Продукція > ONSEMI > FDD86567-F085
FDD86567-F085

FDD86567-F085 ONSEMI

ONSM-S-A0013178697-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDD86567-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0026 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 4720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+106.85 грн
500+ 74.59 грн
2500+ 64.64 грн
Мінімальне замовлення: 100
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDD86567-F085 ONSEMI

Description: ONSEMI - FDD86567-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0026 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85413000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 227W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm, SVHC: Lead (14-Jun-2023).

Інші пропозиції FDD86567-F085 за ціною від 64.64 грн до 190.29 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FDD86567-F085 FDD86567-F085 Виробник : ON Semiconductor fdd86567_f085-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+129.08 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FDD86567-F085 FDD86567-F085 Виробник : ON Semiconductor fdd86567_f085-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+129.08 грн
5000+ 118.52 грн
10000+ 110.86 грн
15000+ 101.36 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FDD86567-F085 FDD86567-F085 Виробник : onsemi fdd86567_f085-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 100A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4950 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2263 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+160.18 грн
10+ 128.47 грн
100+ 102.22 грн
500+ 81.17 грн
1000+ 68.87 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDD86567-F085 FDD86567-F085 Виробник : onsemi / Fairchild FDD86567_F085_D-2312106.pdf MOSFET 60V, 100A, 2.6mO, DPAK
N-Channel PowerTrench
на замовлення 1407 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+175.19 грн
10+ 135.92 грн
100+ 99.42 грн
250+ 95.24 грн
500+ 84.12 грн
1000+ 71.61 грн
2500+ 67.23 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDD86567-F085 FDD86567-F085 Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013178697-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDD86567-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0026 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 4720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+190.29 грн
10+ 138.82 грн
100+ 106.85 грн
500+ 74.59 грн
2500+ 64.64 грн
Мінімальне замовлення: 5
FDD86567_F085 FDD86567_F085 Виробник : Fairchild Semiconductor FDD86567_F085.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 100A DPAK
на замовлення 1922 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FDD86567_F085 FDD86567_F085 Виробник : Fairchild Semiconductor FDD86567_F085.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 100A DPAK
на замовлення 1922 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FDD86567-F085 FDD86567-F085 Виробник : ON Semiconductor fdd86567_f085-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
FDD86567-F085 FDD86567-F085 Виробник : ON Semiconductor fdd86567_f085-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
FDD86567-F085 FDD86567-F085 Виробник : ON Semiconductor fdd86567_f085-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
FDD86567-F085 FDD86567-F085 Виробник : ONSEMI fdd86567_f085-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 227W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 227W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 82nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDD86567_F085 FDD86567_F085 Виробник : Fairchild Semiconductor FDD86567_F085.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 100A DPAK
товар відсутній
FDD86567-F085 FDD86567-F085 Виробник : onsemi fdd86567_f085-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 100A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4950 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
FDD86567-F085 FDD86567-F085 Виробник : ONSEMI fdd86567_f085-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 227W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 227W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 82nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Application: automotive industry
товар відсутній