TK65A10N1,S4X(S Toshiba
на замовлення 101 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
91+ | 134.53 грн |
100+ | 122.3 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TK65A10N1,S4X(S Toshiba
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 148A; 45W; TO220FP, Mounting: THT, Case: TO220FP, Drain-source voltage: 100V, Drain current: 148A, On-state resistance: 4.8mΩ, Type of transistor: N-MOSFET, Power dissipation: 45W, Polarisation: unipolar, Kind of package: tube, Gate charge: 81nC, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±20V, кількість в упаковці: 850 шт.
Інші пропозиції TK65A10N1,S4X(S
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
TK65A10N1,S4X(S | Виробник : Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 100V 148A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine |
товар відсутній |
||
TK65A10N1,S4X(S | Виробник : TOSHIBA |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 148A; 45W; TO220FP Mounting: THT Case: TO220FP Drain-source voltage: 100V Drain current: 148A On-state resistance: 4.8mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 45W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 81nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V кількість в упаковці: 850 шт |
товар відсутній |
||
TK65A10N1,S4X(S | Виробник : TOSHIBA |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 148A; 45W; TO220FP Mounting: THT Case: TO220FP Drain-source voltage: 100V Drain current: 148A On-state resistance: 4.8mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 45W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 81nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V |
товар відсутній |