Продукція > ONSEMI > FDD86540
FDD86540

FDD86540 onsemi

fdd86540-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 21.5A/50A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21.5A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 21.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 127W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6340 pF @ 30 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+76.23 грн
5000+ 70.65 грн
Мінімальне замовлення: 2500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDD86540 onsemi

Description: ONSEMI - FDD86540 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 136 A, 0.0034 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 136A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 127W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 127W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0034ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0034ohm, SVHC: Lead (14-Jun-2023).

Інші пропозиції FDD86540 за ціною від 66.11 грн до 201.7 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FDD86540 FDD86540 Виробник : ON Semiconductor fdd86540-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 21.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2142 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+105.51 грн
10+ 97.04 грн
25+ 96.49 грн
100+ 82.63 грн
250+ 76.16 грн
500+ 67.41 грн
1000+ 66.11 грн
Мінімальне замовлення: 6
FDD86540 FDD86540 Виробник : ON Semiconductor fdd86540-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 21.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2142 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
106+114.52 грн
115+ 105.21 грн
116+ 104.62 грн
131+ 89.37 грн
250+ 82.51 грн
500+ 72.97 грн
1000+ 71.2 грн
Мінімальне замовлення: 106
FDD86540 FDD86540 Виробник : ONSEMI 2724465.pdf Description: ONSEMI - FDD86540 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 136 A, 0.0034 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 136A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 127W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 127W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0034ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0034ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 2380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+118.05 грн
500+ 78.4 грн
Мінімальне замовлення: 100
FDD86540 FDD86540 Виробник : onsemi / Fairchild FDD86540_D-2312071.pdf MOSFET 60V 50A 4.1ohm NCh PowerTrench MOSFET
на замовлення 29117 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+142.29 грн
10+ 121.82 грн
100+ 87.81 грн
500+ 78.05 грн
1000+ 70.39 грн
2500+ 67.74 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDD86540 FDD86540 Виробник : onsemi fdd86540-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 21.5A/50A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21.5A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 21.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 127W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6340 pF @ 30 V
на замовлення 17030 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+169.62 грн
10+ 135.17 грн
100+ 107.63 грн
500+ 85.47 грн
1000+ 72.52 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDD86540 FDD86540 Виробник : ONSEMI 2724465.pdf Description: ONSEMI - FDD86540 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 136 A, 0.0034 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 136A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 127W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0034ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 2380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+201.7 грн
10+ 147.76 грн
100+ 118.05 грн
500+ 78.4 грн
Мінімальне замовлення: 4
FDD86540 Виробник : ON Semiconductor fdd86540-d.pdf
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDD86540 FDD86540 Виробник : ON Semiconductor fdd86540-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 21.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
FDD86540 FDD86540 Виробник : ON Semiconductor 3652746836699445fdd86540.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 21.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
FDD86540 FDD86540 Виробник : ONSEMI fdd86540-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 86A; Idm: 240A; 127W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 86A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 127W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 90nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 2500 шт
товар відсутній
FDD86540 FDD86540 Виробник : ONSEMI fdd86540-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 86A; Idm: 240A; 127W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 86A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 127W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 90nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній