Продукція > ONSEMI > FDD3860
FDD3860

FDD3860 onsemi

fdd3860-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 6.2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 5.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1740 pF @ 50 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+33.34 грн
5000+ 30.58 грн
Мінімальне замовлення: 2500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDD3860 onsemi

Description: MOSFET N-CH 100V 6.2A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 5.9A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 69W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1740 pF @ 50 V.

Інші пропозиції FDD3860 за ціною від 29.27 грн до 81.42 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FDD3860 FDD3860 Виробник : ONSEMI fdd3860-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 6.2A; Idm: 60A; 83W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 6.2A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 83W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 64mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 31nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 1830 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+67.85 грн
7+ 57.21 грн
19+ 45.99 грн
50+ 43.48 грн
500+ 42 грн
Мінімальне замовлення: 6
FDD3860 FDD3860 Виробник : onsemi / Fairchild FDD3860_D-2312064.pdf MOSFET 100V N-Channel Power Trench
на замовлення 41612 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+70.89 грн
10+ 61.4 грн
100+ 44.77 грн
500+ 39.28 грн
1000+ 32.47 грн
2500+ 30.45 грн
5000+ 29.27 грн
Мінімальне замовлення: 5
FDD3860 FDD3860 Виробник : onsemi fdd3860-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 6.2A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 5.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1740 pF @ 50 V
на замовлення 8398 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+80.47 грн
10+ 63.51 грн
100+ 49.39 грн
500+ 39.29 грн
1000+ 32 грн
Мінімальне замовлення: 4
FDD3860 FDD3860 Виробник : ONSEMI fdd3860-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 6.2A; Idm: 60A; 83W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 6.2A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 83W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 64mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 31nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1830 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+81.42 грн
5+ 71.29 грн
19+ 55.19 грн
50+ 52.18 грн
500+ 50.4 грн
Мінімальне замовлення: 4
FDD3860 FDD3860 Виробник : ON Semiconductor fdd3860-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 6.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FDD3860 Виробник : ONSEMI FAIR-S-A0002365600-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - FDD3860 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
717+35.41 грн
Мінімальне замовлення: 717
FDD3860 Виробник : Fairchild fdd3860-d.pdf N-Channel 100V 6.2A (Ta) 3.1W (Ta), 69W (Tc) Surface Mount D-PAK (TO-252AA) FDD3860 ON Semiconductor TFDD3860
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+55.1 грн
Мінімальне замовлення: 10
FDD3860 FDD3860 Виробник : ON Semiconductor fdd3860-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 6.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
FDD3860 FDD3860 Виробник : ON Semiconductor fdd3860-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 6.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній