Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FDD850N10L
FDD850N10L

FDD850N10L ON Semiconductor

fdd850n10l.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 15.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+32.28 грн
Мінімальне замовлення: 2500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDD850N10L ON Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 100V 15.7A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.7A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 12A, 10V, Power Dissipation (Max): 50W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.9 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1465 pF @ 25 V.

Інші пропозиції FDD850N10L за ціною від 28.71 грн до 91.94 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FDD850N10L FDD850N10L Виробник : onsemi fdd850n10l-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 15.7A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1465 pF @ 25 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+32.43 грн
5000+ 29.74 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FDD850N10L FDD850N10L Виробник : ON Semiconductor fdd850n10l.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 15.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+34.34 грн
5000+ 32.85 грн
10000+ 31.07 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FDD850N10L FDD850N10L Виробник : ON Semiconductor fdd850n10l.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 15.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+63.09 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FDD850N10L FDD850N10L Виробник : onsemi / Fairchild FDD850N10L_D-2312289.pdf MOSFET 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 3095 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+71.06 грн
10+ 59.71 грн
100+ 43.35 грн
500+ 38.82 грн
1000+ 32.06 грн
2500+ 29.27 грн
5000+ 28.71 грн
Мінімальне замовлення: 5
FDD850N10L FDD850N10L Виробник : ONSEMI fdd850n10l-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 11.1A; 50W; DPAK
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 11.1A
On-state resistance: 75mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 50W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: DPAK
на замовлення 2427 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+76.62 грн
7+ 54.45 грн
20+ 42.11 грн
55+ 39.93 грн
Мінімальне замовлення: 6
FDD850N10L FDD850N10L Виробник : onsemi fdd850n10l-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 15.7A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1465 pF @ 25 V
на замовлення 8769 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+78.4 грн
10+ 61.78 грн
100+ 48.04 грн
500+ 38.22 грн
1000+ 31.13 грн
Мінімальне замовлення: 4
FDD850N10L FDD850N10L Виробник : ONSEMI fdd850n10l-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 11.1A; 50W; DPAK
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 11.1A
On-state resistance: 75mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 50W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: DPAK
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2427 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+91.94 грн
5+ 67.85 грн
20+ 50.53 грн
55+ 47.91 грн
Мінімальне замовлення: 4
FDD850N10L FDD850N10L Виробник : ON Semiconductor fdd850n10l.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 15.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній