Продукція > TOSHIBA > TK18A30D,S5X(M

TK18A30D,S5X(M Toshiba


Виробник: Toshiba
PWR-MOSFET N-CHANNEL
на замовлення 9100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
950+55.06 грн
Мінімальне замовлення: 950
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TK18A30D,S5X(M Toshiba

Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 18A; 45W; SC67, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 300V, Drain current: 18A, Power dissipation: 45W, Case: SC67, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 139mΩ, Mounting: THT, Gate charge: 60nC, Kind of package: tube, Kind of channel: enhanced, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції TK18A30D,S5X(M

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
TK18A30D,S5X(M Виробник : TOSHIBA TK18A30D.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 18A; 45W; SC67
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 18A
Power dissipation: 45W
Case: SC67
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 139mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
TK18A30D,S5X(M Виробник : TOSHIBA TK18A30D.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 18A; 45W; SC67
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 18A
Power dissipation: 45W
Case: SC67
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 139mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній