Продукція > ONSEMI > FDD86367
FDD86367

FDD86367 onsemi

fdd86367-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 80V 100A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4840 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 32500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+65.11 грн
Мінімальне замовлення: 2500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDD86367 onsemi

Description: MOSFET N-CH 80V 100A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 80A, 10V, Power Dissipation (Max): 227W (Tj), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252 (DPAK), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4840 pF @ 40 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції FDD86367 за ціною від 58.84 грн до 166.6 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FDD86367 FDD86367 Виробник : onsemi fdd86367-d.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 100A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4840 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 34867 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+109.45 грн
10+ 87.23 грн
100+ 69.44 грн
500+ 58.84 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDD86367 FDD86367 Виробник : ONSEMI fdd86367-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; 227W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 100A
Power dissipation: 227W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 88nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 1966 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+131.22 грн
5+ 109.88 грн
10+ 88.2 грн
28+ 82.97 грн
500+ 79.24 грн
Мінімальне замовлення: 4
FDD86367 FDD86367 Виробник : ONSEMI fdd86367-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; 227W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 100A
Power dissipation: 227W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 88nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1966 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+157.46 грн
5+ 136.93 грн
10+ 105.85 грн
28+ 99.57 грн
500+ 95.08 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDD86367 FDD86367 Виробник : onsemi / Fairchild FDD86367_D-2312039.pdf MOSFETs MV7 80/20V 1000A N-chanPwrTrnchMOSFET
на замовлення 13249 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+166.6 грн
10+ 136.99 грн
100+ 94.01 грн
250+ 86.83 грн
500+ 78.94 грн
1000+ 67.38 грн
2500+ 64.44 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDD86367 FDD86367 Виробник : ON Semiconductor fdd86367-d.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
FDD86367 FDD86367 Виробник : ON Semiconductor fdd86367-d.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній