TK6A60W,S4VX(M TOSHIBA
Виробник: TOSHIBADescription: TOSHIBA - TK6A60W,S4VX(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6.2 A, 0.68 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.68ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 159.25 грн |
| 10+ | 122.85 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TK6A60W,S4VX(M TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK6A60W,S4VX(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6.2 A, 0.68 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 6.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 30W, Bauform - Transistor: TO-220SIS, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.68ohm, SVHC: Boric acid (14-Jun-2023).
Інші пропозиції TK6A60W,S4VX(M
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
TK6A60W,S4VX(M | Виробник : Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 600V 6.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine |
на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
 |
TK6A60W,S4VX(M | Виробник : Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 600V 6.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine |
товар відсутній |
|
 |
TK6A60W,S4VX(M | Виробник : TOSHIBA |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6.2A; 30W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 6.2A Power dissipation: 30W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.68Ω Mounting: THT Gate charge: 12nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1200 шт |
товар відсутній |
|
|
|
TK6A60W,S4VX(M | Виробник : TOSHIBA |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6.2A; 30W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 6.2A Power dissipation: 30W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.68Ω Mounting: THT Gate charge: 12nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |