![TK10A60W,S4VX(M TK10A60W,S4VX(M](https://export.farnell.com/productimages/standard/en_GB/GE3TO220F-40.jpg)
TK10A60W,S4VX(M TOSHIBA
![3934616.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: TOSHIBA - TK10A60W,S4VX(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9.7 A, 0.327 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.327ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
на замовлення 903 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 216 грн |
10+ | 169.6 грн |
100+ | 133.6 грн |
500+ | 112.91 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TK10A60W,S4VX(M TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK10A60W,S4VX(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9.7 A, 0.327 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 9.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 30W, Bauform - Transistor: TO-220SIS, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.327ohm, SVHC: Boric acid (14-Jun-2023).
Інші пропозиції TK10A60W,S4VX(M
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
TK10A60W,S4VX(M | Виробник : Toshiba |
![]() |
товар відсутній |
||
![]() |
TK10A60W,S4VX(M | Виробник : TOSHIBA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.7A; 30W; SC67 Mounting: THT Kind of package: tube Power dissipation: 30W Polarisation: unipolar Case: SC67 Gate charge: 20nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V Drain-source voltage: 600V Drain current: 9.7A On-state resistance: 327mΩ Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|
![]() |
TK10A60W,S4VX(M | Виробник : TOSHIBA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.7A; 30W; SC67 Mounting: THT Kind of package: tube Power dissipation: 30W Polarisation: unipolar Case: SC67 Gate charge: 20nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V Drain-source voltage: 600V Drain current: 9.7A On-state resistance: 327mΩ Type of transistor: N-MOSFET |
товар відсутній |