TK10E60W,S1VX(S TOSHIBA
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK10E60W,S1VX(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9.7 A, 0.327 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.327ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
Description: TOSHIBA - TK10E60W,S1VX(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9.7 A, 0.327 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.327ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
на замовлення 1103 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 246.79 грн |
| 10+ | 186.87 грн |
| 100+ | 152.96 грн |
| 500+ | 127.39 грн |
| 1000+ | 94.62 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TK10E60W,S1VX(S TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK10E60W,S1VX(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9.7 A, 0.327 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 9.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 100W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.327ohm, SVHC: Boric acid (14-Jun-2023).
Інші пропозиції TK10E60W,S1VX(S
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
TK10E60W,S1VX(S | Виробник : Toshiba |
 Trans MOSFET N-CH Si 600V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220 |
на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
 |
TK10E60W,S1VX(S | Виробник : Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 600V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220 |
товар відсутній |
|
 |
TK10E60W,S1VX(S | Виробник : TOSHIBA |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.7A; 100W; TO220 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 9.7A Power dissipation: 100W Case: TO220 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.38Ω Mounting: THT Gate charge: 20nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|
|
|
TK10E60W,S1VX(S | Виробник : TOSHIBA |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.7A; 100W; TO220 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 9.7A Power dissipation: 100W Case: TO220 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.38Ω Mounting: THT Gate charge: 20nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |