Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FDD86250
FDD86250

FDD86250 ON Semiconductor

fdd86250-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 150V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+69.07 грн
Мінімальне замовлення: 2500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDD86250 ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDD86250 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 50 A, 0.0184 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 132W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0184ohm, SVHC: Lead (14-Jun-2023).

Інші пропозиції FDD86250 за ціною від 63.42 грн до 168.87 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FDD86250 FDD86250 Виробник : onsemi fdd86250-d.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 8A/50A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 132W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2110 pF @ 75 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+70.98 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FDD86250 FDD86250 Виробник : ON Semiconductor fdd86250jp-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+71.71 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FDD86250 FDD86250 Виробник : ON Semiconductor fdd86250-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+73.56 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FDD86250 FDD86250 Виробник : ONSEMI 2304492.pdf Description: ONSEMI - FDD86250 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 50 A, 0.0184 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 132W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0184ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 9042 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+96.94 грн
500+ 79.13 грн
Мінімальне замовлення: 100
FDD86250 FDD86250 Виробник : ON Semiconductor fdd86250-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1255 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+100.06 грн
10+ 91.79 грн
25+ 88.76 грн
100+ 79.17 грн
250+ 72.85 грн
500+ 66.89 грн
1000+ 64.69 грн
Мінімальне замовлення: 6
FDD86250 FDD86250 Виробник : ON Semiconductor fdd86250-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1255 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
113+107.76 грн
123+ 98.85 грн
127+ 95.59 грн
137+ 85.26 грн
250+ 78.46 грн
500+ 72.04 грн
1000+ 69.66 грн
Мінімальне замовлення: 113
FDD86250 FDD86250 Виробник : onsemi / Fairchild FDD86250_D-2312229.pdf MOSFET 150V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 35150 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+132.53 грн
10+ 112.2 грн
100+ 82.93 грн
250+ 82.24 грн
500+ 74.57 грн
1000+ 67.39 грн
2500+ 63.42 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDD86250 FDD86250 Виробник : ONSEMI fdd86250-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 27A; Idm: 164A; 132W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 27A
Pulsed drain current: 164A
Power dissipation: 132W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 33nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 2489 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+140.72 грн
5+ 116.88 грн
10+ 90.02 грн
27+ 84.94 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDD86250 FDD86250 Виробник : ONSEMI 2304492.pdf Description: ONSEMI - FDD86250 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 50 A, 0.0184 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 132W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0184ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 9042 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+148.54 грн
10+ 115.71 грн
100+ 96.94 грн
500+ 79.13 грн
Мінімальне замовлення: 6
FDD86250 FDD86250 Виробник : onsemi fdd86250-d.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 8A/50A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 132W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2110 pF @ 75 V
на замовлення 3181 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+157.56 грн
10+ 125.88 грн
100+ 100.22 грн
500+ 79.58 грн
1000+ 67.52 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDD86250 FDD86250 Виробник : ONSEMI fdd86250-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 27A; Idm: 164A; 132W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 27A
Pulsed drain current: 164A
Power dissipation: 132W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 33nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2489 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+168.87 грн
5+ 145.65 грн
10+ 108.02 грн
27+ 101.92 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDD86250 Виробник : ONSEMI FDD86250-D.pdf Description: ONSEMI - FDD86250 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+72.71 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FDD86250 FDD86250 Виробник : ON Semiconductor fdd86250-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній