FDD6637 onsemi
Виробник: onsemiDescription: MOSFET P-CH 35V 13A/55A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.6mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 35 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2370 pF @ 20 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 44.94 грн |
| 5000+ | 41.21 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDD6637 onsemi
Description: MOSFET P-CH 35V 13A/55A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 55A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.6mOhm @ 14A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 57W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 35 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2370 pF @ 20 V.
Інші пропозиції FDD6637 за ціною від 37.67 грн до 135.7 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDD6637 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 35V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDD6637 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDD6637 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 35 V, 13 A, 0.0097 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 35V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 13A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 57W Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0097ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 14645 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDD6637 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 35V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDD6637 | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -35V; -55A; 57W; DPAK Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: -35V Drain current: -55A On-state resistance: 19mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 57W Polarisation: unipolar Gate charge: 35nC Technology: PowerTrench® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±25V Mounting: SMD Case: DPAK |
на замовлення 585 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDD6637 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 35V 13A/55A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 55A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.6mOhm @ 14A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 57W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 35 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2370 pF @ 20 V |
на замовлення 12033 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDD6637 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 35V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDD6637 | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFETs 35V PCH PowerTrench MOSFET |
на замовлення 25832 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDD6637 | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -35V; -55A; 57W; DPAK Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: -35V Drain current: -55A On-state resistance: 19mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 57W Polarisation: unipolar Gate charge: 35nC Technology: PowerTrench® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±25V Mounting: SMD Case: DPAK кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 585 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDD6637 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDD6637 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 35 V, 13 A, 0.0097 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 35V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 13A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 57W Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0097ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 14645 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDD6637 Код товару: 86650 |
Виробник : Fairchild |
Транзистори > Польові P-канальні Корпус: TO-252 Uds,V: 35 V Rds(on),Om: 0,018 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 2370/45 Монтаж: SMD |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||
|
|
FDD6637 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 35V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
FDD6637 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 35V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |