![TK65E10N1,S1X(S TK65E10N1,S1X(S](https://static6.arrow.com/aropdfconversion/arrowimages/4b7b7f342acb5ba38272091d4ccf25692794f8a2/to-220.jpg)
TK65E10N1,S1X(S Toshiba
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
900+ | 90.89 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TK65E10N1,S1X(S Toshiba
Description: TOSHIBA - TK65E10N1,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 148 A, 0.004 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 148A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 192W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: U-MOSVIII-H Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm, SVHC: Boric acid (14-Jun-2023).
Інші пропозиції TK65E10N1,S1X(S за ціною від 97.57 грн до 129.34 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
TK65E10N1,S1X(S | Виробник : Toshiba |
![]() |
на замовлення 900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
![]() |
TK65E10N1,S1X(S | Виробник : Toshiba |
![]() |
на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
![]() |
TK65E10N1,S1X(S | Виробник : Toshiba |
![]() |
на замовлення 900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||
![]() |
TK65E10N1,S1X(S | Виробник : TOSHIBA |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 148A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 192W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: U-MOSVIII-H Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm SVHC: Boric acid (14-Jun-2023) |
товар відсутній |
|||||
TK65E10N1,S1X(S | Виробник : TOSHIBA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 148A; Idm: 296A; 192W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 148A Pulsed drain current: 296A Power dissipation: 192W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4mΩ Mounting: THT Gate charge: 81nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||
TK65E10N1,S1X(S | Виробник : TOSHIBA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 148A; Idm: 296A; 192W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 148A Pulsed drain current: 296A Power dissipation: 192W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4mΩ Mounting: THT Gate charge: 81nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |