Продукція > ONSEMI > FDD4685
FDD4685

FDD4685 onsemi

fdd4685-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 40V 8.4A/32A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Ta), 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2380 pF @ 20 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+41.21 грн
5000+ 37.79 грн
Мінімальне замовлення: 2500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDD4685 onsemi

Description: ONSEMI - FDD4685 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 32 A, 0.023 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 32A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 69W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm, SVHC: Lead (14-Jun-2023).

Інші пропозиції FDD4685 за ціною від 36.96 грн до 157.61 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FDD4685 FDD4685 Виробник : ONSEMI 2304724.pdf Description: ONSEMI - FDD4685 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 32 A, 0.023 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 23113 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+66.45 грн
500+ 54.95 грн
Мінімальне замовлення: 100
FDD4685 FDD4685 Виробник : ON Semiconductor fdd4685cn-d.pdf Trans MOSFET P-CH Si 40V 8.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1224 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
132+92.16 грн
135+ 90.16 грн
174+ 69.8 грн
250+ 66.64 грн
500+ 52.57 грн
1000+ 39.81 грн
Мінімальне замовлення: 132
FDD4685 FDD4685 Виробник : onsemi fdd4685-d.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 8.4A/32A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Ta), 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2380 pF @ 20 V
на замовлення 10155 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+99.51 грн
10+ 78.48 грн
100+ 61.05 грн
500+ 48.57 грн
1000+ 39.56 грн
Мінімальне замовлення: 4
FDD4685 FDD4685 Виробник : ON Semiconductor fdd4685cn-d.pdf Trans MOSFET P-CH Si 40V 8.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1224 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+104.95 грн
10+ 85.57 грн
25+ 83.72 грн
100+ 62.5 грн
250+ 57.3 грн
500+ 46.86 грн
1000+ 36.96 грн
Мінімальне замовлення: 6
FDD4685 FDD4685 Виробник : onsemi / Fairchild FDD4685_D-2312251.pdf MOSFET -40V P-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 9044 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+108.14 грн
10+ 87.36 грн
100+ 58.33 грн
500+ 49.69 грн
1000+ 40.28 грн
2500+ 39.79 грн
Мінімальне замовлення: 4
FDD4685 FDD4685 Виробник : ONSEMI 2304724.pdf Description: ONSEMI - FDD4685 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 32 A, 0.023 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 23113 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+121.96 грн
10+ 93.82 грн
100+ 66.45 грн
500+ 54.95 грн
Мінімальне замовлення: 7
FDD4685 FDD4685 Виробник : ONSEMI FDD4685.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -32A; 69W; DPAK
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -32A
On-state resistance: 42mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 69W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 27nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: DPAK
на замовлення 2265 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+131.34 грн
6+ 70.42 грн
16+ 53.95 грн
43+ 51.01 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDD4685 FDD4685 Виробник : ONSEMI FDD4685.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -32A; 69W; DPAK
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -32A
On-state resistance: 42mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 69W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 27nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: DPAK
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2265 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+157.61 грн
5+ 87.75 грн
16+ 64.74 грн
43+ 61.21 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDD4685 FDD4685 Виробник : ON Semiconductor fdd4685cn-d.pdf Trans MOSFET P-CH Si 40V 8.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
FDD4685 FDD4685 Виробник : ON Semiconductor fdd4685cn-d.pdf Trans MOSFET P-CH Si 40V 8.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
FDD4685 FDD4685 Виробник : ON Semiconductor fdd4685cn-d.pdf Trans MOSFET P-CH Si 40V 8.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
FDD4685 FDD4685 Виробник : ON Semiconductor fdd4685cn-d.pdf Trans MOSFET P-CH Si 40V 8.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
FDD4685 FDD4685 Виробник : ON Semiconductor fdd4685cn-d.pdf Trans MOSFET P-CH Si 40V 8.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній