TK160F10N1L,LQ(O Toshiba
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 76+ | 162.44 грн |
| 79+ | 156.25 грн |
| 100+ | 150.94 грн |
| 250+ | 141.14 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TK160F10N1L,LQ(O Toshiba
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 160A; 375W; TO220SM, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 100V, Drain current: 160A, Power dissipation: 375W, Case: TO220SM, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 2.4mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 121nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhanced, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції TK160F10N1L,LQ(O за ціною від 114.11 грн до 162.44 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
TK160F10N1L,LQ(O | Виробник : Toshiba |
 Trans MOSFET N-CH Si 100V 160A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) TO-220SM(W) T/R |
на замовлення 135 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
TK160F10N1L,LQ(O | Виробник : Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 160A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) TO-220SM(W) T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
TK160F10N1L,LQ(O | Виробник : Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 160A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) TO-220SM(W) T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
 |
TK160F10N1L,LQ(O | Виробник : Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 160A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-220SM(W) T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
 |
TK160F10N1L,LQ(O | Виробник : TOSHIBA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 160A; 375W; TO220SM Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 160A Power dissipation: 375W Case: TO220SM Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.4mΩ Mounting: SMD Gate charge: 121nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
|
|
TK160F10N1L,LQ(O | Виробник : TOSHIBA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 160A; 375W; TO220SM Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 160A Power dissipation: 375W Case: TO220SM Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.4mΩ Mounting: SMD Gate charge: 121nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |