![TK11P65W,RQ(S TK11P65W,RQ(S](https://ce8dc832c.cloudimg.io/v7/_cdn_/EB/7E/00/00/0/59326_1.jpg?width=640&height=480&wat=1&wat_url=_tme-wrk_%2Ftme_new.png&wat_scale=100p&ci_sign=dfcf574262bb75eac0f44b07d923e45d982f656b)
TK11P65W,RQ(S TOSHIBA
![TK11P65W.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11.1A; 100W; DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 25nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Case: DPAK
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11.1A
On-state resistance: 440mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 100W
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TK11P65W,RQ(S TOSHIBA
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11.1A; 100W; DPAK, Mounting: SMD, Kind of package: reel; tape, Gate charge: 25nC, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±30V, Case: DPAK, Drain-source voltage: 650V, Drain current: 11.1A, On-state resistance: 440mΩ, Type of transistor: N-MOSFET, Power dissipation: 100W, Polarisation: unipolar, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції TK11P65W,RQ(S
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
TK11P65W,RQ(S | Виробник : Toshiba |
![]() |
товар відсутній |
|
![]() |
TK11P65W,RQ(S | Виробник : TOSHIBA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11.1A; 100W; DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Gate charge: 25nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V Case: DPAK Drain-source voltage: 650V Drain current: 11.1A On-state resistance: 440mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 100W Polarisation: unipolar |
товар відсутній |