Продукція > TOSHIBA > TK10A80W,S4X(S
TK10A80W,S4X(S

TK10A80W,S4X(S TOSHIBA

3934619.pdf Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK10A80W,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 9.5 A, 0.46 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.46ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+217.64 грн
10+ 156.22 грн
Мінімальне замовлення: 4
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TK10A80W,S4X(S TOSHIBA

Description: TOSHIBA - TK10A80W,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 9.5 A, 0.46 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 9.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 40W, Bauform - Transistor: TO-220SIS, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.46ohm, SVHC: Boric acid (14-Jun-2023).

Інші пропозиції TK10A80W,S4X(S за ціною від 152.1 грн до 273.91 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
TK10A80W,S4X(S TK10A80W,S4X(S Виробник : TOSHIBA TK10A80W.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 9.5A; 40W; SC67
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 9.5A
Power dissipation: 40W
Case: SC67
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.46Ω
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 166 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+228.26 грн
3+ 190.83 грн
5+ 167.59 грн
14+ 158.44 грн
50+ 152.1 грн
Мінімальне замовлення: 2
TK10A80W,S4X(S TK10A80W,S4X(S Виробник : TOSHIBA TK10A80W.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 9.5A; 40W; SC67
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 9.5A
Power dissipation: 40W
Case: SC67
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.46Ω
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 166 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+273.91 грн
3+ 237.8 грн
5+ 201.11 грн
14+ 190.12 грн
50+ 182.52 грн
TK10A80W,S4X(S Виробник : Toshiba TK10A80W,S4X(S
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TK10A80W,S4X(S Виробник : Toshiba PWR-MOSFET N-CHANNEL
товар відсутній