![FDC6420C FDC6420C](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/5858/488%7EMKT-MA06A%7E%7E6.jpg)
FDC6420C onsemi
![fdc6420c-d.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: MOSFET N/P-CH 20V 3A/2.2A SSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A, 2.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 324pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 3A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
на замовлення 2810 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
8+ | 42.97 грн |
10+ | 35.57 грн |
100+ | 24.62 грн |
500+ | 19.3 грн |
1000+ | 16.43 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDC6420C onsemi
Description: ONSEMI - FDC6420C - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 3 A, 3 A, 0.07 ohm, tariffCode: 85412100, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.07ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 960mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SuperSOT, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.07ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 960mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції FDC6420C за ціною від 14.15 грн до 50.97 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
FDC6420C | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 34 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FDC6420C | Виробник : onsemi / Fairchild |
![]() |
на замовлення 28139 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FDC6420C | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.07ohm Verlustleistung, p-Kanal: 960mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.07ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 960mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 11526 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FDC6420C | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 34 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
FDC6420C | Виробник : ON-Semicoductor |
![]() кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 2975 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
![]() |
FDC6420C Код товару: 44090 |
![]() |
товар відсутній
|
||||||||||||||||||
![]() |
FDC6420C | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
FDC6420C | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
FDC6420C | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
FDC6420C | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V Type of transistor: N/P-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Kind of transistor: complementary pair Drain-source voltage: 20/-20V Drain current: 3/-2.2A Power dissipation: 0.9W Case: SuperSOT-6 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 70/125mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
FDC6420C | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 700mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A, 2.2A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 324pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 3A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SuperSOT™-6 |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
FDC6420C | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V Type of transistor: N/P-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Kind of transistor: complementary pair Drain-source voltage: 20/-20V Drain current: 3/-2.2A Power dissipation: 0.9W Case: SuperSOT-6 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 70/125mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |