TK31V60W5,LVQ(S TOSHIBA
Виробник: TOSHIBADescription: TOSHIBA - TK31V60W5,LVQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30.8 A, 0.087 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 240W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 240W
Bauform - Transistor: DFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.087ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.087ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 193.96 грн |
| 500+ | 169.86 грн |
| 1000+ | 133.81 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TK31V60W5,LVQ(S TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK31V60W5,LVQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30.8 A, 0.087 ohm, DFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 30.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 240W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 240W, Bauform - Transistor: DFN, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.087ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.087ohm, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції TK31V60W5,LVQ(S за ціною від 133.81 грн до 372.67 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
TK31V60W5,LVQ(S | Виробник : TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TK31V60W5,LVQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30.8 A, 0.087 ohm, DFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 30.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 240W Bauform - Transistor: DFN Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.087ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 2295 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
TK31V60W5,LVQ(S | Виробник : Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 5-Pin DFN EP T/R |
на замовлення 2490 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
TK31V60W5,LVQ(S | Виробник : Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 5-Pin DFN EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
TK31V60W5,LVQ(S | Виробник : TOSHIBA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30.8A; 240W; DFN; 8x8mm Case: DFN Mounting: SMD Dimensions: 8x8mm Kind of package: reel; tape Gate charge: 105nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V Drain-source voltage: 600V Drain current: 30.8A On-state resistance: 109mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 240W Polarisation: unipolar кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
TK31V60W5,LVQ(S | Виробник : TOSHIBA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30.8A; 240W; DFN; 8x8mm Case: DFN Mounting: SMD Dimensions: 8x8mm Kind of package: reel; tape Gate charge: 105nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V Drain-source voltage: 600V Drain current: 30.8A On-state resistance: 109mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 240W Polarisation: unipolar |
товар відсутній |