FDC855N onsemi
Виробник: onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 6.1A SUPERSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 6.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 655 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 16.61 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDC855N onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 6.1A SUPERSOT6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 6.1A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: SuperSOT™-6, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 655 pF @ 15 V.
Інші пропозиції FDC855N за ціною від 12.09 грн до 43.72 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDC855N | Виробник : Fairchild Semiconductor |
Description: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI Packaging: Bulk Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 6.1A, 10V Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SuperSOT™-6 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 655 pF @ 15 V |
на замовлення 10062 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FDC855N | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 6.1A 6-Pin TSOT-23 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDC855N | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 6.1A 6-Pin TSOT-23 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDC855N | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 6.1A 6-Pin TSOT-23 T/R |
на замовлення 1879 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FDC855N | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFETs 30V Single NCh Logic Level PowerTrench |
на замовлення 29141 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDC855N | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 6.1A 6-Pin TSOT-23 T/R |
на замовлення 1879 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDC855N | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 30V 6.1A SUPERSOT6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 6.1A, 10V Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SuperSOT™-6 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 655 pF @ 15 V |
на замовлення 5289 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| FDC855N | Виробник : FAIRCHILD |
|
на замовлення 2660 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
|
|
FDC855N | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 6.1A 6-Pin TSOT-23 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||
 |
FDC855N | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 6.1A 6-Pin TSOT-23 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
FDC855N | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 6.1A 6-Pin TSOT-23 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||
| FDC855N | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 6.1A; Idm: 20A; 1.6W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 6.1A Pulsed drain current: 20A Power dissipation: 1.6W Case: SuperSOT-6 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 39.3mΩ Mounting: SMD Gate charge: 13nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||
| FDC855N | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 6.1A; Idm: 20A; 1.6W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 6.1A Pulsed drain current: 20A Power dissipation: 1.6W Case: SuperSOT-6 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 39.3mΩ Mounting: SMD Gate charge: 13nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |