![TK13P25D,RQ(S TK13P25D,RQ(S](https://export.farnell.com/productimages/standard/en_GB/3358372-40.jpg)
TK13P25D,RQ(S TOSHIBA
![3934635.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: TOSHIBA - TK13P25D,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 13 A, 0.19 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
на замовлення 1447 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
100+ | 42.48 грн |
500+ | 33.06 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TK13P25D,RQ(S TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK13P25D,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 13 A, 0.19 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 250V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 13A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 96W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: PW Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції TK13P25D,RQ(S за ціною від 33.06 грн до 86.4 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
TK13P25D,RQ(S | Виробник : TOSHIBA |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 13A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 96W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PW Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 1447 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
TK13P25D,RQ(S | Виробник : TOSHIBA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 13A; 96W; DPAK On-state resistance: 0.25Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 96W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 25nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Case: DPAK Mounting: SMD Drain-source voltage: 250V Drain current: 13A |
на замовлення 2795 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
TK13P25D,RQ(S | Виробник : TOSHIBA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 13A; 96W; DPAK On-state resistance: 0.25Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 96W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 25nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Case: DPAK Mounting: SMD Drain-source voltage: 250V Drain current: 13A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2795 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
TK13P25D,RQ(S | Виробник : Toshiba |
![]() |
на замовлення 283 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||
![]() |
TK13P25D,RQ(S | Виробник : Toshiba |
![]() |
товар відсутній |