FDC8601 onsemi
Виробник: onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 2.7A SUPERSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 109mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 50 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 40.3 грн |
| 6000+ | 36.96 грн |
| 9000+ | 35.25 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDC8601 onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 2.7A SUPERSOT6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 109mOhm @ 2.7A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: SuperSOT™-6, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 50 V.
Інші пропозиції FDC8601 за ціною від 35.39 грн до 104.63 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
FDC8601 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 100V 2.7A SUPERSOT6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 109mOhm @ 2.7A, 10V Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: SuperSOT™-6 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 50 V |
на замовлення 16540 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDC8601 | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFETs 100V N-Channel PowerTrench MOSFET |
на замовлення 15483 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDC8601 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 2.7A 6-Pin TSOT-23 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
FDC8601 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 2.7A 6-Pin TSOT-23 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
FDC8601 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 2.7A 6-Pin TSOT-23 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| FDC8601 | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2.7A; 1.6W; SuperSOT-6 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 2.7A Power dissipation: 1.6W Case: SuperSOT-6 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 183mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| FDC8601 | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2.7A; 1.6W; SuperSOT-6 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 2.7A Power dissipation: 1.6W Case: SuperSOT-6 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 183mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |