Продукція > TOSHIBA > TK20A60W,S5VX(M
TK20A60W,S5VX(M

TK20A60W,S5VX(M Toshiba

153396125583938153395447369412tk20a60w_datasheet_en_20160908.pdf.pdf Виробник: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
на замовлення 340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
70+176.32 грн
86+ 142.69 грн
100+ 133.52 грн
200+ 127.76 грн
Мінімальне замовлення: 70
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TK20A60W,S5VX(M Toshiba

Description: TOSHIBA - TK20A60W,S5VX(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.13 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 20A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 45W, Bauform - Transistor: TO-220SIS, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm, SVHC: Boric acid (14-Jun-2023).

Інші пропозиції TK20A60W,S5VX(M за ціною від 150.06 грн до 278.4 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
TK20A60W,S5VX(M TK20A60W,S5VX(M Виробник : TOSHIBA TK20A60W.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 45W; TO220FP
Mounting: THT
Gate charge: 48nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Case: TO220FP
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
On-state resistance: 0.13Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 45W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
на замовлення 205 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+232 грн
3+ 193.14 грн
6+ 158.97 грн
15+ 150.06 грн
Мінімальне замовлення: 2
TK20A60W,S5VX(M TK20A60W,S5VX(M Виробник : TOSHIBA 3934659.pdf Description: TOSHIBA - TK20A60W,S5VX(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.13 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+244.8 грн
10+ 181.6 грн
Мінімальне замовлення: 4
TK20A60W,S5VX(M TK20A60W,S5VX(M Виробник : TOSHIBA TK20A60W.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 45W; TO220FP
Mounting: THT
Gate charge: 48nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Case: TO220FP
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
On-state resistance: 0.13Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 45W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 205 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+278.4 грн
3+ 240.69 грн
6+ 190.77 грн
15+ 180.07 грн
250+ 172.94 грн
Мінімальне замовлення: 2
TK20A60W,S5VX(M TK20A60W,S5VX(M Виробник : Toshiba 153396125583938153395447369412tk20a60w_datasheet_en_20160908.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
товар відсутній