Продукція > TOSHIBA > TK20N60W,S1VF(S

TK20N60W,S1VF(S TOSHIBA

Name: TK20N60W,S1VF(S
Brand: TOSHIBA
SKU: 5305627-6
Price: 371.2 UAH
Availability: InStock

Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK20N60W,S1VF(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.13 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 165W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)

на замовлення 24 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
2+	515.2 грн
10+	371.2 грн

Мінімальне замовлення: 2

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис TK20N60W,S1VF(S TOSHIBA

Description: TOSHIBA - TK20N60W,S1VF(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.13 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 20A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 165W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm, SVHC: Boric acid (14-Jun-2023).

Інші пропозиції TK20N60W,S1VF(S

Назва	Виробник	Інформація	Доступність
TK20N60W,S1VF(S	Виробник : Toshiba	Trans MOSFET N-CH Si 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247	на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів)
TK20N60W,S1VF(S	Виробник : Toshiba	Trans MOSFET N-CH Si 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247	товар відсутній
TK20N60W,S1VF(S	Виробник : TOSHIBA	Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 165W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 20A Power dissipation: 165W Case: TO247-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.15Ω Mounting: THT Gate charge: 55nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт	товар відсутній
TK20N60W,S1VF(S	Виробник : TOSHIBA	Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 165W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 20A Power dissipation: 165W Case: TO247-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.15Ω Mounting: THT Gate charge: 55nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced	товар відсутній