Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FDD4141
FDD4141

FDD4141 ON Semiconductor

fdd4141-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH Si 40V 10.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+23.83 грн
Мінімальне замовлення: 2500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDD4141 ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDD4141 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 50 A, 0.0101 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 69W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0101ohm, SVHC: Lead (17-Jan-2022).

Інші пропозиції FDD4141 за ціною від 15.4 грн до 86.31 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FDD4141 FDD4141 Виробник : onsemi fdd4141-d.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 10.8A/50A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.3mOhm @ 12.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2775 pF @ 20 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+25.78 грн
5000+ 23.64 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FDD4141 FDD4141 Виробник : ONSEMI 2304863.pdf Description: ONSEMI - FDD4141 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 50 A, 0.0101 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0101ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+28.46 грн
7500+ 27.91 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FDD4141 FDD4141 Виробник : ONSEMI 2304863.pdf Description: ONSEMI - FDD4141 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 50 A, 0.0101 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0101ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 16287 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+42.22 грн
500+ 33.25 грн
Мінімальне замовлення: 100
FDD4141 FDD4141 Виробник : ON Semiconductor fdd4141-d.pdf Trans MOSFET P-CH Si 40V 10.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+53.29 грн
14+ 45.72 грн
100+ 37.33 грн
Мінімальне замовлення: 12
FDD4141 FDD4141 Виробник : onsemi fdd4141-d.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 10.8A/50A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.3mOhm @ 12.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2775 pF @ 20 V
на замовлення 5383 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+62.57 грн
10+ 49.15 грн
100+ 38.19 грн
500+ 30.38 грн
1000+ 24.75 грн
Мінімальне замовлення: 5
FDD4141 FDD4141 Виробник : onsemi / Fairchild FDD4141_D-2312475.pdf MOSFET -40V P-Channel PowerTrench
на замовлення 3795 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+67.32 грн
10+ 54.58 грн
100+ 36.87 грн
500+ 31.29 грн
1000+ 25.44 грн
2500+ 24.88 грн
Мінімальне замовлення: 5
FDD4141 FDD4141 Виробник : ONSEMI 2304863.pdf Description: ONSEMI - FDD4141 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 50 A, 0.0101 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0101ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 16287 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+75.44 грн
14+ 59.18 грн
100+ 42.22 грн
500+ 33.25 грн
Мінімальне замовлення: 11
FDD4141 Виробник : UMW fdd4141-d.pdf Transistor P-Channel MOSFET; 40V; 20V; 18mOhm; 58A; 69W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: FDD4141 Onsemi FDD4141 UMW TFDD4141 UMW
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 150 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
50+15.4 грн
Мінімальне замовлення: 50
FDD4141 Виробник : ONS fdd4141-d.pdf Транз. пол. TO-252-3 (DPak) MOSFET P-Channel Vds=40 V Id=50 A Rds=12,3 mOhm Pd=69W
на замовлення 400 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+86.31 грн
10+ 72.13 грн
100+ 66.79 грн
Мінімальне замовлення: 4
FDD4141
Код товару: 133759 		fdd4141-d.pdf Транзистори > Польові P-канальні
товар відсутній
FDD4141 FDD4141 Виробник : ON Semiconductor fdd4141.pdf Trans MOSFET P-CH Si 40V 10.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
FDD4141 FDD4141 Виробник : ONSEMI FDD4141.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -10.8A; 69W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -10.8A
Power dissipation: 69W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDD4141 FDD4141 Виробник : ON Semiconductor fdd4141-d.pdf Trans MOSFET P-CH Si 40V 10.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
FDD4141 FDD4141 Виробник : ON Semiconductor fdd4141-d.pdf Trans MOSFET P-CH Si 40V 10.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
FDD4141 Виробник : ON Semiconductor fdd4141.pdf Trans MOSFET P-CH Si 40V 10.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
FDD4141 FDD4141 Виробник : ON Semiconductor fdd4141.pdf Trans MOSFET P-CH Si 40V 10.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
FDD4141 FDD4141 Виробник : ONSEMI FDD4141.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -10.8A; 69W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -10.8A
Power dissipation: 69W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній