Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FDC8602
FDC8602

FDC8602 ON Semiconductor

fdc8602-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 1.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+42.93 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDC8602 ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDC8602 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 1.2 A, 1.2 A, 0.285 ohm, tariffCode: 85412100, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.2A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.285ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 960mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SuperSOT, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: PowerTrench Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.285ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 960mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції FDC8602 за ціною від 37.98 грн до 124.31 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FDC8602 FDC8602 Виробник : onsemi fdc8602-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 100V 1.2A SSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 690mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 70pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 1.2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+43.61 грн
6000+ 40 грн
9000+ 38.15 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDC8602 FDC8602 Виробник : ON Semiconductor fdc8602-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 1.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+45.17 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDC8602 FDC8602 Виробник : ON Semiconductor fdc8602-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 1.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+45.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDC8602 FDC8602 Виробник : ON Semiconductor fdc8602-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 1.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+48.15 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDC8602 FDC8602 Виробник : ON Semiconductor fdc8602-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 1.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+49.06 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDC8602 FDC8602 Виробник : ONSEMI 2608787.pdf Description: ONSEMI - FDC8602 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 1.2 A, 1.2 A, 0.285 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.285ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 960mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.285ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 960mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1609 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+68.02 грн
500+ 54.59 грн
Мінімальне замовлення: 100
FDC8602 FDC8602 Виробник : onsemi fdc8602-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 100V 1.2A SSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 690mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 70pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 1.2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
на замовлення 13993 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+105.54 грн
10+ 83.05 грн
100+ 64.61 грн
500+ 51.4 грн
1000+ 41.87 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDC8602 FDC8602 Виробник : onsemi / Fairchild FDC8602_D-2312132.pdf MOSFETs NCH DUAL COOL POWERTRENCH MOSFET
на замовлення 24446 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+113.83 грн
10+ 86.56 грн
100+ 60.63 грн
500+ 52.41 грн
1000+ 42.72 грн
3000+ 39.58 грн
6000+ 37.98 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDC8602 FDC8602 Виробник : ONSEMI 2608787.pdf Description: ONSEMI - FDC8602 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 1.2 A, 1.2 A, 0.285 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.285ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 960mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.285ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 960mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1609 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+124.31 грн
10+ 88.34 грн
100+ 68.02 грн
500+ 54.59 грн
Мінімальне замовлення: 7
FDC8602 FDC8602 Виробник : ON Semiconductor fdc8602-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 1.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
товар відсутній
FDC8602 Виробник : ONSEMI fdc8602-d.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 1.2A; Idm: 5A; 960mW
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.2A
Pulsed drain current: 5A
Power dissipation: 0.96W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDC8602 Виробник : ONSEMI fdc8602-d.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 1.2A; Idm: 5A; 960mW
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.2A
Pulsed drain current: 5A
Power dissipation: 0.96W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній