TK2K2A60F,S4X(S TOSHIBA
Виробник: TOSHIBADescription: TOSHIBA - TK2K2A60F,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3.5 A, 1.82 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.82ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
на замовлення 37 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 76.59 грн |
| 12+ | 63.93 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TK2K2A60F,S4X(S TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK2K2A60F,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3.5 A, 1.82 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 3.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 30W, Bauform - Transistor: TO-220SIS, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.82ohm, SVHC: Boric acid (14-Jun-2023).
Інші пропозиції TK2K2A60F,S4X(S
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| TK2K2A60F,S4X(S | Виробник : Toshiba | PWR-MOSFET N-CHANNEL |
товар відсутній |
||
 |
TK2K2A60F,S4X(S | Виробник : TOSHIBA |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.5A; Idm: 14A; 30W; TO220FP Mounting: THT Kind of package: tube Drain current: 3.5A On-state resistance: 2.2Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 30W Polarisation: unipolar Gate charge: 13nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 14A Case: TO220FP Drain-source voltage: 600V кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|
|
|
TK2K2A60F,S4X(S | Виробник : TOSHIBA |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.5A; Idm: 14A; 30W; TO220FP Mounting: THT Kind of package: tube Drain current: 3.5A On-state resistance: 2.2Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 30W Polarisation: unipolar Gate charge: 13nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 14A Case: TO220FP Drain-source voltage: 600V |
товар відсутній |