Продукція > TOSHIBA > TK650A60F,S4X(S
TK650A60F,S4X(S

TK650A60F,S4X(S TOSHIBA

3934744.pdf Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK650A60F,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 11 A, 0.54 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+108.02 грн
10+ 82.79 грн
Мінімальне замовлення: 8
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TK650A60F,S4X(S TOSHIBA

Description: TOSHIBA - TK650A60F,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 11 A, 0.54 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 11A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 45W, Bauform - Transistor: TO-220SIS, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm, SVHC: Boric acid (14-Jun-2023).

Інші пропозиції TK650A60F,S4X(S за ціною від 86.39 грн до 173.15 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
TK650A60F,S4X(S TK650A60F,S4X(S Виробник : TOSHIBA TK650A60F.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; Idm: 44A; 45W; TO220FP
Mounting: THT
Case: TO220FP
Kind of package: tube
Power dissipation: 45W
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
On-state resistance: 0.54Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 34nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 44A
на замовлення 1071 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+144.29 грн
4+ 120.8 грн
10+ 91.52 грн
26+ 86.39 грн
Мінімальне замовлення: 3
TK650A60F,S4X(S TK650A60F,S4X(S Виробник : TOSHIBA TK650A60F.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; Idm: 44A; 45W; TO220FP
Mounting: THT
Case: TO220FP
Kind of package: tube
Power dissipation: 45W
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
On-state resistance: 0.54Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 34nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 44A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1071 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+173.15 грн
3+ 150.54 грн
10+ 109.82 грн
26+ 103.67 грн
Мінімальне замовлення: 2
TK650A60F,S4X(S Виробник : Toshiba PWR-MOSFET N-CHANNEL
товар відсутній