 грн
310+ 8.7 грн
3000+ 8.35 грн
Мінімальне замовлення: 25
SSM6L12TU,LF(T TOSHIBA SSM6L12TU Multi channel transistors
товар відсутній
SSM6N15AFU,LF(T SSM6N15AFU,LF(T TOSHIBA SSM6N15AFU.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 0.1A; 0.3W; SOT363
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.1A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5 шт
товар відсутній
SSM6N35FE,LM(T SSM6N35FE,LM(T TOSHIBA SSM6N35FE.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.18A; 150mW; SOT563
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.18A
Power dissipation: 0.15W
Case: SOT563
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 20Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 5 шт
товар відсутній
SSM6N40TU,LXGF SSM6N40TU,LXGF TOSHIBA SSM6N40TU.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 1.6A; 0.5W; UF6
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 1.6A
Power dissipation: 0.5W
Case: UF6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 182mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 5.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 417 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
16+17.98 грн
25+ 13.14 грн
89+ 11.6 грн
100+ 11.16 грн
244+ 10.98 грн
500+ 10.46 грн
Мінімальне замовлення: 16
SSM6N7002CFU,LF(T SSM6N7002CFU,LF(T TOSHIBA SSM6N7002CFU.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.17A; 285mW; SC88
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.17A
Power dissipation: 285mW
Case: SC88
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.7Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.27nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 5 шт
товар відсутній
SSM6N7002KFU,LF(T SSM6N7002KFU,LF(T TOSHIBA SSM6N7002KFU.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.3A; 285mW; SC88
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.3A
Power dissipation: 285mW
Case: SC88
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.75Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.39nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
50+6.24 грн
65+ 4.47 грн
250+ 3.8 грн
315+ 3.3 грн
860+ 3.12 грн
Мінімальне замовлення: 50
T2N7002AK,LM(T T2N7002AK,LM(T TOSHIBA T2N7002AK.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; Idm: 0.76A; 320mW; SOT23
Mounting: SMD
Case: SOT23
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
On-state resistance: 3.2Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.32W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Gate charge: 0.35nC
Kind of channel: enhanced
Pulsed drain current: 0.76A
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 30000 шт
товар відсутній
T2N7002BK,LM(T T2N7002BK,LM(T TOSHIBA T2N7002BK.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.4A; Idm: 1.2A; 320mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.4A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.32W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.75Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.39nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 3640 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
65+4.45 грн
100+ 3.37 грн
415+ 2.48 грн
1140+ 2.35 грн
Мінімальне замовлення: 65
TA75S393F,LF(T TA75S393F,LF(T TOSHIBA TA75S393F.pdf Category: SMD comparators
Description: IC: comparator; universal; Cmp: 1; 1.3us; 1÷18V; SMT; SOT25; 250nA
Mounting: SMT
Kind of output: open collector
Case: SOT25
Kind of package: reel; tape
Type of integrated circuit: comparator
Number of comparators: 1
Input offset voltage: 5mV
Delay time: 1.3µs
Kind of comparator: universal
Input offset current: 250nA
Operating voltage: 1...18V
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
TB6560AFG(O,8) TB6560AFG(O,8) TOSHIBA TB6560AHQ.pdf Category: Motor and PWM drivers
Description: IC: driver; stepper motor controller; PWM; QFP64; 1.5A; 4.5÷34V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: stepper motor controller
Interface: PWM
Case: QFP64
Output current: 1.5A
Output voltage: 4.5...34V
Number of channels: 2
Mounting: SMD
Operating temperature: -30...85°C
Input voltage: 0...5.5V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1242 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+377.52 грн
3+ 327.54 грн
5+ 247.76 грн
12+ 234.58 грн
TB6560AHQ(O,8) TB6560AHQ(O,8) TOSHIBA TB6560AHQ.pdf Category: Motor and PWM drivers
Description: IC: driver; stepper motor controller; PWM; SIP25; 3A; 4.5÷34V; Ch: 2
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: stepper motor controller
Interface: PWM
Case: SIP25
Output current: 3A
Output voltage: 4.5...34V
Number of channels: 2
Mounting: THT
Operating temperature: -30...85°C
Input voltage: 0...5.5V
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
TB6561FG(O,8,EL) TOSHIBA TB6561FG.pdf Category: Motor and PWM drivers
