Продукція > ONSEMI > FDD86102LZ
FDD86102LZ

FDD86102LZ onsemi

fdd86102lz-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 8A/35A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.5mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1540 pF @ 50 V
на замовлення 27500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+49.06 грн
5000+ 45.47 грн
12500+ 43.96 грн
Мінімальне замовлення: 2500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDD86102LZ onsemi

Description: ONSEMI - FDD86102LZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 42 A, 0.0178 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 42A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 54W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0178ohm, SVHC: Lead (14-Jun-2023).

Інші пропозиції FDD86102LZ за ціною від 42.55 грн до 123.22 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FDD86102LZ FDD86102LZ Виробник : ON Semiconductor fdd86102lz-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 44 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+50.48 грн
25+ 49.64 грн
Мінімальне замовлення: 12
FDD86102LZ FDD86102LZ Виробник : ONSEMI 2304362.pdf Description: ONSEMI - FDD86102LZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 42 A, 0.0178 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 54W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0178ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 2320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+70.81 грн
500+ 55.62 грн
Мінімальне замовлення: 100
FDD86102LZ FDD86102LZ Виробник : ONSEMI FDD86102LZ.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 35A; 54W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 35A
Power dissipation: 54W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 26nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 1657 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+78.94 грн
14+ 60.83 грн
39+ 57.21 грн
Мінімальне замовлення: 5
FDD86102LZ FDD86102LZ Виробник : ON Semiconductor fdd86102lz-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1198 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+102.52 грн
10+ 80.08 грн
25+ 77.94 грн
100+ 64.38 грн
250+ 59.02 грн
500+ 49.41 грн
1000+ 42.55 грн
Мінімальне замовлення: 6
FDD86102LZ FDD86102LZ Виробник : onsemi fdd86102lz-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 8A/35A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.5mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1540 pF @ 50 V
на замовлення 27674 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+109.05 грн
10+ 87.05 грн
100+ 69.27 грн
500+ 55.01 грн
1000+ 46.67 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDD86102LZ FDD86102LZ Виробник : ON Semiconductor fdd86102lz-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1198 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
110+110.41 грн
140+ 86.24 грн
143+ 84.55 грн
168+ 69.33 грн
250+ 63.56 грн
500+ 53.21 грн
1000+ 45.82 грн
Мінімальне замовлення: 110
FDD86102LZ FDD86102LZ Виробник : onsemi / Fairchild FDD86102LZ_D-2312405.pdf MOSFET 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 14486 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+113.55 грн
10+ 91.14 грн
100+ 64.45 грн
250+ 63.06 грн
500+ 53.6 грн
1000+ 47.9 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDD86102LZ FDD86102LZ Виробник : ONSEMI FDD86102LZ.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 35A; 54W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 35A
Power dissipation: 54W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 26nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1657 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+115.11 грн
5+ 98.37 грн
14+ 73 грн
39+ 68.65 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDD86102LZ FDD86102LZ Виробник : ONSEMI 2304362.pdf Description: ONSEMI - FDD86102LZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 42 A, 0.0178 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 54W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0178ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 2075 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+123.22 грн
10+ 95.15 грн
100+ 70.81 грн
500+ 55.62 грн
Мінімальне замовлення: 7
FDD86102LZ FDD86102LZ Виробник : ON Semiconductor fdd86102lz-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 44 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FDD86102LZ Виробник : Fairchild fdd86102lz-d.pdf N-MOSFET 2A/35A 100V FDD86102LZ TFDD86102lz
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+55.1 грн
Мінімальне замовлення: 10
FDD86102LZ FDD86102LZ Виробник : ON Semiconductor 4264129041612880fdd86102lz-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
FDD86102LZ FDD86102LZ Виробник : ON Semiconductor fdd86102lz-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній