![FDD8447L FDD8447L](https://media.digikey.com/Renders/Fairchild Semi Renders/TO-252-3.jpg)
FDD8447L Fairchild
![DOC012052266.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Код товару: 100848
Виробник: FairchildКорпус: D-Pak (TO-252)
Uds,V: 40 V
Idd,A: 50 A
Rds(on), Ohm: 8,5 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 1970/52
Монтаж: SMD
у наявності 19 шт:
1 шт - РАДІОМАГ-Київ
17 шт - РАДІОМАГ-Львів
1 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується 10 шт:
10 шт - очікується
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 32 грн |
10+ | 28.8 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDD8447L Fairchild
- Transistor
- Transistor Type:MOSFET
- Transistor Polarity:N Channel
- Drain Source Voltage, Vds:40V
- Continuous Drain Current, Id:15.2A
- On Resistance, Rds(on):7mohm
- Rds(on) Test Voltage, Vgs:20V
- Threshold Voltage, Vgs Typ:1.9V
Інші пропозиції FDD8447L за ціною від 23.39 грн до 79.74 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
FDD8447L | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
FDD8447L | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
FDD8447L | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.2A (Ta), 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 14A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 44W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1970 pF @ 20 V |
на замовлення 32500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
FDD8447L | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
FDD8447L | Виробник : Fairchild Semiconductor |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.2A (Ta), 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 14A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 44W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1970 pF @ 20 V |
на замовлення 20550 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
FDD8447L | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 46 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
FDD8447L | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 44W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 12066 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
FDD8447L | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 50A; 44W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 50A Power dissipation: 44W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 14mΩ Mounting: SMD Gate charge: 52nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
на замовлення 792 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
FDD8447L | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.2A (Ta), 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 14A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 44W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1970 pF @ 20 V |
на замовлення 34837 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
FDD8447L | Виробник : onsemi / Fairchild |
![]() |
на замовлення 84014 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
FDD8447L | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 44W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 12066 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
FDD8447L | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 50A; 44W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 50A Power dissipation: 44W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 14mΩ Mounting: SMD Gate charge: 52nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 792 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
FDD8447L | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 46 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
FDD8447L | Виробник : ON-Semicoductor |
![]() ![]() кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 594 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FDD8447L | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 20550 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
FDD8447L | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
З цим товаром купують
SS34 Код товару: 3426 |
![]() |
Виробник: YJ/Toshiba/Jingdao
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди Шотткі
Корпус: SMC (DO-214AB)
Зворотня напруга, Vrrm: 40 V
Прямий струм (per leg), If: 3 A
Падіння напруги, Vf: 0,5 V
Монтаж: SMD
Імпульсний струм, Ifsm: 100 A
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди Шотткі
Корпус: SMC (DO-214AB)
Зворотня напруга, Vrrm: 40 V
Прямий струм (per leg), If: 3 A
Падіння напруги, Vf: 0,5 V
Монтаж: SMD
Імпульсний струм, Ifsm: 100 A
у наявності: 4 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 12.5 грн |
10 kOhm 1% 0,125W 150V 0805 (RC0805FR-10KR) (резистор SMD) Код товару: 3689 |
![]() |
Виробник: Hitano
SMD резистори > 0805
Номінал: 10 kOhm
Точність: ±1% F
Pном,W: 0,125 W
Uроб,V: 150 V
Типорозмір: 0805
SMD резистори > 0805
Номінал: 10 kOhm
Точність: ±1% F
Pном,W: 0,125 W
Uроб,V: 150 V
Типорозмір: 0805
у наявності: 6254 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
400+ | 0.15 грн |
1000+ | 0.12 грн |
IRLML0040TRPBF Код товару: 38411 |
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 40 V
Idd,A: 3,6 A
Rds(on), Ohm: 0,056 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 266/2,6
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 40 V
Idd,A: 3,6 A
Rds(on), Ohm: 0,056 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 266/2,6
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
у наявності: 416 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
9+ | 6 грн |
10+ | 5 грн |
100+ | 4.3 грн |
220uF 25V EZV SMD sizeE 8x10.5 (low imp.) (EZV221M25RE) (электролитический конденсатор SMD низкоимпедансный) Код товару: 38826 |
![]() |
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні SMD конденсатори
Ємність: 220 µF
Номін.напруга: 25 V
Серія: EZV-SMD низкоимпедансные
Темп.діапазон: -40...+105°C
Типорозмір,габарити: SMD size E
Макс.пульс.струм: 450mA
Конденсатори > Електролітичні SMD конденсатори
Ємність: 220 µF
Номін.напруга: 25 V
Серія: EZV-SMD низкоимпедансные
Темп.діапазон: -40...+105°C
Типорозмір,габарити: SMD size E
Макс.пульс.струм: 450mA
у наявності: 618 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
7+ | 8 грн |
10+ | 7.2 грн |
100+ | 6.5 грн |
47 Ohm 5% 2W вив. (MOR200SJTB-47R-Hitano) Код товару: 50581 |
![]() |
Виробник: Hitano
Вивідні резистори > 2W
Номінал: 47 Ohm
Точність і ТКО: ±5%
P ном., W: 2 W
U, роб.: 500 V
Габарити: 11x4,0 mm; Dвив. = 0,76 mm
Тип: метало-оксидні мініатюрні
Вивідні резистори > 2W
Номінал: 47 Ohm
Точність і ТКО: ±5%
P ном., W: 2 W
U, роб.: 500 V
Габарити: 11x4,0 mm; Dвив. = 0,76 mm
Тип: метало-оксидні мініатюрні
у наявності: 2767 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
25+ | 2 грн |
28+ | 1.8 грн |
100+ | 1.6 грн |
1000+ | 1.4 грн |