Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FDD7N25LZTM
FDD7N25LZTM

FDD7N25LZTM ON Semiconductor

3674810391210040fdd7n25lz.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 250V 6.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+22.55 грн
Мінімальне замовлення: 2500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDD7N25LZTM ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDD7N25LZTM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 6.2 A, 0.43 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 250V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 6.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 56W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 56W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: UniFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.43ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.43ohm, SVHC: Lead (14-Jun-2023).

Інші пропозиції FDD7N25LZTM за ціною від 21.48 грн до 74.64 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FDD7N25LZTM FDD7N25LZTM Виробник : onsemi fdd7n25lz-d.pdf Description: MOSFET N-CH 250V 6.2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 635 pF @ 25 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+23.55 грн
5000+ 21.48 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FDD7N25LZTM FDD7N25LZTM Виробник : ONSEMI 2859348.pdf Description: ONSEMI - FDD7N25LZTM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 6.2 A, 0.43 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 56W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 56W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: UniFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.43ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.43ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 4785 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+38.99 грн
500+ 30.34 грн
Мінімальне замовлення: 100
FDD7N25LZTM FDD7N25LZTM Виробник : onsemi fdd7n25lz-d.pdf Description: MOSFET N-CH 250V 6.2A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 635 pF @ 25 V
на замовлення 11605 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+62.42 грн
10+ 51.71 грн
100+ 35.8 грн
500+ 28.08 грн
1000+ 23.9 грн
Мінімальне замовлення: 5
FDD7N25LZTM FDD7N25LZTM Виробник : onsemi / Fairchild FDD7N25LZ_D-2312164.pdf MOSFET 250V N-Channel MOSFET, UniFET
на замовлення 27475 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+67.89 грн
10+ 57.72 грн
100+ 34.76 грн
500+ 29.13 грн
1000+ 24.75 грн
2500+ 21.97 грн
5000+ 21.83 грн
Мінімальне замовлення: 5
FDD7N25LZTM FDD7N25LZTM Виробник : ONSEMI 2859348.pdf Description: ONSEMI - FDD7N25LZTM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 6.2 A, 0.43 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 56W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: UniFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.43ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 4785 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+74.64 грн
13+ 61.22 грн
100+ 38.99 грн
500+ 30.34 грн
Мінімальне замовлення: 11
FDD7N25LZTM Виробник : ON-Semicoductor fdd7n25lz-d.pdf N-MOSFET 6.2A 250V 550mOhm FDD7N25LZTM TFDD7n25lztm
кількість в упаковці: 15 шт
на замовлення 15 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
15+41.51 грн
Мінімальне замовлення: 15
FDD7N25LZTM Виробник : ONSEMI FAIR-S-A0002365744-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - FDD7N25LZTM - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 199 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FDD7N25LZTM
Код товару: 194274 		fdd7n25lz-d.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
FDD7N25LZTM FDD7N25LZTM Виробник : ON Semiconductor 3674810391210040fdd7n25lz.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 6.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
FDD7N25LZTM Виробник : ONSEMI fdd7n25lz-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 3.7A; 56W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 3.7A
Power dissipation: 56W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDD7N25LZTM Виробник : ONSEMI fdd7n25lz-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 3.7A; 56W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 3.7A
Power dissipation: 56W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній