FDD5690 ONSEMI
Виробник: ONSEMIDescription: ONSEMI - FDD5690 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 30 A, 0.023 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
Verlustleistung: 50
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 13388 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 89.91 грн |
| 500+ | 62.58 грн |
| 2500+ | 56.62 грн |
| 5000+ | 55.48 грн |
| 7500+ | 54.28 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDD5690 ONSEMI
Description: ONSEMI - FDD5690 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 30 A, 0.023 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 30, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 50, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5, euEccn: NLR, Verlustleistung: 50, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.023, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023, SVHC: Lead (17-Jan-2022).
Інші пропозиції FDD5690 за ціною від 41.43 грн до 136.03 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
FDD5690 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDD5690 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 30 A, 0.023 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60 rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 30 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 50 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5 euEccn: NLR Verlustleistung: 50 Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.023 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023 SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
на замовлення 13388 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDD5690 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 30A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| FDD5690 | Виробник : ON-Semicoductor |
N-Channel 60V 30A (Tc) 3.2W (Ta), 50W (Tc) Surface Mount TO-252 FDD5690 ON Semiconductor TFDD5690 кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 50 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| FDD5690 | Виробник : ONSEMI |
FDD5690 SMD N channel transistors |
на замовлення 447 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
 |
FDD5690 | Виробник : Fairchild Semiconductor |
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 9A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252, (D-Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 25 V |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
FDD5690 | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFET 60V N-Ch PowerTrench |
товар відсутній |