![TK31E60W,S1VX(S TK31E60W,S1VX(S](https://static6.arrow.com/aropdfconversion/arrowimages/4b7b7f342acb5ba38272091d4ccf25692794f8a2/to-220.jpg)
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
29+ | 417.65 грн |
45+ | 266.58 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TK31E60W,S1VX(S Toshiba
Description: TOSHIBA - TK31E60W,S1VX(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30.8 A, 0.073 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 30.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 230W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm, SVHC: Boric acid (14-Jun-2023).
Інші пропозиції TK31E60W,S1VX(S за ціною від 223.36 грн до 561.17 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
TK31E60W,S1VX(S | Виробник : Toshiba |
![]() |
на замовлення 188 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
TK31E60W,S1VX(S | Виробник : TOSHIBA |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 30.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 230W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm SVHC: Boric acid (14-Jun-2023) |
на замовлення 229 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
TK31E60W,S1VX(S | Виробник : Toshiba |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||
![]() |
TK31E60W,S1VX(S | Виробник : TOSHIBA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30.8A; 230W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 30.8A Power dissipation: 230W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 73mΩ Mounting: THT Gate charge: 86nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||
![]() |
TK31E60W,S1VX(S | Виробник : TOSHIBA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30.8A; 230W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 30.8A Power dissipation: 230W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 73mΩ Mounting: THT Gate charge: 86nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |