Продукція > TOSHIBA > TK25S06N1L,LQ(O
TK25S06N1L,LQ(O

TK25S06N1L,LQ(O TOSHIBA


TK25S06N1L.pdf Виробник: TOSHIBA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 25A; 57W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 25A
Power dissipation: 57W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 2000 шт
товар відсутній

Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TK25S06N1L,LQ(O TOSHIBA

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 25A; 57W; DPAK, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 60V, Drain current: 25A, Power dissipation: 57W, Case: DPAK, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 15mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 15nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhanced, кількість в упаковці: 2000 шт.

Інші пропозиції TK25S06N1L,LQ(O

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
TK25S06N1L,LQ(O TK25S06N1L,LQ(O Виробник : TOSHIBA TK25S06N1L.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 25A; 57W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 25A
Power dissipation: 57W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній