Продукція > ONSEMI > Всі товари виробника ONSEMI (139431) > Сторінка 1637 з 2324

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 232 464 696 928 1160 1392 1624 1632 1633 1634 1635 1636 1637 1638 1639 1640 1641 1642 1856 2088 2320 2324  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
FDMS86163P FDMS86163P ONSEMI FDMS86163P.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -50A; 104W; PQFN8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -50A
Power dissipation: 104W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 59nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDMS86181 ONSEMI fdms86181-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 78A; 125W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 78A
Power dissipation: 125W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDMS86182 ONSEMI fdms86182-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 49A; Idm: 364A; 83W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 49A
Pulsed drain current: 364A
Power dissipation: 83W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 19.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 37nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDMS86183 ONSEMI fdms86183-d.pdf FDMS86183 SMD N channel transistors
товар відсутній
FDMS86200 FDMS86200 ONSEMI FDMS86200.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 36A; 104W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 36A
Power dissipation: 104W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 34mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 46nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDMS86200DC FDMS86200DC ONSEMI fdms86200dc-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 40A; 125W; DFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: DFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDMS86201 ONSEMI fdms86201-d.pdf FDMS86201 SMD N channel transistors
товар відсутній
FDMS86202 ONSEMI fdms86202-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 64A; Idm: 240A; 156W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Case: Power56
On-state resistance: 13.2mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 156W
Gate charge: 64nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 64A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 120V
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDMS86202ET120 ONSEMI fdms86202et120-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 72A; Idm: 538A; 187W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Case: Power56
On-state resistance: 13.2mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 538A
Power dissipation: 187W
Gate charge: 64nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 72A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 120V
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDMS8622 ONSEMI fdms8622-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 16.5A; 31W; PQFN8
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 16.5A
On-state resistance: 97mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 31W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: PQFN8
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDMS86252 ONSEMI fdms86252-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 16A; 69W; PQFN8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 69W
Polarisation: unipolar
Drain current: 16A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 150V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: PQFN8
On-state resistance: 96mΩ
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDMS86252L ONSEMI fdms86252l-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 12A; 50W; PQFN8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 50W
Polarisation: unipolar
Drain current: 12A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 150V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: PQFN8
On-state resistance: 0.11Ω
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDMS86255ET150 ONSEMI fdms86255et150-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 44A; Idm: 276A; 136W; Power56
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 44A
On-state resistance: 25mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 136W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 63nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 276A
Mounting: SMD
Case: Power56
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDMS86263P ONSEMI fdms86263p-d.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -150V; -4.4A; Idm: -70A; 2.5W
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -150V
Drain current: -4.4A
On-state resistance: 64mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 2.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 63nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±25V
Pulsed drain current: -70A
Case: Power56
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDMS86300 FDMS86300 ONSEMI FDMS86300.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 122A; 104W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 122A
Power dissipation: 104W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 86nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
FDMS86300DC FDMS86300DC ONSEMI fdms86300dc-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 110A; 125W; DFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 110A
Power dissipation: 125W
Case: DFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDMS86310 ONSEMI fdms86310-d.pdf FDMS86310 SMD N channel transistors
товар відсутній
FDMS86320 ONSEMI fdms86320-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 44A; Idm: 160A; 69W; Power56
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 69W
Gate charge: 41nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 44A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 80V
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Case: Power56
On-state resistance: 19mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDMS86322 ONSEMI fdms86322-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 60A; Idm: 200A; 104W; Power56
Case: Power56
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 104W
Gate charge: 55nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 60A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 80V
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 14mΩ
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDMS86350 ONSEMI fdms86350-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 130A; 156W; PQFN8
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 130A
On-state resistance: 3.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 156W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: PQFN8
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
FDMS86350ET80 ONSEMI fdms86350et80-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 140A; 187W; PQFN8
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 140A
On-state resistance: 3.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 187W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: PQFN8
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDMS86500DC ONSEMI fdms86500dc-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 108A; Idm: 200A; 125W; Power56
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 125W
Gate charge: 107nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 108A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: Power56
On-state resistance: 3.7mΩ
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDMS86500L ONSEMI fdms86500l-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; Idm: 799A; 104W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 799A
Power dissipation: 104W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 165nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDMS86520 ONSEMI fdms86520-d.pdf FDMS86520 SMD N channel transistors
товар відсутній
FDMS86520L ONSEMI fdms86520l-d.pdf FDMS86520L SMD N channel transistors
товар відсутній
FDMS86540 ONSEMI fdms86540-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 82A; Idm: 642A; 96W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 82A
Pulsed drain current: 642A
Power dissipation: 96W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 90nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDMS86550 ONSEMI fdms86550-d.pdf FDMS86550 SMD N channel transistors
товар відсутній
FDMS86550ET60 ONSEMI fdms86550et60-d.pdf FDMS86550ET60 SMD N channel transistors
товар відсутній
FDMS8680 ONSEMI fdms8680-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 35A; Idm: 100A; 50W; Power56
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 35A
On-state resistance: 10.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 50W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Case: Power56
Gate charge: 26nC
Mounting: SMD
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 100A
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDMS8820 ONSEMI fdms8820-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 101A; Idm: 634A; 78W; Power56
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 78W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 88nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 634A
Mounting: SMD
Case: Power56
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 101A
On-state resistance: 2.8mΩ
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDMS8D8N15C ONSEMI fdms8d8n15c-d.pdf FDMS8D8N15C SMD N channel transistors
товар відсутній
FDMS9600S ONSEMI fdms9600s-d.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30/30V; 32/30A; Idm: 60A; 2.5W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/30V
Drain current: 32/30A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 2.5W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20/±20V
On-state resistance: 13/8.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13/29nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDMS9620S ONSEMI fdms9620s-d.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30/30V; 16/18A; Idm: 60A; 2.5W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/30V
Drain current: 16/18A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 2.5W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 32/22mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14/25nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDMT1D3N08B ONSEMI fdmt1d3n08b-d.pdf FDMT1D3N08B SMD N channel transistors
товар відсутній
FDMT800100DC ONSEMI fdmt800100dc-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 102A; Idm: 989A; 156W; DFNW8
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 102A
On-state resistance: 5.39mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 156W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 111nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 989A
Case: DFNW8
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDMT800120DC ONSEMI fdmt800120dc-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 81A; Idm: 767A; 156W; DFNW8
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 107nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 767A
Mounting: SMD
Case: DFNW8
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 81A
On-state resistance: 7.7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 156W
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDMT800150DC ONSEMI fdmt800150dc-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 62A; Idm: 561A; 156W; DFNW8
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 62A
On-state resistance: 13mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 156W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 108nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 561A
Case: DFNW8
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDMT800152DC ONSEMI FAIR-S-A0002366048-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 45A; Idm: 413A; 113W; DFNW8
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 45A
On-state resistance: 19mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 113W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 83nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 413A
Case: DFNW8
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDMT80040DC ONSEMI fdmt80040dc-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 265A; Idm: 2644A; 156W; DFNW8
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 265A
On-state resistance: 0.9mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 156W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 338nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 2644A
Case: DFNW8
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDMT80060DC ONSEMI fdmt80060dc-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 184A; Idm: 1825A; 156W; DFNW8
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 184A
On-state resistance: 1.7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 156W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 238nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 1825A
Case: DFNW8
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDMT80080DC ONSEMI fdmt80080dc-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 160A; Idm: 1453A; 156W; DFNW8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 160A
Pulsed drain current: 1453A
Power dissipation: 156W
Case: DFNW8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.22mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 273nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDN302P FDN302P ONSEMI FDN302P.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.4A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.4A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 84mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2688 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
15+19.7 грн
25+ 17.19 грн
80+ 12.82 грн
218+ 12.13 грн
Мінімальне замовлення: 15
FDN304P FDN304P ONSEMI FDN304P.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.4A; 0.5W; SOT23
Mounting: SMD
Case: SOT23
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 20nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.4A
On-state resistance: 0.1Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3540 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+43.16 грн
50+ 29.4 грн
51+ 19.95 грн
138+ 18.82 грн
500+ 18.64 грн
Мінімальне замовлення: 7
FDN304PZ FDN304PZ ONSEMI FDN304PZ.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.4A; 0.5W; SuperSOT-3
Mounting: SMD
Case: SuperSOT-3
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 20nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.4A
On-state resistance: 0.1Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+45.97 грн
25+ 30.22 грн
50+ 20.38 грн
135+ 19.25 грн
Мінімальне замовлення: 7
FDN306P FDN306P ONSEMI FDN306P.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -2.6A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -2.6A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3610 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
8+35.65 грн
11+ 26.6 грн
25+ 21.52 грн
65+ 15.51 грн
178+ 14.64 грн
1000+ 14.29 грн
3000+ 14.03 грн
Мінімальне замовлення: 8
FDN327N FDN327N ONSEMI FDN327N.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2240 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
15+19.7 грн
18+ 15.83 грн
25+ 13.76 грн
85+ 11.85 грн
233+ 11.15 грн
500+ 10.89 грн
1000+ 10.8 грн
Мінімальне замовлення: 15
FDN335N FDN335N ONSEMI FDN335N-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.7A; 500mW; SuperSOT-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1.7A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1707 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
9+33.02 грн
25+ 19.45 грн
72+ 14.24 грн
196+ 13.46 грн
Мінімальне замовлення: 9
FDN336P FDN336P ONSEMI FDN336P.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.3A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.3A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2533 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+43.16 грн
25+ 21.53 грн
72+ 14.37 грн
196+ 13.59 грн
Мінімальне замовлення: 7
FDN337N FDN337N ONSEMI FDN337N.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.2A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.2A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 5 шт
товар відсутній
FDN338P FDN338P ONSEMI FDN338P.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.6A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.6A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.165Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1420 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
9+33.4 грн
25+ 23.79 грн
64+ 15.94 грн
175+ 15.07 грн
Мінімальне замовлення: 9
FDN339AN FDN339AN ONSEMI FDN339AN-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 3A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 61mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5513 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+42.5 грн
25+ 24.43 грн
57+ 17.95 грн
157+ 16.99 грн
Мінімальне замовлення: 7
FDN340P FDN340P ONSEMI FDN340P.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2A; Idm: -10A; 0.5W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2A
Pulsed drain current: -10A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2605 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
8+35.65 грн
11+ 25.33 грн
25+ 18.64 грн
94+ 10.8 грн
259+ 10.19 грн
3000+ 9.84 грн
Мінімальне замовлення: 8
FDN352AP FDN352AP ONSEMI FDN352AP.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.3A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -1.3A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 4879 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
15+18.76 грн
25+ 16.28 грн
85+ 12.2 грн
230+ 11.5 грн
Мінімальне замовлення: 15
FDN357N FDN357N ONSEMI FDN357N.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.9A; 0.5W; SuperSOT-3
Mounting: SMD
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Case: SuperSOT-3
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 5.9nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 1.9A
On-state resistance: 0.14Ω
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2045 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
8+36.78 грн
25+ 30.22 грн
50+ 20.56 грн
137+ 19.43 грн
Мінімальне замовлення: 8
FDN358P FDN358P ONSEMI FDN358P.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.5A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -1.5A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1057 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
9+31.9 грн
13+ 21.26 грн
25+ 18.56 грн
66+ 15.33 грн
181+ 14.55 грн
1000+ 13.94 грн
Мінімальне замовлення: 9
FDN359AN FDN359AN ONSEMI FDN359AN.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.7A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 3035 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
15+22.89 грн
25+ 19.9 грн
70+ 14.64 грн
195+ 13.76 грн
Мінімальне замовлення: 15
FDN359BN ONSEMI fdn359bn-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.7A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5 шт
товар відсутній
FDN360P FDN360P ONSEMI FDN360P.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 136mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 4474 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
10+30.77 грн
25+ 19.9 грн
80+ 13.04 грн
215+ 12.34 грн
3000+ 12.2 грн
Мінімальне замовлення: 10
FDN537N FDN537N ONSEMI fdn537n-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 8A; Idm: 25A; 1.5W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 25A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2956 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+64.73 грн
7+ 42.52 грн
25+ 30.75 грн
40+ 25.52 грн
100+ 24.48 грн
110+ 24.13 грн
500+ 23.26 грн
Мінімальне замовлення: 5
FDN5630 FDN5630 ONSEMI FDN5630.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.7A; 0.5W; SuperSOT-3
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 1.7A
On-state resistance: 0.18Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 10nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: SuperSOT-3
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4575 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
8+35.65 грн
11+ 26.87 грн
83+ 12.28 грн
228+ 11.59 грн
Мінімальне замовлення: 8
FDMS86163P FDMS86163P.pdf
FDMS86163P
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -50A; 104W; PQFN8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -50A
Power dissipation: 104W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 59nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDMS86181 fdms86181-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 78A; 125W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 78A
Power dissipation: 125W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDMS86182 fdms86182-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 49A; Idm: 364A; 83W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 49A
Pulsed drain current: 364A
Power dissipation: 83W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 19.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 37nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDMS86183 fdms86183-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDMS86183 SMD N channel transistors
товар відсутній
FDMS86200 FDMS86200.pdf
FDMS86200
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 36A; 104W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 36A
Power dissipation: 104W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 34mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 46nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDMS86200DC fdms86200dc-d.pdf
FDMS86200DC
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 40A; 125W; DFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: DFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDMS86201 fdms86201-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDMS86201 SMD N channel transistors
товар відсутній
FDMS86202 fdms86202-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 64A; Idm: 240A; 156W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Case: Power56
On-state resistance: 13.2mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 156W
Gate charge: 64nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 64A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 120V
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDMS86202ET120 fdms86202et120-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 72A; Idm: 538A; 187W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Case: Power56
On-state resistance: 13.2mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 538A
Power dissipation: 187W
Gate charge: 64nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 72A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 120V
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDMS8622 fdms8622-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 16.5A; 31W; PQFN8
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 16.5A
On-state resistance: 97mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 31W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: PQFN8
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDMS86252 fdms86252-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 16A; 69W; PQFN8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 69W
Polarisation: unipolar
Drain current: 16A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 150V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: PQFN8
On-state resistance: 96mΩ
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDMS86252L fdms86252l-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 12A; 50W; PQFN8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 50W
Polarisation: unipolar
Drain current: 12A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 150V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: PQFN8
On-state resistance: 0.11Ω
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDMS86255ET150 fdms86255et150-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 44A; Idm: 276A; 136W; Power56
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 44A
On-state resistance: 25mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 136W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 63nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 276A
Mounting: SMD
Case: Power56
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDMS86263P fdms86263p-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -150V; -4.4A; Idm: -70A; 2.5W
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -150V
Drain current: -4.4A
On-state resistance: 64mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 2.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 63nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±25V
Pulsed drain current: -70A
Case: Power56
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDMS86300 FDMS86300.pdf
FDMS86300
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 122A; 104W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 122A
Power dissipation: 104W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 86nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
FDMS86300DC fdms86300dc-d.pdf
FDMS86300DC
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 110A; 125W; DFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 110A
Power dissipation: 125W
Case: DFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDMS86310 fdms86310-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDMS86310 SMD N channel transistors
товар відсутній
FDMS86320 fdms86320-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 44A; Idm: 160A; 69W; Power56
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 69W
Gate charge: 41nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 44A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 80V
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Case: Power56
On-state resistance: 19mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDMS86322 fdms86322-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 60A; Idm: 200A; 104W; Power56
Case: Power56
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 104W
Gate charge: 55nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 60A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 80V
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 14mΩ
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDMS86350 fdms86350-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 130A; 156W; PQFN8
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 130A
On-state resistance: 3.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 156W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: PQFN8
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
FDMS86350ET80 fdms86350et80-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 140A; 187W; PQFN8
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 140A
On-state resistance: 3.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 187W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: PQFN8
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDMS86500DC fdms86500dc-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 108A; Idm: 200A; 125W; Power56
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 125W
Gate charge: 107nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 108A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: Power56
On-state resistance: 3.7mΩ
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDMS86500L fdms86500l-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; Idm: 799A; 104W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 799A
Power dissipation: 104W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 165nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDMS86520 fdms86520-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDMS86520 SMD N channel transistors
товар відсутній
FDMS86520L fdms86520l-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDMS86520L SMD N channel transistors
товар відсутній
FDMS86540 fdms86540-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 82A; Idm: 642A; 96W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 82A
Pulsed drain current: 642A
Power dissipation: 96W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 90nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDMS86550 fdms86550-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDMS86550 SMD N channel transistors
товар відсутній
FDMS86550ET60 fdms86550et60-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDMS86550ET60 SMD N channel transistors
товар відсутній
FDMS8680 fdms8680-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 35A; Idm: 100A; 50W; Power56
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 35A
On-state resistance: 10.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 50W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Case: Power56
Gate charge: 26nC
Mounting: SMD
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 100A
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDMS8820 fdms8820-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 101A; Idm: 634A; 78W; Power56
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 78W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 88nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 634A
Mounting: SMD
Case: Power56
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 101A
On-state resistance: 2.8mΩ
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDMS8D8N15C fdms8d8n15c-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDMS8D8N15C SMD N channel transistors
товар відсутній
FDMS9600S fdms9600s-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30/30V; 32/30A; Idm: 60A; 2.5W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/30V
Drain current: 32/30A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 2.5W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20/±20V
On-state resistance: 13/8.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13/29nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDMS9620S fdms9620s-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30/30V; 16/18A; Idm: 60A; 2.5W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/30V
Drain current: 16/18A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 2.5W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 32/22mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14/25nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDMT1D3N08B fdmt1d3n08b-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDMT1D3N08B SMD N channel transistors
товар відсутній
FDMT800100DC fdmt800100dc-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 102A; Idm: 989A; 156W; DFNW8
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 102A
On-state resistance: 5.39mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 156W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 111nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 989A
Case: DFNW8
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDMT800120DC fdmt800120dc-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 81A; Idm: 767A; 156W; DFNW8
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 107nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 767A
Mounting: SMD
Case: DFNW8
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 81A
On-state resistance: 7.7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 156W
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDMT800150DC fdmt800150dc-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 62A; Idm: 561A; 156W; DFNW8
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 62A
On-state resistance: 13mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 156W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 108nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 561A
Case: DFNW8
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDMT800152DC FAIR-S-A0002366048-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 45A; Idm: 413A; 113W; DFNW8
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 45A
On-state resistance: 19mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 113W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 83nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 413A
Case: DFNW8
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDMT80040DC fdmt80040dc-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 265A; Idm: 2644A; 156W; DFNW8
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 265A
On-state resistance: 0.9mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 156W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 338nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 2644A
Case: DFNW8
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDMT80060DC fdmt80060dc-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 184A; Idm: 1825A; 156W; DFNW8
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 184A
On-state resistance: 1.7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 156W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 238nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 1825A
Case: DFNW8
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDMT80080DC fdmt80080dc-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 160A; Idm: 1453A; 156W; DFNW8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 160A
Pulsed drain current: 1453A
Power dissipation: 156W
Case: DFNW8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.22mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 273nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDN302P FDN302P.pdf
FDN302P
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.4A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.4A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 84mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2688 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
15+19.7 грн
25+ 17.19 грн
80+ 12.82 грн
218+ 12.13 грн
Мінімальне замовлення: 15
FDN304P FDN304P.pdf
FDN304P
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.4A; 0.5W; SOT23
Mounting: SMD
Case: SOT23
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 20nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.4A
On-state resistance: 0.1Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3540 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+43.16 грн
50+ 29.4 грн
51+ 19.95 грн
138+ 18.82 грн
500+ 18.64 грн
Мінімальне замовлення: 7
FDN304PZ FDN304PZ.pdf
FDN304PZ
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.4A; 0.5W; SuperSOT-3
Mounting: SMD
Case: SuperSOT-3
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 20nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.4A
On-state resistance: 0.1Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+45.97 грн
25+ 30.22 грн
50+ 20.38 грн
135+ 19.25 грн
Мінімальне замовлення: 7
FDN306P FDN306P.pdf
FDN306P
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -2.6A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -2.6A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3610 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+35.65 грн
11+ 26.6 грн
25+ 21.52 грн
65+ 15.51 грн
178+ 14.64 грн
1000+ 14.29 грн
3000+ 14.03 грн
Мінімальне замовлення: 8
FDN327N FDN327N.pdf
FDN327N
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2240 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
15+19.7 грн
18+ 15.83 грн
25+ 13.76 грн
85+ 11.85 грн
233+ 11.15 грн
500+ 10.89 грн
1000+ 10.8 грн
Мінімальне замовлення: 15
FDN335N FDN335N-DTE.pdf
FDN335N
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.7A; 500mW; SuperSOT-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1.7A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1707 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+33.02 грн
25+ 19.45 грн
72+ 14.24 грн
196+ 13.46 грн
Мінімальне замовлення: 9
FDN336P FDN336P.pdf
FDN336P
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.3A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.3A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2533 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+43.16 грн
25+ 21.53 грн
72+ 14.37 грн
196+ 13.59 грн
Мінімальне замовлення: 7
FDN337N FDN337N.pdf
FDN337N
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.2A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.2A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 5 шт
товар відсутній
FDN338P FDN338P.pdf
FDN338P
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.6A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.6A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.165Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1420 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+33.4 грн
25+ 23.79 грн
64+ 15.94 грн
175+ 15.07 грн
Мінімальне замовлення: 9
FDN339AN FDN339AN-DTE.pdf
FDN339AN
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 3A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 61mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5513 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+42.5 грн
25+ 24.43 грн
57+ 17.95 грн
157+ 16.99 грн
Мінімальне замовлення: 7
FDN340P FDN340P.pdf
FDN340P
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2A; Idm: -10A; 0.5W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2A
Pulsed drain current: -10A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2605 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+35.65 грн
11+ 25.33 грн
25+ 18.64 грн
94+ 10.8 грн
259+ 10.19 грн
3000+ 9.84 грн
Мінімальне замовлення: 8
FDN352AP FDN352AP.pdf
FDN352AP
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.3A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -1.3A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 4879 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
15+18.76 грн
25+ 16.28 грн
85+ 12.2 грн
230+ 11.5 грн
Мінімальне замовлення: 15
FDN357N FDN357N.pdf
FDN357N
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.9A; 0.5W; SuperSOT-3
Mounting: SMD
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Case: SuperSOT-3
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 5.9nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 1.9A
On-state resistance: 0.14Ω
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2045 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+36.78 грн
25+ 30.22 грн
50+ 20.56 грн
137+ 19.43 грн
Мінімальне замовлення: 8
FDN358P FDN358P.pdf
FDN358P
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.5A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -1.5A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1057 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+31.9 грн
13+ 21.26 грн
25+ 18.56 грн
66+ 15.33 грн
181+ 14.55 грн
1000+ 13.94 грн
Мінімальне замовлення: 9
FDN359AN FDN359AN.pdf
FDN359AN
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.7A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 3035 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
15+22.89 грн
25+ 19.9 грн
70+ 14.64 грн
195+ 13.76 грн
Мінімальне замовлення: 15
FDN359BN fdn359bn-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.7A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5 шт
товар відсутній
FDN360P FDN360P.pdf
FDN360P
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 136mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 4474 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+30.77 грн
25+ 19.9 грн
80+ 13.04 грн
215+ 12.34 грн
3000+ 12.2 грн
Мінімальне замовлення: 10
FDN537N fdn537n-d.pdf
FDN537N
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 8A; Idm: 25A; 1.5W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 25A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2956 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+64.73 грн
7+ 42.52 грн
25+ 30.75 грн
40+ 25.52 грн
100+ 24.48 грн
110+ 24.13 грн
500+ 23.26 грн
Мінімальне замовлення: 5
FDN5630 FDN5630.pdf
FDN5630
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.7A; 0.5W; SuperSOT-3
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 1.7A
On-state resistance: 0.18Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 10nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: SuperSOT-3
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4575 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+35.65 грн
11+ 26.87 грн
83+ 12.28 грн
228+ 11.59 грн
Мінімальне замовлення: 8
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 232 464 696 928 1160 1392 1624 1632 1633 1634 1635 1636 1637 1638 1639 1640 1641 1642 1856 2088 2320 2324  [ Наступна Сторінка >> ]