Технічний опис TK6A50D(STA4,Q,M) Toshiba
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6A; Idm: 24A; 35W; TO220FP, Mounting: THT, Kind of package: tube, Drain current: 6A, Kind of channel: enhanced, Drain-source voltage: 500V, Type of transistor: N-MOSFET, Gate-source voltage: ±30V, Case: TO220FP, On-state resistance: 1.2Ω, Pulsed drain current: 24A, Power dissipation: 35W, Gate charge: 11nC, Polarisation: unipolar, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції TK6A50D(STA4,Q,M)
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
TK6A50D(STA4,Q,M) | Виробник : TOSHIBA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6A; Idm: 24A; 35W; TO220FP Mounting: THT Kind of package: tube Drain current: 6A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 500V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±30V Case: TO220FP On-state resistance: 1.2Ω Pulsed drain current: 24A Power dissipation: 35W Gate charge: 11nC Polarisation: unipolar кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|
![]() |
TK6A50D(STA4,Q,M) | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
![]() |
товар відсутній |
|
![]() |
TK6A50D(STA4,Q,M) | Виробник : Toshiba |
![]() |
товар відсутній |
|
![]() |
TK6A50D(STA4,Q,M) | Виробник : TOSHIBA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6A; Idm: 24A; 35W; TO220FP Mounting: THT Kind of package: tube Drain current: 6A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 500V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±30V Case: TO220FP On-state resistance: 1.2Ω Pulsed drain current: 24A Power dissipation: 35W Gate charge: 11nC Polarisation: unipolar |
товар відсутній |