Description: IC: driver; H-bridge; brush motor controller; PWM; SSOP30; 1.5A
Type of integrated circuit: driver
Topology: H-bridge
Kind of integrated circuit: brush motor controller
Interface: PWM
Case: SSOP30
Output current: 1.5A
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...36V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -20...85°C
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
TB6568KQ(O,8) TB6568KQ(O,8) TOSHIBA TB6568KQ.pdf Category: Motor and PWM drivers
Description: IC: driver; H-bridge; brush motor controller; PWM; HSIP7-P-2.54A
Type of integrated circuit: driver
Topology: H-bridge
Kind of integrated circuit: brush motor controller
Interface: PWM
Case: HSIP7-P-2.54A
Output current: 3A
Output voltage: 50V
Supply voltage: 4.5...48V DC
Mounting: THT
Operating temperature: -40...85°C
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1158 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+381.3 грн
5+ 255.46 грн
12+ 232.82 грн
TB6600HG TB6600HG TOSHIBA TB6600HG.pdf Category: Motor and PWM drivers
Description: IC: driver; stepper motor controller; PWM; SIP25; 4.5A; 8÷42V; Ch: 2
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: stepper motor controller
Interface: PWM
Case: SIP25
Output current: 4.5A
Output voltage: 8...42V
Number of channels: 2
Mounting: THT
Operating temperature: -30...85°C
Input voltage: 0...5.5V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 117 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+745.57 грн
3+ 496.33 грн
6+ 452.46 грн
TB6612FNG(O,C,8,EL TB6612FNG(O,C,8,EL TOSHIBA TB6612FNG.pdf Category: Motor and PWM drivers
Description: IC: driver; H-bridge; brush motor controller; PWM; SSOP24; 1A; 15V
Type of integrated circuit: driver
Topology: H-bridge
Kind of integrated circuit: brush motor controller
Interface: PWM
Case: SSOP24
Output current: 1A
Output voltage: 15V
Number of channels: 2
Supply voltage: 2.7...5.5V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -20...85°C
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 996 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+192.07 грн
5+ 166.96 грн
9+ 126.51 грн
23+ 119.49 грн
Мінімальне замовлення: 2
TB6614FNG(O,C,EL) TB6614FNG(O,C,EL) TOSHIBA TB6614FNG.pdf Category: Motor and PWM drivers
Description: IC: driver; brush motor controller; PWM; SSOP16; 1.2A; 2.5÷13.5V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: brush motor controller
Interface: PWM
Case: SSOP16
Output current: 1.2A
Output voltage: 2.5...13.5V
Number of channels: 2
Mounting: SMD
Operating temperature: -20...85°C
кількість в упаковці: 2000 шт
товар відсутній
TB6643KQ(O,8) TB6643KQ(O,8) TOSHIBA TB6643KQ.pdf Category: Motor and PWM drivers
Description: IC: driver; H-bridge; brush motor controller; PWM; HSIP7-P-2.54A
Type of integrated circuit: driver
Topology: H-bridge
Kind of integrated circuit: brush motor controller
Interface: PWM
Case: HSIP7-P-2.54A
Output current: 4.5A
Output voltage: 50V
Mounting: THT
Operating temperature: -40...85°C
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 808 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+504.3 грн
4+ 335.75 грн
9+ 305.74 грн
TB67H303HG(O) TOSHIBA TB67H303HG.pdf Category: Motor and PWM drivers
Description: IC: driver; H-bridge; brush motor controller; PWM; HZIP25-P-1.00F
Type of integrated circuit: driver
Topology: H-bridge
Kind of integrated circuit: brush motor controller
Interface: PWM
Case: HZIP25-P-1.00F
Output current: 8A
Output voltage: 50V
Mounting: THT
Operating temperature: -30...85°C
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
TB67H400AHG(O) TOSHIBA TB67H400AHG.pdf Category: Motor and PWM drivers
Description: IC: driver; H-bridge; brush motor controller; PWM; HZIP25-P-1.00F
Type of integrated circuit: driver
Topology: H-bridge
Kind of integrated circuit: brush motor controller
Interface: PWM
Case: HZIP25-P-1.00F
Output current: 8A
Output voltage: 50V
Mounting: THT
Operating temperature: -20...85°C
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
TB67S508FTG(Z,EL) TB67S508FTG(Z,EL) TOSHIBA TB67S508FTG.pdf Category: Motor and PWM drivers
Description: IC: driver; 2-phase motor controller; VQFN36; 2.8A; 40V; 10÷35VDC
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: 2-phase motor controller
Case: VQFN36
Output current: 2.8A
Output voltage: 40V
Supply voltage: 10...35V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -20...85°C
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
TBAV70,LM(T TBAV70,LM(T TOSHIBA Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 85V; 215mA; 4ns; SOT23; Ufmax: 1.25V; Ifsm: 2A
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 85V
Load current: 0.215A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: common cathode; double
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Capacitance: 0.9pF
