![FDD5680 FDD5680](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/5972/488%7EMKT-TO252A03%7E%7E2.jpg)
FDD5680 onsemi
![fdd5680-d.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: MOSFET N-CH 60V 8.5A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1835 pF @ 30 V
на замовлення 2250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 93.25 грн |
10+ | 73.43 грн |
100+ | 57.07 грн |
500+ | 45.4 грн |
1000+ | 36.99 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDD5680 onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 8.5A TO252, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 8.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 60W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1835 pF @ 30 V.
Інші пропозиції FDD5680 за ціною від 34.62 грн до 100.57 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
FDD5680 | Виробник : onsemi / Fairchild |
![]() |
на замовлення 1107 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
FDD5680 | Виробник : FAIRCHILD |
![]() |
на замовлення 21000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
FDD5680 | Виробник : FAIRCHILD |
![]() |
на замовлення 21000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
FDD5680 | Виробник : fairchild |
![]() |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
FDD5680 | Виробник : ONSEMI |
![]() |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
![]() |
FDD5680 | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 8.5A, 10V Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 60W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1835 pF @ 30 V |
товар відсутній |