Продукція > ONSEMI > Всі товари виробника ONSEMI (139432) > Сторінка 1632 з 2324

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 232 464 696 928 1160 1392 1624 1627 1628 1629 1630 1631 1632 1633 1634 1635 1636 1637 1856 2088 2320 2324  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
FDC640P FDC640P ONSEMI FDC640P.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.5A; 1.6W; SuperSOT-6
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.5A
Power dissipation: 1.6W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDC6420C FDC6420C ONSEMI FDC6420C.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 3/-2.2A
Power dissipation: 0.9W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 70/125mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDC642P ONSEMI fdc642p-d.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4A; 1.2W; SuperSOT-6
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4A
Power dissipation: 1.2W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.105Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDC645N FDC645N ONSEMI ONSM-S-A0003586841-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5.5A; 1.6W; SuperSOT-6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5.5A
Power dissipation: 1.6W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 48mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1668 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+42.5 грн
25+ 32.3 грн
42+ 24.11 грн
115+ 22.79 грн
Мінімальне замовлення: 7
FDC653N FDC653N ONSEMI FDC653N.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5A; 1.6W; SuperSOT-6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5A
Power dissipation: 1.6W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 56mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1959 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+45.03 грн
25+ 32.48 грн
41+ 25.05 грн
113+ 23.69 грн
Мінімальне замовлення: 7
FDC654P ONSEMI fdc654p-d.pdf FAIRS25220-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.6A; 1.6W; SuperSOT-6
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.6A
Power dissipation: 1.6W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.115Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDC655BN FDC655BN ONSEMI FDC655BN.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 6.3A; 1.6W; SuperSOT-6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 6.3A
Power dissipation: 1.6W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDC6561AN FDC6561AN ONSEMI FDC6561AN.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 2.5A; 0.96W; SuperSOT-6
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.5A
On-state resistance: 152mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 0.96W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 3.2nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: SuperSOT-6
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2615 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+51.6 грн
10+ 41.34 грн
50+ 20.56 грн
137+ 19.51 грн
1000+ 18.73 грн
Мінімальне замовлення: 6
FDC658AP FDC658AP ONSEMI FDC658AP.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -4A; 1.6W; SuperSOT-6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -30V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±25V
Case: SuperSOT-6
On-state resistance: 75mΩ
Power dissipation: 1.6W
Gate charge: 8.1nC
Polarisation: unipolar
Technology: PowerTrench®
Features of semiconductor devices: logic level
Drain current: -4A
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDC658P FDC658P ONSEMI FDC658P.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -4A; 1.6W; SuperSOT-6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -30V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: SuperSOT-6
On-state resistance: 80mΩ
Power dissipation: 1.6W
Gate charge: 12nC
Polarisation: unipolar
Technology: PowerTrench®
Drain current: -4A
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDC855N ONSEMI fdc855n-d.pdf FAIRS25772-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 6.1A; Idm: 20A; 1.6W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 6.1A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 1.6W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 39.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDC8601 ONSEMI fdc8601-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2.7A; 1.6W; SuperSOT-6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 1.6W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 183mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDC8602 ONSEMI fdc8602-d.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 1.2A; Idm: 5A; 960mW
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.2A
Pulsed drain current: 5A
Power dissipation: 0.96W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDC86244 ONSEMI fdc86244-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 2.3A; Idm: 10A; 1.6W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 2.3A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 1.6W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 273mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDC8878 ONSEMI fdc8878-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 8A; 1.6W; SuperSOT-6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 8A
Power dissipation: 1.6W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 21mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDC8886 ONSEMI fdc8886-d.pdf FAIR-S-A0002365754-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 6.5A; Idm: 25A; 1.6W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 6.5A
Pulsed drain current: 25A
Power dissipation: 1.6W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDD10AN06A0 FDD10AN06A0 ONSEMI FDD10AN06A0.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 135W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Power dissipation: 135W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 27mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1834 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+155.73 грн
5+ 129.36 грн
10+ 104.54 грн
27+ 99.31 грн
500+ 94.95 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDD10N20LZTM FDD10N20LZTM ONSEMI ONSM-S-A0003586474-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 4.5A; Idm: 30A; 83W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 4.5A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 83W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDD120AN15A0 FDD120AN15A0 ONSEMI FDD120AN15A0.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 14A; 65W; DPAK
Power dissipation: 65W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 14.5nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: DPAK
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 14A
On-state resistance: 282mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1841 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+85.37 грн
5+ 57.17 грн
25+ 44.17 грн
27+ 38.33 грн
74+ 36.24 грн
Мінімальне замовлення: 4
FDD13AN06A0 FDD13AN06A0 ONSEMI FDD13AN06A0.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 115W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Power dissipation: 115W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 34mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2760 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+119.15 грн
5+ 103.13 грн
12+ 90.6 грн
25+ 89.73 грн
31+ 85.37 грн
100+ 84.5 грн
500+ 81.89 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDD14AN06LA0-F085 FDD14AN06LA0-F085 ONSEMI fdd14an06l_f085-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 125W; DPAK
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
On-state resistance: 33mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 125W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 32nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: DPAK
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDD16AN08A0 ONSEMI FAIRS45904-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FDD16AN08A0 SMD N channel transistors
на замовлення 2440 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+137.91 грн
11+ 93.21 грн
30+ 87.99 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDD2572 FDD2572 ONSEMI FDD2572.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 4A; 135W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 4A
Power dissipation: 135W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 146mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 3.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDD2582 FDD2582 ONSEMI FDD2582.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 21A; 95W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 21A
Power dissipation: 95W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 172mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDD2670 FDD2670 ONSEMI fdd2670-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 3.6A; Idm: 20A; 70W; DPAK
Mounting: SMD
Case: DPAK
Power dissipation: 70W
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 3.6A
On-state resistance: 275mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 43nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 20A
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDD306P FDD306P ONSEMI FDD306P.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -6.7A; 52W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -6.7A
Power dissipation: 52W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 786 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+93.82 грн
5+ 60.97 грн
24+ 42.69 грн
65+ 40.94 грн
500+ 40.6 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDD3672 FDD3672 ONSEMI FDD3672.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 44A; 135W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UltraFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 44A
Power dissipation: 135W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3180 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+121.96 грн
5+ 106.75 грн
14+ 76.66 грн
36+ 72.3 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDD3682 FDD3682 ONSEMI FDD3682.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 32A; 95W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 32A
Power dissipation: 95W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 28nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDD3860 FDD3860 ONSEMI fdd3860-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 6.2A; Idm: 60A; 83W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 6.2A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 83W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 64mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 31nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1830 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+81.62 грн
5+ 71.47 грн
19+ 55.33 грн
50+ 52.3 грн
500+ 50.53 грн
Мінімальне замовлення: 4
FDD3N40TM FDD3N40TM ONSEMI FAIRS46517-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 1.25A; 30W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 1.25A
Power dissipation: 30W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.4Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDD3N50NZTM FDD3N50NZTM ONSEMI FDD3N50NZ.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.5A; 40W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 2.5A
Power dissipation: 40W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDD4141 FDD4141 ONSEMI FDD4141.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -10.8A; 69W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -10.8A
Power dissipation: 69W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDD4243 FDD4243 ONSEMI FDD4243.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -14A; 42W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -14A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 69mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1285 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+61.92 грн
25+ 51.84 грн
29+ 34.76 грн
80+ 32.84 грн
Мінімальне замовлення: 5
FDD4685 FDD4685 ONSEMI FDD4685.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -32A; 69W; DPAK
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -32A
On-state resistance: 42mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 69W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 27nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: DPAK
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2265 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+157.61 грн
5+ 87.75 грн
16+ 64.74 грн
43+ 61.21 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDD5353 FDD5353 ONSEMI FDD5353.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 69W; DPAK
Power dissipation: 69W
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Case: DPAK
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
On-state resistance: 20.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 65nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2365 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+93.82 грн
5+ 80.51 грн
16+ 67.08 грн
42+ 63.59 грн
500+ 60.98 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDD5680 ONSEMI fdd5680-d.pdf FDD5680 SMD N channel transistors
товар відсутній
FDD5690 ONSEMI FAIR-S-A0002365562-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FDD5690 SMD N channel transistors
на замовлення 447 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+131.34 грн
17+ 60.11 грн
47+ 56.62 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDD5N50FTM-WS ONSEMI fdd5n50f-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.1A; Idm: 14A; 40W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: DMOS; UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 2.1A
Pulsed drain current: 14A
Power dissipation: 40W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.55Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDD5N60NZTM FDD5N60NZTM ONSEMI fdd5n60nz-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.4A; 83W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.4A
Power dissipation: 83W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2495 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+71.3 грн
5+ 60.97 грн
22+ 47.04 грн
60+ 44.43 грн
500+ 43.99 грн
Мінімальне замовлення: 4
FDD6637 FDD6637 ONSEMI FDD6637.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -35V; -55A; 57W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -35V
Drain current: -55A
Power dissipation: 57W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 19mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 590 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+124.77 грн
5+ 98.61 грн
14+ 73.18 грн
39+ 69.69 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDD6670A ONSEMI FAIR-S-A0002365542-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 60A; 63W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 60A
Power dissipation: 63W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDD6680AS FDD6680AS ONSEMI FAIR-S-A0002365622-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 55A; Idm: 100A; 60W; DPAK
Case: DPAK
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 55A
On-state resistance: 16mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 60W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 29nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 100A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDD6685 ONSEMI FAIR-S-A0002365599-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -40A; 52W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -40A
Power dissipation: 52W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDD6N20TM ONSEMI fdd6n20tm-d.pdf FDD6N20TM SMD N channel transistors
товар відсутній
FDD6N50TM ONSEMI FAIRS46283-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 3.8A; Idm: 24A; 89W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: DMOS; UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 3.8A
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 89W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 16.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDD770N15A FDD770N15A ONSEMI fdd770n15a-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 18A; 56.8W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 18A
Power dissipation: 56.8W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 77mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 197 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+87.25 грн
5+ 61.88 грн
21+ 49.31 грн
57+ 46.61 грн
500+ 44.86 грн
Мінімальне замовлення: 4
FDD7N20TM ONSEMI fdd7n20tm-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 3A; 43W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 3A
Power dissipation: 43W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.69Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDD7N25LZTM ONSEMI fdd7n25lz-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 3.7A; 56W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 3.7A
Power dissipation: 56W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDD8445 FDD8445 ONSEMI FDD8445.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 70A; 79W; DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Case: DPAK
Gate charge: 7.6nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 70A
On-state resistance: 16.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 79W
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1888 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+83.5 грн
5+ 72.37 грн
18+ 56.62 грн
50+ 54.01 грн
500+ 51.4 грн
Мінімальне замовлення: 4
FDD8447L FDD8447L ONSEMI FDD8447L.pdf description Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 50A; 44W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 50A
Power dissipation: 44W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 52nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 792 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+79.74 грн
5+ 69.66 грн
19+ 54.01 грн
52+ 51.4 грн
500+ 49.66 грн
Мінімальне замовлення: 4
FDD8451 FDD8451 ONSEMI FAIR-S-A0002365550-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw fdd8451-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 28A; 30W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 28A
Power dissipation: 30W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 41mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2296 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+85.37 грн
5+ 56.63 грн
24+ 44.43 грн
64+ 41.81 грн
500+ 40.6 грн
Мінімальне замовлення: 4
FDD850N10L FDD850N10L ONSEMI fdd850n10l-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 11.1A; 50W; DPAK
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 11.1A
On-state resistance: 75mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 50W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: DPAK
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2427 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+91.94 грн
5+ 67.85 грн
20+ 50.53 грн
55+ 47.91 грн
Мінімальне замовлення: 4
FDD86102LZ FDD86102LZ ONSEMI FDD86102LZ.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 35A; 54W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 35A
Power dissipation: 54W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 26nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1657 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+115.39 грн
5+ 98.61 грн
14+ 73.18 грн
39+ 68.82 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDD86110 ONSEMI fdd86110-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 50A; 127W; DPAK
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 50A
On-state resistance: 10.2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 127W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: DPAK
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDD86250 FDD86250 ONSEMI fdd86250-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 27A; Idm: 164A; 132W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 27A
Pulsed drain current: 164A
Power dissipation: 132W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 33nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2489 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+168.87 грн
5+ 145.65 грн
10+ 108.02 грн
27+ 101.92 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDD86252 ONSEMI fdd86252-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 27A; 89W; DPAK
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 89W
Polarisation: unipolar
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: DPAK
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 27A
On-state resistance: 103mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDD86367 FDD86367 ONSEMI fdd86367-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; 227W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 100A
Power dissipation: 227W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 88nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2004 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+152.92 грн
5+ 132.98 грн
10+ 102.79 грн
28+ 97.57 грн
500+ 94.08 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDD8647L FDD8647L ONSEMI FDD8647L.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 42A; 43W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 42A
Power dissipation: 43W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 167 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+105.07 грн
5+ 79.61 грн
18+ 58.37 грн
48+ 55.75 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDD86540 FDD86540 ONSEMI fdd86540-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 86A; Idm: 240A; 127W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 86A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 127W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 90nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 2500 шт
товар відсутній
FDD86567-F085 FDD86567-F085 ONSEMI fdd86567_f085-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 227W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 227W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 82nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDC640P FDC640P.pdf
FDC640P
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.5A; 1.6W; SuperSOT-6
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.5A
Power dissipation: 1.6W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDC6420C FDC6420C.pdf
FDC6420C
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 3/-2.2A
Power dissipation: 0.9W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 70/125mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDC642P fdc642p-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4A; 1.2W; SuperSOT-6
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4A
Power dissipation: 1.2W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.105Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDC645N ONSM-S-A0003586841-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FDC645N
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5.5A; 1.6W; SuperSOT-6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5.5A
Power dissipation: 1.6W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 48mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1668 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+42.5 грн
25+ 32.3 грн
42+ 24.11 грн
115+ 22.79 грн
Мінімальне замовлення: 7
FDC653N FDC653N.pdf
FDC653N
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5A; 1.6W; SuperSOT-6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5A
Power dissipation: 1.6W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 56mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1959 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+45.03 грн
25+ 32.48 грн
41+ 25.05 грн
113+ 23.69 грн
Мінімальне замовлення: 7
FDC654P fdc654p-d.pdf FAIRS25220-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.6A; 1.6W; SuperSOT-6
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.6A
Power dissipation: 1.6W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.115Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDC655BN FDC655BN.pdf
FDC655BN
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 6.3A; 1.6W; SuperSOT-6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 6.3A
Power dissipation: 1.6W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDC6561AN FDC6561AN.pdf
FDC6561AN
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 2.5A; 0.96W; SuperSOT-6
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.5A
On-state resistance: 152mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 0.96W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 3.2nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: SuperSOT-6
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2615 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+51.6 грн
10+ 41.34 грн
50+ 20.56 грн
137+ 19.51 грн
1000+ 18.73 грн
Мінімальне замовлення: 6
FDC658AP FDC658AP.pdf
FDC658AP
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -4A; 1.6W; SuperSOT-6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -30V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±25V
Case: SuperSOT-6
On-state resistance: 75mΩ
Power dissipation: 1.6W
Gate charge: 8.1nC
Polarisation: unipolar
Technology: PowerTrench®
Features of semiconductor devices: logic level
Drain current: -4A
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDC658P FDC658P.pdf
FDC658P
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -4A; 1.6W; SuperSOT-6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -30V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: SuperSOT-6
On-state resistance: 80mΩ
Power dissipation: 1.6W
Gate charge: 12nC
Polarisation: unipolar
Technology: PowerTrench®
Drain current: -4A
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDC855N fdc855n-d.pdf FAIRS25772-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 6.1A; Idm: 20A; 1.6W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 6.1A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 1.6W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 39.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDC8601 fdc8601-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2.7A; 1.6W; SuperSOT-6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 1.6W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 183mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDC8602 fdc8602-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 1.2A; Idm: 5A; 960mW
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.2A
Pulsed drain current: 5A
Power dissipation: 0.96W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDC86244 fdc86244-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 2.3A; Idm: 10A; 1.6W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 2.3A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 1.6W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 273mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDC8878 fdc8878-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 8A; 1.6W; SuperSOT-6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 8A
Power dissipation: 1.6W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 21mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDC8886 fdc8886-d.pdf FAIR-S-A0002365754-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 6.5A; Idm: 25A; 1.6W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 6.5A
Pulsed drain current: 25A
Power dissipation: 1.6W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDD10AN06A0 FDD10AN06A0.pdf
FDD10AN06A0
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 135W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Power dissipation: 135W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 27mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1834 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+155.73 грн
5+ 129.36 грн
10+ 104.54 грн
27+ 99.31 грн
500+ 94.95 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDD10N20LZTM ONSM-S-A0003586474-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FDD10N20LZTM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 4.5A; Idm: 30A; 83W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 4.5A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 83W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDD120AN15A0 FDD120AN15A0.pdf
FDD120AN15A0
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 14A; 65W; DPAK
Power dissipation: 65W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 14.5nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: DPAK
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 14A
On-state resistance: 282mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1841 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+85.37 грн
5+ 57.17 грн
25+ 44.17 грн
27+ 38.33 грн
74+ 36.24 грн
Мінімальне замовлення: 4
FDD13AN06A0 FDD13AN06A0.pdf
FDD13AN06A0
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 115W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Power dissipation: 115W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 34mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2760 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+119.15 грн
5+ 103.13 грн
12+ 90.6 грн
25+ 89.73 грн
31+ 85.37 грн
100+ 84.5 грн
500+ 81.89 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDD14AN06LA0-F085 fdd14an06l_f085-d.pdf
FDD14AN06LA0-F085
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 125W; DPAK
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
On-state resistance: 33mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 125W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 32nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: DPAK
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDD16AN08A0 FAIRS45904-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ONSEMI
FDD16AN08A0 SMD N channel transistors
на замовлення 2440 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+137.91 грн
11+ 93.21 грн
30+ 87.99 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDD2572 FDD2572.pdf
FDD2572
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 4A; 135W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 4A
Power dissipation: 135W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 146mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 3.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDD2582 FDD2582.pdf
FDD2582
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 21A; 95W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 21A
Power dissipation: 95W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 172mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDD2670 fdd2670-d.pdf
FDD2670
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 3.6A; Idm: 20A; 70W; DPAK
Mounting: SMD
Case: DPAK
Power dissipation: 70W
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 3.6A
On-state resistance: 275mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 43nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 20A
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDD306P FDD306P.pdf
FDD306P
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -6.7A; 52W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -6.7A
Power dissipation: 52W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 786 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+93.82 грн
5+ 60.97 грн
24+ 42.69 грн
65+ 40.94 грн
500+ 40.6 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDD3672 FDD3672.pdf
FDD3672
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 44A; 135W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UltraFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 44A
Power dissipation: 135W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3180 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+121.96 грн
5+ 106.75 грн
14+ 76.66 грн
36+ 72.3 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDD3682 FDD3682.pdf
FDD3682
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 32A; 95W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 32A
Power dissipation: 95W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 28nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDD3860 fdd3860-d.pdf
FDD3860
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 6.2A; Idm: 60A; 83W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 6.2A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 83W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 64mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 31nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1830 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+81.62 грн
5+ 71.47 грн
19+ 55.33 грн
50+ 52.3 грн
500+ 50.53 грн
Мінімальне замовлення: 4
FDD3N40TM FAIRS46517-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FDD3N40TM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 1.25A; 30W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 1.25A
Power dissipation: 30W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.4Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDD3N50NZTM FDD3N50NZ.pdf
FDD3N50NZTM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.5A; 40W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 2.5A
Power dissipation: 40W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDD4141 FDD4141.pdf
FDD4141
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -10.8A; 69W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -10.8A
Power dissipation: 69W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDD4243 FDD4243.pdf
FDD4243
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -14A; 42W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -14A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 69mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1285 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+61.92 грн
25+ 51.84 грн
29+ 34.76 грн
80+ 32.84 грн
Мінімальне замовлення: 5
FDD4685 FDD4685.pdf
FDD4685
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -32A; 69W; DPAK
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -32A
On-state resistance: 42mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 69W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 27nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: DPAK
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2265 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+157.61 грн
5+ 87.75 грн
16+ 64.74 грн
43+ 61.21 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDD5353 FDD5353.pdf
FDD5353
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 69W; DPAK
Power dissipation: 69W
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Case: DPAK
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
On-state resistance: 20.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 65nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2365 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+93.82 грн
5+ 80.51 грн
16+ 67.08 грн
42+ 63.59 грн
500+ 60.98 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDD5680 fdd5680-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDD5680 SMD N channel transistors
товар відсутній
FDD5690 FAIR-S-A0002365562-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ONSEMI
FDD5690 SMD N channel transistors
на замовлення 447 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+131.34 грн
17+ 60.11 грн
47+ 56.62 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDD5N50FTM-WS fdd5n50f-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.1A; Idm: 14A; 40W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: DMOS; UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 2.1A
Pulsed drain current: 14A
Power dissipation: 40W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.55Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDD5N60NZTM fdd5n60nz-d.pdf
FDD5N60NZTM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.4A; 83W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.4A
Power dissipation: 83W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2495 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+71.3 грн
5+ 60.97 грн
22+ 47.04 грн
60+ 44.43 грн
500+ 43.99 грн
Мінімальне замовлення: 4
FDD6637 FDD6637.pdf
FDD6637
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -35V; -55A; 57W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -35V
Drain current: -55A
Power dissipation: 57W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 19mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 590 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+124.77 грн
5+ 98.61 грн
14+ 73.18 грн
39+ 69.69 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDD6670A FAIR-S-A0002365542-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 60A; 63W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 60A
Power dissipation: 63W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDD6680AS FAIR-S-A0002365622-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FDD6680AS
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 55A; Idm: 100A; 60W; DPAK
Case: DPAK
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 55A
On-state resistance: 16mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 60W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 29nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 100A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDD6685 FAIR-S-A0002365599-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -40A; 52W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -40A
Power dissipation: 52W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDD6N20TM fdd6n20tm-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDD6N20TM SMD N channel transistors
товар відсутній
FDD6N50TM FAIRS46283-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 3.8A; Idm: 24A; 89W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: DMOS; UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 3.8A
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 89W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 16.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDD770N15A fdd770n15a-d.pdf
FDD770N15A
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 18A; 56.8W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 18A
Power dissipation: 56.8W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 77mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 197 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+87.25 грн
5+ 61.88 грн
21+ 49.31 грн
57+ 46.61 грн
500+ 44.86 грн
Мінімальне замовлення: 4
FDD7N20TM fdd7n20tm-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 3A; 43W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 3A
Power dissipation: 43W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.69Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDD7N25LZTM fdd7n25lz-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 3.7A; 56W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 3.7A
Power dissipation: 56W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDD8445 FDD8445.pdf
FDD8445
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 70A; 79W; DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Case: DPAK
Gate charge: 7.6nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 70A
On-state resistance: 16.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 79W
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1888 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+83.5 грн
5+ 72.37 грн
18+ 56.62 грн
50+ 54.01 грн
500+ 51.4 грн
Мінімальне замовлення: 4
FDD8447L description FDD8447L.pdf
FDD8447L
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 50A; 44W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 50A
Power dissipation: 44W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 52nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 792 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+79.74 грн
5+ 69.66 грн
19+ 54.01 грн
52+ 51.4 грн
500+ 49.66 грн
Мінімальне замовлення: 4
FDD8451 FAIR-S-A0002365550-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw fdd8451-d.pdf
FDD8451
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 28A; 30W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 28A
Power dissipation: 30W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 41mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2296 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+85.37 грн
5+ 56.63 грн
24+ 44.43 грн
64+ 41.81 грн
500+ 40.6 грн
Мінімальне замовлення: 4
FDD850N10L fdd850n10l-d.pdf
FDD850N10L
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 11.1A; 50W; DPAK
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 11.1A
On-state resistance: 75mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 50W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: DPAK
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2427 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+91.94 грн
5+ 67.85 грн
20+ 50.53 грн
55+ 47.91 грн
Мінімальне замовлення: 4
FDD86102LZ FDD86102LZ.pdf
FDD86102LZ
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 35A; 54W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 35A
Power dissipation: 54W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 26nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1657 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+115.39 грн
5+ 98.61 грн
14+ 73.18 грн
39+ 68.82 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDD86110 fdd86110-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 50A; 127W; DPAK
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 50A
On-state resistance: 10.2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 127W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: DPAK
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDD86250 fdd86250-d.pdf
FDD86250
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 27A; Idm: 164A; 132W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 27A
Pulsed drain current: 164A
Power dissipation: 132W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 33nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2489 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+168.87 грн
5+ 145.65 грн
10+ 108.02 грн
27+ 101.92 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDD86252 fdd86252-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 27A; 89W; DPAK
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 89W
Polarisation: unipolar
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: DPAK
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 27A
On-state resistance: 103mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDD86367 fdd86367-d.pdf
FDD86367
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; 227W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 100A
Power dissipation: 227W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 88nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2004 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+152.92 грн
5+ 132.98 грн
10+ 102.79 грн
28+ 97.57 грн
500+ 94.08 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDD8647L FDD8647L.pdf
FDD8647L
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 42A; 43W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 42A
Power dissipation: 43W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 167 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+105.07 грн
5+ 79.61 грн
18+ 58.37 грн
48+ 55.75 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDD86540 fdd86540-d.pdf
FDD86540
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 86A; Idm: 240A; 127W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 86A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 127W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 90nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 2500 шт
товар відсутній
FDD86567-F085 fdd86567_f085-d.pdf
FDD86567-F085
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 227W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 227W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 82nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 232 464 696 928 1160 1392 1624 1627 1628 1629 1630 1631 1632 1633 1634 1635 1636 1637 1856 2088 2320 2324  [ Наступна Сторінка >> ]