Case: SOT23
Max. forward voltage: 1.25V
Max. load current: 0.5A
Max. forward impulse current: 2A
Power dissipation: 0.32W
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 2840 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
50+6.76 грн
100+ 5.79 грн
210+ 5.11 грн
500+ 5.01 грн
560+ 4.84 грн
3000+ 4.67 грн
Мінімальне замовлення: 50
RN1402(TE85L,F) RN1401_06.pdf
RN1402(TE85L,F)
Виробник: TOSHIBA
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SC59; R1: 10kΩ
Mounting: SMD
Case: SC59
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 50V
Current gain: 50
Collector current: 0.1A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 0.2W
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Frequency: 250MHz
кількість в упаковці: 5 шт
товар відсутній
RN1406(TE85L,F) RN1406.pdf
RN1406(TE85L,F)
+1
Виробник: TOSHIBA
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SC59; R1: 4.7kΩ
Mounting: SMD
Case: SC59
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 50V
Current gain: 80
Collector current: 0.1A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 0.2W
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Base resistor: 4.7kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Frequency: 250MHz
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 510 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
25+12.49 грн
60+ 4.96 грн
100+ 4.3 грн
310+ 3.3 грн
850+ 3.13 грн
Мінімальне замовлення: 25
RN1411(TE85L,F) RN1410_11.pdf
RN1411(TE85L,F)
Виробник: TOSHIBA
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SC59; 10kΩ
Mounting: SMD
Case: SC59
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 0.2W
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Base resistor: 10kΩ
Frequency: 250MHz
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 1585 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
30+10.6 грн
85+ 3.25 грн
100+ 2.76 грн
500+ 2.58 грн
Мінімальне замовлення: 30
RN1427(TE85L,F) RN1421_27.pdf
RN1427(TE85L,F)
Виробник: TOSHIBA
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.8A; 0.2W; SC59; R1: 2.2kΩ
Mounting: SMD
Case: SC59
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.8A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 0.2W
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Base resistor: 2.2kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Frequency: 300MHz
кількість в упаковці: 12000 шт
товар відсутній
RN1604(TE85L,F) RN1601_06.pdf
RN1604(TE85L,F)
Виробник: TOSHIBA
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.3W; SM6; R1: 2.2kΩ
Mounting: SMD
Case: SM6
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 50V
Current gain: 80
Collector current: 0.1A
Type of transistor: NPN x2
Power dissipation: 0.3W
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Base resistor: 2.2kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Frequency: 250MHz
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 2995 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
25+13.44 грн
35+ 8.03 грн
100+ 6.85 грн
175+ 5.97 грн
475+ 5.62 грн
Мінімальне замовлення: 25
RN1910FE,LF(CT RN1910FE_datasheet_en_20211223.pdf?did=19070&prodName=RN1910FE
Виробник: TOSHIBA
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.1W; ES6; 4.7kΩ
Case: ES6
Frequency: 250MHz
Collector-emitter voltage: 50V
Current gain: 120...700
Collector current: 0.1A
Type of transistor: NPN x2
Power dissipation: 0.1W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of transistor: BRT
Base resistor: 4.7kΩ
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 5 шт
товар відсутній
RN2405,LXGF(T RN2410_11.pdf
RN2405,LXGF(T
Виробник: TOSHIBA
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SC59; R1: 2.2kΩ
Frequency: 200MHz
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 0.2W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of transistor: BRT
Base resistor: 2.2kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Mounting: SMD
Case: SC59
кількість в упаковці: 30000 шт
товар відсутній
RN2410(TE85L,F) RN2410_11.pdf
RN2410(TE85L,F)
Виробник: TOSHIBA
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SC59; 4.7kΩ
Mounting: SMD
Case: SC59
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 0.2W
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Base resistor: 4.7kΩ
Frequency: 250MHz
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 2630 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
30+10.6 грн
85+ 3.32 грн
100+ 2.82 грн
500+ 2.64 грн
Мінімальне замовлення: 30
RN4982FE,LF(CT docget.jsp?did=19043&prodName=RN4982FE
Виробник: TOSHIBA
RN4982FE Complementary transistors
товар відсутній
SSM3J16FS(TE85L,F) SSM3J16FS.pdf
SSM3J16FS(TE85L,F)
Виробник: TOSHIBA
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.1A; 0.1W; SC75
Mounting: SMD
Case: SC75
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -100mA
On-state resistance: 45Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.1W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±10V
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 1861 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
20+14.57 грн
35+ 8.21 грн
100+ 7.03 грн
160+ 6.41 грн
435+ 6.06 грн
3000+ 5.89 грн
Мінімальне замовлення: 20
SSM3J327R,LF(B SSM3J327R.pdf
SSM3J327R,LF(B
+1
Виробник: TOSHIBA
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.9A; 1W; SOT23F
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3.9A
Power dissipation: 1W
Case: SOT23F
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 4.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 5 шт
товар відсутній
SSM3J328R,LF(T SSM3J328R.pdf
SSM3J328R,LF(T
Виробник: TOSHIBA
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -6A; 1W; SOT23F
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -6A
Power dissipation: 1W
Case: SOT23F
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 88.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 12.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 5 шт
товар відсутній
SSM3J331R,LF SSM3J331R.pdf
SSM3J331R,LF
Виробник: TOSHIBA
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4A; Idm: -10A; 2W; SOT23F
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4A
Pulsed drain current: -10A
Power dissipation: 2W
Case: SOT23F
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 2805 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
25+12.49 грн
30+ 9.49 грн
100+ 8.08 грн
140+ 7.47 грн
375+ 7.12 грн
3000+ 6.85 грн
Мінімальне замовлення: 25
SSM3J332R,LF(T SSM3J332R.pdf
SSM3J332R,LF(T
+2
Виробник: TOSHIBA
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -6A; 1W; SOT23F
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -6A
Power dissipation: 1W
Case: SOT23F
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 144mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
20+14.19 грн
35+ 8.48 грн
100+ 7.29 грн
165+ 6.24 грн
450+ 5.89 грн
Мінімальне замовлення: 20
SSM3J334R,LF(T SSM3J334R.pdf
SSM3J334R,LF(T
Виробник: TOSHIBA
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -4A; 1W; SOT23F
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -4A
Power dissipation: 1W
Case: SOT23F
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 136mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 5.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 2310 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
25+12.49 грн
30+ 10.04 грн
100+ 8.52 грн
130+ 8 грн
355+ 7.56 грн
3000+ 7.29 грн
Мінімальне замовлення: 25
SSM3J355R,LF(T SSM3J355R.pdf
Виробник: TOSHIBA
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -6A; Idm: 24A; 2W; SOT23F
Mounting: SMD
Case: SOT23F
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -6A
On-state resistance: 52.3mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 2W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Kind of channel: enhanced
Pulsed drain current: 24A
Gate-source voltage: ±10V
кількість в упаковці: 5 шт
товар відсутній
SSM3J35CTC,L3F(T SSM3J35CTC.pdf
Виробник: TOSHIBA
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.25A; 500mW; CST3C
Mounting: SMD
Case: CST3C
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -250mA
On-state resistance: 20Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±10V
кількість в упаковці: 5 шт
товар відсутній
SSM3K15AFS,LF(T SSM3K15AFS.pdf
SSM3K15AFS,LF(T
Виробник: TOSHIBA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 0.1A; 100mW; SC75
Mounting: SMD
Case: SC75
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.1A
On-state resistance: 6Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.1W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 5 шт
товар відсутній
SSM3K15AFS,LF(B SSM3K15AFS_datasheet_en_20140301.pdf
Виробник: TOSHIBA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 0.1A; 100mW; SC75
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.1W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: SC75
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.1A
On-state resistance: 6Ω
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
SSM3K15AFU,LF(T SSM3K15AFU.pdf
SSM3K15AFU,LF(T
Виробник: TOSHIBA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 0.1A; 150mW; SC70
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.1A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC70
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 16440 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
25+12.49 грн
70+ 3.98 грн
100+ 3.44 грн
360+ 2.86 грн
985+ 2.71 грн
Мінімальне замовлення: 25
SSM3K16FU(TE85L,F) SSM3K16FU.pdf
SSM3K16FU(TE85L,F)
Виробник: TOSHIBA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.1A; 150mW; SC70
Mounting: SMD
Case: SC70
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.1A
On-state resistance: 15Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.15W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±10V
кількість в упаковці: 5 шт
товар відсутній
SSM3K324R,LF(T SSM3K324R.pdf
SSM3K324R,LF(T
+1
Виробник: TOSHIBA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4A; 1W; SOT23F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4A
Power dissipation: 1W
Case: SOT23F
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 109mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 2.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 5 шт
товар відсутній
SSM3K329R,LF(B SSM3K329R.pdf
SSM3K329R,LF(B
Виробник: TOSHIBA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.5A; 1W; SOT23F
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 1W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Gate charge: 1.5nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
Mounting: SMD
Case: SOT23F
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3.5A
On-state resistance: 289mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 5 шт
товар відсутній
SSM3K333R,LF(B SSM3K333R.pdf
SSM3K333R,LF(B
Виробник: TOSHIBA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 6A; 1W; SOT23F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 6A
Power dissipation: 1W
Case: SOT23F
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 42mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 3.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 6884 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
25+13.25 грн
30+ 10.67 грн
100+ 9.14 грн
140+ 7.49 грн
375+ 7.08 грн
Мінімальне замовлення: 25
SSM3K339R SSM3K339R.pdf
SSM3K339R
+1
Виробник: TOSHIBA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 2A; 1W; SOT23F
Mounting: SMD
Case: SOT23F
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 2A
On-state resistance: 390mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 1.1nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5985 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
23+12.49 грн
36+ 7.76 грн
100+ 6.59 грн
182+ 5.62 грн
499+ 5.36 грн
Мінімальне замовлення: 23
SSM3K341R,LF(T SSM3K341R.pdf
SSM3K341R,LF(T
+1
Виробник: TOSHIBA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 6A; Idm: 24A; 2.4W; SOT23F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 2.4W
Case: SOT23F
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 69mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5178 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+62.45 грн
10+ 29.01 грн
25+ 24.51 грн
49+ 21.26 грн
133+ 20.12 грн
Мінімальне замовлення: 5
SSM3K35MFV,L3F(T SSM3K35MFV.pdf
SSM3K35MFV,L3F(T
+1
Виробник: TOSHIBA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.18A; 150mW; SOT723
Mounting: SMD
Case: SOT723
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.18A
On-state resistance: 20Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.15W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±10V
кількість в упаковці: 40000 шт
товар відсутній
SSM3K36FS,LF(T SSM3K36FS.pdf
SSM3K36FS,LF(T
+1
Виробник: TOSHIBA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 500mA; Idm: 1A; 150mW; SSM
Mounting: SMD
Case: SSM
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.5A
On-state resistance: 1.52Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.15W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Pulsed drain current: 1A
Gate-source voltage: ±10V
кількість в упаковці: 5 шт
товар відсутній
SSM3K37MFV,L3F SSM3K37MFV.pdf
SSM3K37MFV,L3F
Виробник: TOSHIBA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.25A; 0.15W; SOT723
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.25A
On-state resistance: 5.6Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.15W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±10V
Case: SOT723
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 14225 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
20+15.99 грн
60+ 4.86 грн
100+ 4.22 грн
320+ 3.21 грн
880+ 3.03 грн
Мінімальне замовлення: 20
SSM3K7002KFU,LF(T SSM3K7002KFU.pdf
SSM3K7002KFU,LF(T
Виробник: TOSHIBA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.4A; 150mW; SC70
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.4A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC70
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.75Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.39nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 38125 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
45+6.53 грн
60+ 4.73 грн
250+ 4.1 грн
310+ 3.31 грн
855+ 3.14 грн
Мінімальне замовлення: 45
SSM3K72CFS,LF(T SSM3K72CFS.pdf
SSM3K72CFS,LF(T
Виробник: TOSHIBA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.17A; 150mW; SC75
Mounting: SMD
Case: SC75
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.17A
On-state resistance: 4.7Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.15W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Gate charge: 0.27nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 5 шт
товар відсутній
SSM3K72KCT,L3F(T SSM3K72KCT.pdf
Виробник: TOSHIBA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.4A; 500mW; CST3C
Mounting: SMD
Case: CST3C
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.4A
On-state resistance: 1.75Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 0.39nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 50000 шт
товар відсутній
SSM3K72KFS,LF(T SSM3K72KFS.pdf
SSM3K72KFS,LF(T
+1
Виробник: TOSHIBA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.3A; 150mW; SC75
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.3A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC75
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.75Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.39nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 11510 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
40+7.29 грн
80+ 3.61 грн
250+ 3.07 грн
375+ 2.76 грн
1025+ 2.61 грн
3000+ 2.57 грн
Мінімальне замовлення: 40
SSM6J501NU,LF SSM6J501NU.pdf
SSM6J501NU,LF
Виробник: TOSHIBA
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -10A; Idm: -30A; 1W; uDFN6
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Pulsed drain current: -30A
Power dissipation: 1W
Gate charge: 29.9nC
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Drain current: -10A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: -20V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±8V
Case: uDFN6
On-state resistance: 43mΩ
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
SSM6J502NU,LF(T SSM6J502NU.pdf
SSM6J502NU,LF(T
Виробник: TOSHIBA
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -6A; 1W; uDFN6
Mounting: SMD
Case: uDFN6
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -6A
On-state resistance: 60.5mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Gate charge: 24.8nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
SSM6J503NU,LF(T SSM6J503NU.pdf
SSM6J503NU,LF(T
Виробник: TOSHIBA
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -6A; 1W; uDFN6
Mounting: SMD
Case: uDFN6
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -6A
On-state resistance: 89.6mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 12.8nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
SSM6J511NU,LF(T
SSM6J511NU,LF(T
Виробник: TOSHIBA
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -14A; 1.25W; uDFN6
Mounting: SMD
Case: uDFN6
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -14A
On-state resistance: 19.2mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.25W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Gate charge: 47nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±10V
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
SSM6K403TU,LF(T SSM6K403TU.pdf
SSM6K403TU,LF(T
Виробник: TOSHIBA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.2A; 0.5W; UF6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 4.2A
Power dissipation: 0.5W
Case: UF6
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 66mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 16.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 280 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+26.78 грн
25+ 17.33 грн
81+ 12.82 грн
221+ 12.12 грн
Мінімальне замовлення: 11
SSM6K504NU,LF(T SSM6K504NU.pdf
SSM6K504NU,LF(T
Виробник: TOSHIBA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 9A; Idm: 18A; 1.25W; uDFN6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 9A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 1.25W
Case: uDFN6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 26mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 1678 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
25+13.44 грн
30+ 10.86 грн
100+ 9.4 грн
115+ 9.22 грн
310+ 8.7 грн
3000+ 8.35 грн
Мінімальне замовлення: 25
SSM6L12TU,LF(T
Виробник: TOSHIBA
SSM6L12TU Multi channel transistors
товар відсутній
SSM6N15AFU,LF(T SSM6N15AFU.pdf
SSM6N15AFU,LF(T
Виробник: TOSHIBA
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 0.1A; 0.3W; SOT363
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.1A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5 шт
товар відсутній
SSM6N35FE,LM(T SSM6N35FE.pdf
SSM6N35FE,LM(T
Виробник: TOSHIBA
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.18A; 150mW; SOT563
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.18A
Power dissipation: 0.15W
Case: SOT563
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 20Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 5 шт
товар відсутній
SSM6N40TU,LXGF SSM6N40TU.pdf
SSM6N40TU,LXGF
Виробник: TOSHIBA
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 1.6A; 0.5W; UF6
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 1.6A
Power dissipation: 0.5W
Case: UF6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 182mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 5.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 417 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
16+17.98 грн
25+ 13.14 грн
89+ 11.6 грн
100+ 11.16 грн
244+ 10.98 грн
500+ 10.46 грн
Мінімальне замовлення: 16
SSM6N7002CFU,LF(T SSM6N7002CFU.pdf
SSM6N7002CFU,LF(T
Виробник: TOSHIBA
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.17A; 285mW; SC88
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.17A
Power dissipation: 285mW
Case: SC88
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.7Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.27nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 5 шт
товар відсутній
SSM6N7002KFU,LF(T SSM6N7002KFU.pdf
SSM6N7002KFU,LF(T
Виробник: TOSHIBA
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.3A; 285mW; SC88
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.3A
Power dissipation: 285mW
Case: SC88
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.75Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.39nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
50+6.24 грн
65+ 4.47 грн
250+ 3.8 грн
315+ 3.3 грн
860+ 3.12 грн
Мінімальне замовлення: 50
T2N7002AK,LM(T T2N7002AK.pdf
T2N7002AK,LM(T
Виробник: TOSHIBA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; Idm: 0.76A; 320mW; SOT23
Mounting: SMD
Case: SOT23
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
On-state resistance: 3.2Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.32W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Gate charge: 0.35nC
Kind of channel: enhanced
Pulsed drain current: 0.76A
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 30000 шт
товар відсутній
T2N7002BK,LM(T T2N7002BK.pdf
T2N7002BK,LM(T
Виробник: TOSHIBA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.4A; Idm: 1.2A; 320mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.4A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.32W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.75Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.39nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 3640 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
65+4.45 грн
100+ 3.37 грн
415+ 2.48 грн
1140+ 2.35 грн
Мінімальне замовлення: 65
TA75S393F,LF(T TA75S393F.pdf
TA75S393F,LF(T
Виробник: TOSHIBA
Category: SMD comparators
Description: IC: comparator; universal; Cmp: 1; 1.3us; 1÷18V; SMT; SOT25; 250nA
Mounting: SMT
Kind of output: open collector
Case: SOT25
Kind of package: reel; tape
Type of integrated circuit: comparator
Number of comparators: 1
Input offset voltage: 5mV
Delay time: 1.3µs
Kind of comparator: universal
Input offset current: 250nA
Operating voltage: 1...18V
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
TB6560AFG(O,8) TB6560AHQ.pdf
TB6560AFG(O,8)
Виробник: TOSHIBA
Category: Motor and PWM drivers
Description: IC: driver; stepper motor controller; PWM; QFP64; 1.5A; 4.5÷34V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: stepper motor controller
Interface: PWM
Case: QFP64
Output current: 1.5A
Output voltage: 4.5...34V
Number of channels: 2
Mounting: SMD
Operating temperature: -30...85°C
Input voltage: 0...5.5V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1242 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+377.52 грн
3+ 327.54 грн
5+ 247.76 грн
12+ 234.58 грн
TB6560AHQ(O,8) TB6560AHQ.pdf
TB6560AHQ(O,8)
Виробник: TOSHIBA
Category: Motor and PWM drivers
Description: IC: driver; stepper motor controller; PWM; SIP25; 3A; 4.5÷34V; Ch: 2
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: stepper motor controller
Interface: PWM
Case: SIP25
Output current: 3A
Output voltage: 4.5...34V
Number of channels: 2
Mounting: THT
Operating temperature: -30...85°C
Input voltage: 0...5.5V
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
TB6561FG(O,8,EL) TB6561FG.pdf
Виробник: TOSHIBA
Category: Motor and PWM drivers
Description: IC: driver; H-bridge; brush motor controller; PWM; SSOP30; 1.5A
Type of integrated circuit: driver
Topology: H-bridge
Kind of integrated circuit: brush motor controller
Interface: PWM
Case: SSOP30
Output current: 1.5A
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...36V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -20...85°C
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
TB6568KQ(O,8) TB6568KQ.pdf
TB6568KQ(O,8)
Виробник: TOSHIBA
Category: Motor and PWM drivers
Description: IC: driver; H-bridge; brush motor controller; PWM; HSIP7-P-2.54A
Type of integrated circuit: driver
Topology: H-bridge
Kind of integrated circuit: brush motor controller
Interface: PWM
Case: HSIP7-P-2.54A
Output current: 3A
Output voltage: 50V
Supply voltage: 4.5...48V DC
Mounting: THT
Operating temperature: -40...85°C
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1158 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+381.3 грн
5+ 255.46 грн
12+ 232.82 грн
TB6600HG TB6600HG.pdf
TB6600HG
Виробник: TOSHIBA
Category: Motor and PWM drivers
Description: IC: driver; stepper motor controller; PWM; SIP25; 4.5A; 8÷42V; Ch: 2
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: stepper motor controller
Interface: PWM
Case: SIP25
Output current: 4.5A
Output voltage: 8...42V
Number of channels: 2
Mounting: THT
Operating temperature: -30...85°C
Input voltage: 0...5.5V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 117 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+745.57 грн
3+ 496.33 грн
6+ 452.46 грн
TB6612FNG(O,C,8,EL TB6612FNG.pdf
TB6612FNG(O,C,8,EL
Виробник: TOSHIBA
Category: Motor and PWM drivers
Description: IC: driver; H-bridge; brush motor controller; PWM; SSOP24; 1A; 15V
Type of integrated circuit: driver
Topology: H-bridge
Kind of integrated circuit: brush motor controller
Interface: PWM
Case: SSOP24
Output current: 1A
Output voltage: 15V
Number of channels: 2
Supply voltage: 2.7...5.5V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -20...85°C
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 996 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+192.07 грн
5+ 166.96 грн
9+ 126.51 грн
23+ 119.49 грн
Мінімальне замовлення: 2
TB6614FNG(O,C,EL) TB6614FNG.pdf
TB6614FNG(O,C,EL)
Виробник: TOSHIBA
Category: Motor and PWM drivers
Description: IC: driver; brush motor controller; PWM; SSOP16; 1.2A; 2.5÷13.5V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: brush motor controller
Interface: PWM
Case: SSOP16
Output current: 1.2A
Output voltage: 2.5...13.5V
Number of channels: 2
Mounting: SMD
Operating temperature: -20...85°C
кількість в упаковці: 2000 шт
товар відсутній
TB6643KQ(O,8) TB6643KQ.pdf
TB6643KQ(O,8)
Виробник: TOSHIBA
Category: Motor and PWM drivers
Description: IC: driver; H-bridge; brush motor controller; PWM; HSIP7-P-2.54A
Type of integrated circuit: driver
Topology: H-bridge
Kind of integrated circuit: brush motor controller
Interface: PWM
Case: HSIP7-P-2.54A
Output current: 4.5A
Output voltage: 50V
Mounting: THT
Operating temperature: -40...85°C
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 808 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+504.3 грн
4+ 335.75 грн
9+ 305.74 грн
TB67H303HG(O) TB67H303HG.pdf
Виробник: TOSHIBA
Category: Motor and PWM drivers
Description: IC: driver; H-bridge; brush motor controller; PWM; HZIP25-P-1.00F
Type of integrated circuit: driver
Topology: H-bridge
Kind of integrated circuit: brush motor controller
Interface: PWM
Case: HZIP25-P-1.00F
Output current: 8A
Output voltage: 50V
Mounting: THT
Operating temperature: -30...85°C
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
TB67H400AHG(O) TB67H400AHG.pdf
Виробник: TOSHIBA
Category: Motor and PWM drivers
Description: IC: driver; H-bridge; brush motor controller; PWM; HZIP25-P-1.00F
Type of integrated circuit: driver
Topology: H-bridge
Kind of integrated circuit: brush motor controller
Interface: PWM
Case: HZIP25-P-1.00F
Output current: 8A
Output voltage: 50V
Mounting: THT
Operating temperature: -20...85°C
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
TB67S508FTG(Z,EL) TB67S508FTG.pdf
TB67S508FTG(Z,EL)
Виробник: TOSHIBA
Category: Motor and PWM drivers
Description: IC: driver; 2-phase motor controller; VQFN36; 2.8A; 40V; 10÷35VDC
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: 2-phase motor controller
Case: VQFN36
Output current: 2.8A
Output voltage: 40V
Supply voltage: 10...35V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -20...85°C
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
TBAV70,LM(T
TBAV70,LM(T
Виробник: TOSHIBA
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 85V; 215mA; 4ns; SOT23; Ufmax: 1.25V; Ifsm: 2A
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 85V
Load current: 0.215A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: common cathode; double
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Capacitance: 0.9pF
Case: SOT23
Max. forward voltage: 1.25V
Max. load current: 0.5A
Max. forward impulse current: 2A
Power dissipation: 0.32W
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 2840 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
50+6.76 грн
100+ 5.79 грн
210+ 5.11 грн
500+ 5.01 грн
560+ 4.84 грн
3000+ 4.67 грн
Мінімальне замовлення: 50
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 82 164 246 328 410 492 538 539 540 541 542 543 544 545 546 547 548 574 656 738 820 827  [ Наступна Сторінка >> ]