![FDD8445 FDD8445](https://download.siliconexpert.com/pdfs2/2019/7/28/17/38/58/573305/ons_/manual/fcd260n65s3.jpg)
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2500+ | 37.64 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDD8445 ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FDD8445 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 15.2 A, 0.0067 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 15.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 79W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0067ohm, SVHC: Lead (14-Jun-2023).
Інші пропозиції FDD8445 за ціною від 32.41 грн до 100.85 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
FDD8445 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FDD8445 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FDD8445 | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 15.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 79W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0067ohm SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
на замовлення 2611 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FDD8445 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 1875 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FDD8445 | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 70A; 79W; DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Case: DPAK Gate charge: 7.6nC Technology: PowerTrench® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 40V Drain current: 70A On-state resistance: 16.3mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 79W Polarisation: unipolar |
на замовлення 1888 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FDD8445 | Виробник : onsemi / Fairchild |
![]() |
на замовлення 16135 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FDD8445 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 1875 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FDD8445 | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 70A; 79W; DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Case: DPAK Gate charge: 7.6nC Technology: PowerTrench® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 40V Drain current: 70A On-state resistance: 16.3mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 79W Polarisation: unipolar кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1888 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FDD8445 | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.7mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 79W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4050 pF @ 25 V |
на замовлення 1333 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FDD8445 | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 15.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 79W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0067ohm SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
на замовлення 2611 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
FDD8445 | Виробник : ON-Semicoductor |
![]() кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 50 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
![]() |
FDD8445 Код товару: 116381 |
![]() |
товар відсутній
|
||||||||||||||||||
![]() |
FDD8445 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
FDD8445 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
FDD8445 | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.7mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 79W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4050 pF @ 25 V |
товар відсутній |