![TK35E08N1,S1X(S TK35E08N1,S1X(S](https://static6.arrow.com/aropdfconversion/arrowimages/4b7b7f342acb5ba38272091d4ccf25692794f8a2/to-220.jpg)
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
600+ | 35.71 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TK35E08N1,S1X(S Toshiba
Description: TOSHIBA - TK35E08N1,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 55 A, 0.01 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 55A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 72W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm, SVHC: Boric acid (14-Jun-2023).
Інші пропозиції TK35E08N1,S1X(S за ціною від 33.86 грн до 83.58 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
TK35E08N1,S1X(S | Виробник : Toshiba |
![]() |
на замовлення 600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
TK35E08N1,S1X(S | Виробник : TOSHIBA |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 55A; 72W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 55A Power dissipation: 72W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 12.2mΩ Mounting: THT Gate charge: 25nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
на замовлення 112 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
TK35E08N1,S1X(S | Виробник : TOSHIBA |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 55A; 72W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 55A Power dissipation: 72W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 12.2mΩ Mounting: THT Gate charge: 25nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 112 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
TK35E08N1,S1X(S | Виробник : TOSHIBA |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 55A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 72W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm SVHC: Boric acid (14-Jun-2023) |
на замовлення 1915 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
TK35E08N1,S1X(S | Виробник : Toshiba |
![]() |
на замовлення 600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |