TK60S06K3L(T6L1,NQ Toshiba
на замовлення 1738 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 165+ | 73.08 грн |
| 173+ | 69.81 грн |
| 250+ | 67.01 грн |
| 500+ | 62.29 грн |
| 1000+ | 55.79 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TK60S06K3L(T6L1,NQ Toshiba
Description: MOSFET N-CH 60V 60A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 30A, 10V, Power Dissipation (Max): 88W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA, Supplier Device Package: DPAK+, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 10 V.
Інші пропозиції TK60S06K3L(T6L1,NQ за ціною від 48.71 грн до 125.46 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
TK60S06K3L(T6L1,NQ | Виробник : Toshiba |
 Trans MOSFET N-CH Si 60V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 1595 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
TK60S06K3L(T6L1,NQ | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: MOSFET N-CH 60V 60A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 88W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: DPAK+ Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 10 V |
на замовлення 1755 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
TK60S06K3L(T6L1,NQ | Виробник : Toshiba |
MOSFET N-Ch MOS 60A 60V 88W 2900pF 0.008 |
на замовлення 1933 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
TK60S06K3L(T6L1,NQ | Виробник : Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 60A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
TK60S06K3L(T6L1,NQ | Виробник : Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R Automotive AEC-Q101 |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| TK60S06K3L(T6L1,NQ | Виробник : TOSHIBA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 60A; Idm: 120A; 88W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 60A Pulsed drain current: 120A Power dissipation: 88W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6.4mΩ Mounting: SMD Gate charge: 60nC Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate кількість в упаковці: 2000 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
|
|
TK60S06K3L(T6L1,NQ | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: MOSFET N-CH 60V 60A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 88W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: DPAK+ Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 10 V |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| TK60S06K3L(T6L1,NQ | Виробник : TOSHIBA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 60A; Idm: 120A; 88W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 60A Pulsed drain current: 120A Power dissipation: 88W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6.4mΩ Mounting: SMD Gate charge: 60nC Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate |
товар відсутній |