Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FDC642P
FDC642P

FDC642P ON Semiconductor

fdc642p-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 4A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+11.73 грн
6000+ 11.61 грн
9000+ 11.21 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDC642P ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDC642P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4 A, 0.045 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 1.6W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.6W, Bauform - Transistor: SOT-23, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.045ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції FDC642P за ціною від 10.22 грн до 45.97 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FDC642P FDC642P Виробник : ON Semiconductor fdc642p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 4A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+11.87 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDC642P FDC642P Виробник : ON Semiconductor fdc642p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 4A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+12.63 грн
6000+ 12.5 грн
9000+ 12.08 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDC642P FDC642P Виробник : ON Semiconductor fdc642p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 4A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+12.73 грн
6000+ 12.72 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDC642P FDC642P Виробник : ON Semiconductor fdc642p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 4A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+13.68 грн
6000+ 13.66 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDC642P FDC642P Виробник : ONSEMI fdc642p-d.pdf Description: ONSEMI - FDC642P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4 A, 0.045 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.6W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.045ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 5934 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+25.56 грн
500+ 14.45 грн
3000+ 11.39 грн
Мінімальне замовлення: 100
FDC642P FDC642P Виробник : ON Semiconductor fdc642p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 4A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 2098 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
347+34.88 грн
490+ 24.69 грн
522+ 23.18 грн
629+ 18.53 грн
1000+ 11.46 грн
Мінімальне замовлення: 347
FDC642P FDC642P Виробник : ON Semiconductor fdc642p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 4A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 2098 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
16+39.22 грн
19+ 33.04 грн
25+ 32.39 грн
100+ 22.11 грн
250+ 19.21 грн
500+ 15.3 грн
1000+ 10.22 грн
Мінімальне замовлення: 16
FDC642P FDC642P Виробник : onsemi / Fairchild FDC642P_D-2312131.pdf MOSFET SSOT-6 P-CH -20V
на замовлення 6846 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+40.82 грн
10+ 33.66 грн
100+ 20.98 грн
500+ 16.38 грн
1000+ 13.03 грн
3000+ 11.36 грн
9000+ 10.59 грн
Мінімальне замовлення: 8
FDC642P FDC642P Виробник : ONSEMI fdc642p-d.pdf Description: ONSEMI - FDC642P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4 A, 0.045 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 5934 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
18+45.97 грн
21+ 38.15 грн
100+ 25.56 грн
500+ 14.45 грн
3000+ 11.39 грн
Мінімальне замовлення: 18
FDC642P Виробник : onsemi fdc642p-d.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 4A SUPERSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 925 pF @ 10 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+12.76 грн
6000+ 11.66 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDC642P Виробник : onsemi fdc642p-d.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 4A SUPERSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 925 pF @ 10 V
на замовлення 11728 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+37.69 грн
10+ 31.22 грн
100+ 21.66 грн
500+ 15.87 грн
1000+ 12.9 грн
Мінімальне замовлення: 8
FDC642P FDC642P Виробник : ON Semiconductor fdc642p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 4A 6-Pin TSOT-23 T/R
товар відсутній
FDC642P Виробник : ONSEMI fdc642p-d.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4A; 1.2W; SuperSOT-6
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4A
Power dissipation: 1.2W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.105Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDC642P Виробник : ONSEMI fdc642p-d.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4A; 1.2W; SuperSOT-6
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4A
Power dissipation: 1.2W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.105Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній